Elektronika va asbobsozlik

i
4) chiziqlimaslik koeffitsienti, β =
5) stabillashgan kuchlanishning temperaturaviy koeffitsienti.


(18.1)
Stabilitronning dinamik qarshiligi dioddan o‘taetgan tokning o‘zgarishi bilan stabillashgan kuchlanishning o‘zgarishi xarakterlaydi. Dinamik qarshilik qancha kichik bulsa, stabillanish shuncha yaxshi bo‘ladi. Statik qarshilik esa diodning o‘zida yo‘qotiladigan quvvatni aniqlaydi. Chiziqlimaslik koeffitsienti dioddagi tokning nisbiy o‘zgarishini stabillashgan kuchlanishning nisbiy o‘zgarishiga bo‘lgan nisbati bilan o‘lchanadi. Stabillashgan kuchlanishning o‘zgarishi qancha kichik bo‘lsa, ya’ni β qancha katta bo‘lsa, stabilitron shuncha yaxshi xisoblanadi. Xozirgi kunlarda sanoatda tayerlanadigan kremniyli stabilatronlarning chiziqlimaslik koeffitsienti 20 ÷ 100 va undan yuqori qiymatlarga egadir.
Tunnel diodlarning xossalari kvantomexanik xarakterga ega bo‘lganligi uchun ularni keyinrok alohida qurib chiqamiz.
Avvalgi paragrafda p–n – utishning elektr sig‘imi mavjud ekanligini ko‘rib chiqqan edik. Demak, p–n – o‘tishga ega bo‘lgan har qanday asbobning sig‘imini boshqarish mumkin bo‘lgan kondensator sifatida ishlatish mumkin ekan. Chunki p–n – o‘tishning sig‘imi berilgan tashqi kuchlanishga kuchli bog‘langandir, shuning uchun, kuchlanishni o‘zgartirish bilan sig‘imi o‘zgartirish mumkin, bunday p–n – o‘tishlarni v a r i k a p l a r deb yuritiladi.
Varikaplarda p–n – utishning teskari kuchlanish berilgan vaqtidagi sig‘imidan (aktiv sig‘imidan) foydalaniladi, chunki u nisbatan yuqori asllikka, kichik temperaturaviy koeffitsientga, kam xususiy shovqinga ega bo‘ladi. Bundan tashqari chastotaga (juda yuqori chastotalarga qadar) bog‘liq bo‘lmaydi. rasmda varikapning ekvivalent sxemasi berilgan. S_p-n p–n – o‘tishning sigimi, R_p-n - p–n – o‘tishning qarshiligi, R_k-k – diodning ketma-ket qarshiligi.
Varikapning asosiy parametrlaridan biri, uning aslligidir. Past chastotali diodning ketma-ket qarshiligini xisobga olmasak bo‘ladi. U xolda diodning aslligi


Q = ω C _p-n R _p-n (18.2)

bunda ω – aylanma chastota. Yukori chastotalardan esa p–n – o‘tishning qarshiligini xisobga olmasak xam bo‘ladi. Lekin diodning ketma-ket qarshiligini xisobga olish zarur bo‘lib, bunda asllik

(18.3)
formula orqali aniqlanadi. (9.112) va (9.113) formulalardan ko‘rinadiki, varikapning aslligi past chastotalarda chastotaga teskari proporsional ekan. Pasmda asllikning chastotaga bog‘liqligi ko‘rsatilgan.
Past chastotalarda ishlaydigan varikaplar ko‘proq kremniy elementidan tayerlanadi, chunki kremniydan berkituvchi qatlami keng bo‘lgan diodlarni olish mumkin. Germaniy elementida elektronlarning xarakatchanligi katta bo‘lganligi uchun yuqori va o‘ta yuqori chastotada ishlaydigan varikaplar germaniy yarim o‘tkazgichdan tayyorlanadi.

Tranzistorlar

Tranzistorlar, asosan, elektr signallarini generallash va kuchaytirishda foydalaniladi. Xozirgi kunda tayyorlanayotgan va ko‘p ishlatilayotgan tranzistorlar yassi tranzastorlardir. Yassi tranzistorlar p-n- o‘tish xossalariga asoslangan bo‘lib, p – n – p - yoki p – n – p - strukturalarga ega bo‘ladi. Ularning qanday materialdan tayyorlanishiga qarab, bir-biridan farq qilishi mumkin. Tranzistorlar maksimal ishchi chastotaga qarab past chastotali tranzistorlar (3 dan to 30 mgs gacha), yuqori chastotali tranzistorlar (30 dan to 300 Mgs ) v auta yuqori chastotali tranzistorlar( 300 Mgs dan yuqori ) ga ajratiladi. Bulardan tashqari qanday quvvatda ishlay olishiga qarab kichik quvvatli tranzzistorlar (0,3 vt gacha), urtacha quvvatli tranzistorlar (3 vt dan yuqori) ga bo‘linadilar.
Yassi tranzistorlarning ishlash prinsipi
Yarim o‘tkazgichli yassi tranzistor uchta sohadan iborat bo‘lib, bu soxalar bir-biri bilan ikkita r-p- o‘tish bilan ajratilgandir. O‘tadigin soxaning elektr o‘tkazuvchanligi ikki chetki soxalarning elektr o‘tkazuvchanligiga karama-qarshi xilda bo‘ladi. Agar tranzistor r-p-r-strukturaga ega bo‘lsa, p-soxa baza bo‘lib xisoblanadi, p-r-p- strukturaga ega bo‘lsa, r-soxa bo‘lganligi uchun u yerda teshiklar asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilar bo‘lib xisoblanadi .
Yassi tranzastor aktiv rejimda ishlayotgan bitta r-p-o‘tishga to‘g‘ri kuchlanish berilib, ikkinchi r-p-utishga teskari yo‘nalishli kuchlanish berilgan bo‘ladi. Tug‘ri yo‘nalishli kuchlanish berilgan r-p- o‘tish orqali bazan asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilar in’eksichlanadi. Bazada asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilarni bazaga to‘g‘ri kuchlanish ko‘yilgan r-p- o‘tish orkali in’eksiyalovchi
*
soxasini e m i t t ye r, emitterning tashqi zanjirga ulaydigan elektrodini e m i t t ye r e l ye k t r o d i va emitter bilan baza orasidagi r-p o‘tishini e m m i t ye r o‘ t i sh deb yuritiladi. Bazadagi asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilarni ekstratsiya qiluvchi soxa kollektor, kollektorning tashqi zanjirga ulaydigan elektrodigi kollektr elektrod va baza bilan kollektr orasidagi r-p- o‘tish k o l l ye k t o r o‘tish deb yuritiladi.
Emitterga asosiy zaryad tashuvchilarning ishorasi bilan bir xil bo‘lgan kuchlanish berilsa, kollektorga esa asosiy zaryad tashuvchilarning ishorasiga qarama-qarshi bo‘lgan kuchlanish beriladi, r-p-r- strukturaga ega bo‘lgan yassi tranzistorning aktiv rejimda ishlash sxemasi berilgan .
*