Ozbekiston respublikasi oliy va orta maxsus ta`lim vazirligi

6.4. Operativ xotira tezkorligi 
Operativ xotira tezkorligi nanosekund (sekundning milliarddan bir bo„lagi)larda o„lchanadi. 
Tezkorlik onalik plata ishlaydigan chastota bilan muvofiqlashgan bo„lishi kerak. 
Operativ xotira tezkorligini o„lchaydigan ikki tizim: biri – SIMM-modullar, ikkinchisi – 
DIMM-modullari uchun mavjud. SIMM-modullari uchun xotira mikrosxemalari 60, 70, 80 
nanosekund kirish vaqtiga ega; bu vaqt qancha kichik bo„lsa, shuncha yaxshi (va qimmatroq). Bu 
parametr ma‟lumotlarni yozish/o„qishga mikrosxemaga murojaat uchun qancha vaqt zarurligini 
bildiradi. Onalik platasi asosiy shinasining chastotasi qancha yuqori bo„lsa, xotiraga kirish vaqti 
shunchalik kam bo„lishi kerak. Agar onalik platasi 66 MGts chastotada ishlasa, xotira kirish 80 ns 
vaqtiga ega bo„lishi lozim. 100 MGts chastotada ishlaydigan onalik platalari uchun yurish vaqti 60-
70 ns bo„lishi zarur. 60 ns li xotira mikrosxemalarining ba‟zi ekzemplyarlari hattoki 133 MGts 
chastotali onalik platalari bilan ishlay olmaydi. 
DIMM-modullari uchun boshqacha tezkorlikni o„lchash tizimi qabul qilingan. Ular ham 
nanosekundlarda o„lchanadi, lekin ularda fizikaviy ma‟no boshqacha. Xarakterli qiymatlar: 6, 7, 8, 
10, 12 ns. Ularni onalik platasi asosiy shinasi chastotasiga teskari kattalik deb qarash kerak. Masalan, 
agar chastota 100 MGts bo„lsa, operativ xotira tezkorligi 10 ns gacha bo„lishi lozim. Agar chastota 
66 MGts bo„lsa, 12 ns li xotira to„g„ri keladi va 133 MGts chastota uchun tezkorlik 6 yoki 7 ns 
bo„lishi lozim. 
Ba‟zi modellar misolida DIMM-modullarini DDR-modullari bilan solishtiramiz. 
DDR400 (PC3200) standartining xotirasi DDR333 (PC2700) standarti xotirasiga qaraganda 20 
foiz ko„proq o„tkazish qobiliyatini ta‟minlaydi. DDR400 standarti operativ xotirasining nazariy 

---

50 
o„tkazish qobiliyati 3,2 Gb/s. Tig„iz (
пиковая
) o„tkazish qobiliyati 184 kontaktli modullar – 6,4 
Gb/s (xotiraning ikki kanalli kontrollyoridan foydalanilganda).