Elektron-kovak o‘tish va uning turlari



Yüklə 95,16 Kb.
səhifə4/4
tarix13.04.2023
ölçüsü95,16 Kb.
#97257
1   2   3   4
Elektron-kovak o‘tish va uning turlari

Epitaksial p-n o‘tishlar. Epitaksial usuldan elektron-kovak o‘tishlarni olish turli tagliklarda yarimo‘tkazgichli epitaksial pardalarni o‘stirishga asoslangan. Agar o‘sgan yarimo‘tkazgich epitaksial qatlam o‘tkazuvchanligiga qarama-qarshi bo‘lsa,unda p-n o‘tish hosil bo‘ladi (8-rasmda taglik sifatida n-germaniy bo‘lib, unga n-turdagi epitaksial germaniy parda o‘tqazilgan).
Hozirgi vaqtda turli tagliklarda epitaksial pardalarni o‘stirish usuli ishlab chiqilishi impulsli diodlar,yuqori takroriyligi tranzistorlar va boshqa yarimo‘tkazgichli asboblarni ishlab chiqarishda keng qo‘llanilmoqda. Epitaksial usul integral mikrosxemalar tayyorlashda keng qo‘llanilmoqda.
Ion legirlash bilan p-n o‘tishlar olish. Keyingi yillarda ion legirlash usulida p-n o‘tishlarni olish samarali o‘rganilmoqda va amaliyotda keng qo‘llanilmoqda. Ion manblarda akseptor yoki donor zarrachalar ion optik tizimda oqimni hosil qilib uni 40-800 keV yenergiyagacha tezlashtirib yarimo‘tkazgich plastinka – nishonga tushiriladi.

7-rasm. Planar p-n o‘tish tuzilmasining umumiy ko‘rinishi.
Ionlarning yarimo‘tkazgich plastinka chuqurligiga kirib borishi ularning yenergiyasiga bog‘liq bo‘lib, legirlanish darajasi ionlar oqimi bilan nishonni nurlantirish vaqtiga bog‘liq.

8-rasm. Epitaksial p-n o‘tish.
Meza-o‘tishlar. Birlik texnologik jarayonlarda yarimo‘tkazgichli asboblarni katta guruhda tayyorlashda meza-o‘tishlar olinadi. Bunda n-turdagi kremniyda diffuzion usulda p-qatlam olinadi (9-rasm). Ma’lum chuqurlikda tekis p-n o‘tish olingndan keyin niqob orqali ushbu o‘tishga lak surkaladi. Yedirish amali bilan niqob olinadi. Shundan keyin plastinka p-n o‘tishlarga kesiladi.



9-rasm. Meza o‘tishlar.
Alohida olingan element yoki kristallcha stulchaga o‘xshab ketganligi uchun bunday tuzilmalarni meza-o‘tishlar (ispancha mesa-stolcha) deyiladi va bu texnologiyani mezatexnologiya deyiladi. Meza-texnologiya bo‘yicha olingan bir guruh o‘tishlarning parametrlarida farq kam bo‘ladi. Bu texnologiya yaxshi o‘rganilgan va yuqori takroriylik tranzistorlarni ishlab chiqarishda keng qo‘llaniladi.
Yüklə 95,16 Kb.

Dostları ilə paylaş:
1   2   3   4




Verilənlər bazası müəlliflik hüququ ilə müdafiə olunur ©azkurs.org 2024
rəhbərliyinə müraciət

gir | qeydiyyatdan keç
    Ana səhifə


yükləyin