D. R. Djurayev, A. A. Turayev, sh sh. Fayziyev, B. A. Hikmatov

Bioreologiya
 
odam va hayvonlardagi har xil biologik suyuqlik (qon va b.) 
ning oqishi, turli to’qimalar (mushak, suyak, kon tomirlari) dagi deformatsiyalarni 
o’rganadi. Reologiya asosida I. Nyutonning qovushqoq suyuqliklar harakatiga 
qarshilik qonunlari, N. Stoks, J. Maksvell, U. Tomson va boshqalarning 
tadqiqotlari yotadi. Bu fanning rivojlanishiga o’zbek olimlari H. Rahmatullin, J. 
Fayzullayev (suyuqliklar reologiyasi), T. Rashidov, G’. Hojimetov (qattiq jism va 
gruntlar reologiyasi) va b. hissa qo’shishgan. 

---

150 
VII BOB. ELEKTROFIZIK VA MAGNIT XOSSALAR TADQIQOTLARI. 
7.1.
 
O’tkazgichlar va yarimo’tkazgichlar tavsiflarini aniqlash usullari va 
asboblari. 
Yarimo’tkazgichlar fizikasining rivojlanish tarixi
. 
Bugungi kunda fan va 
texnika sohasida eng tez taraqqiyot qilayotgan fan — bu yarimo’tkazgichlar 
fizikasidir. Bunga sabab, yarimo’tkazgichli asboblarning inson faoliyatining barcha 
sohalarida — tibbiyotdan to kosmik tadqiqotlargacha keng qo’llanishidir. Bunday 
tez taraqqiyotga yarimo’tkazgichli materiallarning fizik xossalarini uzoq va chuqur 
tekshirishlar olib keldi. 1900-yildan boshlab jahonning turli davlatlarining olimlari 
metall - yarimo’tkazgich uchun nuqtaviy kontaktini detektorlash-to’g’rilash 
xossalarini o’rgana boshladilar. Bunda asosan yarimo’tkazgich material sifatida 
kremniy karbidi, kremniy, tellurlar ishlatildi. 1922-yilda manfiy differensial 
qarshilikka ega bo’lgan kontaktlar aniqlandi va o’rganildi. Bular asosida qattiq 
jism elektr tebranishlari generatorlari yaratildi. 1937-yilda esa eksperimentlar 
asosida har xil turdagi yarimo’tkazgichlar chegarasida tokni to’g’rilash nazariyasi 
vujudga keldi. 1940-yilda esa bu nazariya ko’p sonli eksperimentlarda tasdiqlandi.
 
Shu davrdan boshlab, turli turdagi yarimo’tkazgich-yarimo’tkazgich 
kontaktidagi oraliq qatlamda bo’ladigan jarayonlar o’rganila boshlandi. Lekin 
qator eksperiment natijalari metall-yarimo’tkazgich kontaktidan o’tuvchi tok 
nazariyasiga mos emas edi. 1947-yilda yarimo’tkazgich yuzasida u boshqa 
yarimo’tkazgich va metall bilan kontaktda bo’lmagan holda ham, elektron holatlar 
mavjudligi haqidagi fikr ilgari surildi. Bu asosida ikkita yarimo’tkazgich 
kontaktidan tok o’tish mexanizmining nazariyasi vujudga keldi va u keng tarqalib, 
eksperiment natijalariga mos natijalarni berdi. Bu nazariya zamonaviy 
yarimo’tkazgichli to’g’rilagichli diodlarning ishlash mexanizmiga asos bo’ldi. 
Turli turdagi ikki yarimo’tkazgich chegarasida katta elektr maydon 
bo’lgandagi jarayonlarni o’rganish p-n o’tishning teshilish nazariyasini vujudga 
kelishiga va bu asosda ishlovchi yarimo’tkazgichli asbob – slabilitronning

---

151 
yaratilishiga olib keldi. Shu jumladan, ikkita yarimo’tkazgich kontaktini yorug’lik 
energiyasini elektr energiyasiga aylantirishda qo’llash mumkinligi ko’rsatildi. Bu 
tamoyilda ishlab chiqilgan fotoelementlar yorug’lik signallarini qayd qilishda 
hamda fotoenergetikada qo’llanilmoqda. 1948-yilda qattiq jismli yarimo’tkazgichli 
kuchaytirgich – tranzistor yaratildi. Bu asbobning ishlash asosini ikkita o’zaro 
yaqin joylashtirilgan p-n o’tishlarning o’zaro ta’siri tashkil etadi va tok o’tkazish 
jarayonida ikki ishorali zaryad tashuvchilar — elektron va kovaklar ishtirok etadi.
1950-yilga kelib nuqtaviy va yassi biqutbiy tranzistorlar kabi yarimo’tkazgichli 
asboblar yaratildi. Keyinchalik biqutbiy yarimo’tkazgichli tranzistorlarning 
kuchaytirish xususiyatlarini yaxshilash, ishchi chastota diapazonini kengaytirish 
hamda ish quvvatini oshirish borasida tadqiqotlar olib borildi. 50-yillarning oxirida 
o’zaro yaqin joylashtirilgan uchta p-n o’tishlarning o’zaro ta’siriga asoslangan 
yarimo’tkazgichli asbob — tranzistor ishlab chiqildi. Tranzistorlarning asosiy 
ishlatilish sohasi — bu kichik inersiyali quvvatli toklarni kommutatsiya qilishdir. 
Yarimo’tkazgichlar 
yuzasida 
va 
yarimo’tkazgich-dielektrik 
faza 
chegarasidagi fizik jarayonlarni chuqur o’rganilishi uni polyar yoki maydonli 
tranzistorlarning yaratilishiga olib keldi. Bu tranzistorlarda zaryad tashuvchilar bir 
xil ishorali bo’lib, tranzistordan o’tuvchi tok kattaligi zatvorga qo’yiluvchi elektr 
maydon kuchlanganligiga bog’liq. Oxirgi bir necha o’n yillarda elektron texnikaga 
bo’lgan talab yarimo’tkazgichlarning funksional imkoniyatlarini oshirish va 
ularning o’lchamlarini kichraytirish — integral mikrosxemalarning yaratilishiga 
olib keldi. Keyingi tadqiqotlar esa nanoo’lchamdagi tranzistor strukturalarini 
yaratish imkonini tug’dirdi. 
Yarimo’tkazgichli asboblar shunday katta tezlikda rivojlantirilmoqdaki, 
bugungi tasavvur va yutuqlar bir necha yildan so’ng eskirib qolmoqda. Shu 
sababli, yarimo’tkazgichli asboblarda ro’y beruvchi fizik jarayonlarni bilish muhim 
ahamiyatga egadir. Yarimo’tkazgichlar qo’llanmayotgan soha hozir topilmaydi.