Elektronika va asbobsozlik

Integral mikrosxemalar rezistorlari
Yarim utkazgichli integral sxemalarning barcha elementlari (tranzistorlar, diodlar, rezistorlar va kondensatorlar) kremniy taglikning r-p utishlari bazasida epitaksiya va diffuziya usuli bilan yaratiladi. Yarim utkazgichli sxemalar rezistorlari baza soxasida olinadi va ularning karshiligi soxa karshiligi bilan yaratiladi. Yarim utkazgichli sxemalar rezistorlari baza soxasida olinadi va ularning karshiligi soxa karshiligi bilan belgilanadi va 25 Om dan bir necha kiloomgacha bulgan oralikda buladi. Rezistorlarning texnologik aniklagi ±30% dan oshmaydi, KTK ≈ 10^-3·1/ºS.
Kalin plyonkali mikrosxema rezistorlarini ipak–grafiya usuli–keramik taglik (22XS keramikasi) sirtiga maxsus pastani trafaret orkali surtish va ularni kuydirish (kizigan keramik usuli) yuli bilan olinadi.
Maxsus ishlarga muljallangan yupka plyonkali mikrosxemalar mikroelektron texnikada keng kullanilmokda. Ular asosida yirik gibrid integral sxemalar yaratilmokda. Buning sababi shundaki, yupka plyonkali texnologiya elementlarning nominal kiymat chegaralarini kengaytirishga va yanada yukori aniklikka, barkarorlikka va ishonchlilikka erishishga imkon beradi.
Yupka plyonkali sxemalar rezistorlari metalla ryoki boshka tok utkazuvchi moddalarni, odatda, sital tagliklariga purkab utkazish yuli bilan olinadi. Rezistorlarning krnfiguratsiyasi maskalarning rezistiv katlami topologiyasi (joylashtirilishi va ulchamlari bilan) oralik belgilanadi. Tok utkazuvchi moddalar maskadagi «darcha» orkali purkaladi. Bunda vakuumda termik buglantirishdan yoki katod changlatishdan foydalaniladi. Changlatish jarayoni maxsus vakuum kurilmalarida utkaziladi.
Maskalar metalidan kilingan va fotorezistiv bulishi mumkin. Fotorezistiv maskalar ajratish kobiliyati mikrometrlarni tashkil etadigan fotolitografiya usuli bilan orinadi. Birok texnologik va aniklik nuktai nazaridan maskadagi «darcha»ning minimal yul kuyilgan eni 50-100 mkm ga teng kilab olinadi. Rezistorlarga purkash uchun MLT-3M kotishmasi, tantal, kermetlar va silitsidlardan foydalaniladi.
Purkaladigan materialning asosiy parametri –uning sirti kvadratining karshiligi ρ_ٱ = ρ_v /d xisoblanadi, bu yerda ρ_v –solishtirma xajmiy karshilik, Om·sm³, d –changlatib utkaziladigan plyonka kalinligi, sm.