Elektronika va sxemalar 2 dan uz guruh yangabayev magsut davletmurat ogli 020-21
МУСТАҚИЛ ИШНИНГ ИККИНЧИ ҚИСМИ БЎЙИЧА МАЪЛУМОТЛАР
Yüklə 271,18 Kb.
|
- Bu səhifədəki naviqasiya:
- «УМУМИЙ ЭМИТТЕР СХЕМАСИ БЎЙИЧА ЙИҒИЛГАН БИПОЛЯР ТРАНЗИСТОРНИ КИРИШ ВА ЧИҚИШ ХАРАКТЕРИСТИКАЛАРИНИ АНИҚЛАШ»
- Н А Ъ М У Н А Ишнинг мақсади
- Н А Ъ М У Н А 4-расм.2N2369A транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи I к = f(U кэ ) графиги 1.2.
|
МУСТАҚИЛ ИШНИНГ ИККИНЧИ ҚИСМИ БЎЙИЧА МАЪЛУМОТЛАР
Ишни бажариш тартиби: 1. Берилган транзисторнинг параметрларини ҳисоблаш. Multisim дастури асосида умумий эмиттер схемасини йиғиш, унинг кириш ва чиқиш статик характеристикалар оиласи графигини тузиш. БТ нинг УЭ схемаси асосида йиғилган вольтампер характеристикаси бўйича транзисторнинг h– параметрларини график усулда аниқлаш. Кучайтиргичнинг кириш ва чиқиш қаршилигини аниқлаш. Кучайтиргичнинг ток бўйича узатиш коэффициенти аниқлаш. Вариантлар ва дастлабки маълумотлар: жадвал
ЎЗБЕКИСТОН РЕСПУБЛИКАСИ РАҚАМЛИ ТЕХНОЛОГИЯЛАР ВАЗИРЛИГИ МУҲАММАД АЛ-ХОРАЗИМИЙ НОМИДАГИ ТОШКЕНТ АХБОРОТ ТЕХНОЛОГИЯЛАРИ УНИВЕРСИТЕТИ Электроника ва радиотехника кафедраси Н А Ъ М У Н А “Электроника ва схемалар 2” фанидан Мустақил иш Мавзу: «УМУМИЙ ЭМИТТЕР СХЕМАСИ БЎЙИЧА ЙИҒИЛГАН БИПОЛЯР ТРАНЗИСТОРНИ КИРИШ ВА ЧИҚИШ ХАРАКТЕРИСТИКАЛАРИНИ АНИҚЛАШ» Бажарди: САЕ -010 гурух талабаси Эшматов Тошмат Тошкент 2023 Аввал биринчи қисм буйича маълумотлар (мавзуни номи.... , яъни режа.... асосий қисм....) кейин янги сахифадан иккинчи кисм ....бунда хам мавзу номи (мавзуниг номи МИ нинг биринчи бетида келтирилган) ишнинг мақсади..... охирида хулоса иккала қисм учун хам ва адабиётлар. Кимда қанақа тушунмовчиликлар (саволлар) бўлса телеграмм гурух орқали ёзиб юборинглар. Хамма пастда келтирилган наъмуна асосида ўзини (варианти бўйича) МИ ни бажариш керак. Н А Ъ М У Н А Ишнинг мақсади: умумий эмиттер схемаси бўйича йиғилган 2N2369A биполяр транзисторининг кириш ва чиқиш характеристикаларини ўлчаш бўйича амалий кўникмаларни мустаҳкамлаш. Вариантлар ва дастлабки маълумотлар: 2N2369A транзистори. Хар ким ўзини варианти бўйича (транзисторни) ёзади
НАЪМУНА мустақил ишни 2 чи қисми учун..... (схемалар мультисим симуляторида йиғилади) 1. 2N2369A транзисторининг параметрларини тахлил қилиш 1.1. Multisim дастури асосида умумий эмиттер схемасини йиғиш, унинг кириш ва чиқиш статик характеристикалар оиласи графигини тузиш. УЭ схемасига асосида 2N2369A транзисторининг кириш характеристикалари яъни Uкэ = 0 В ва Uкэ = 10 В бўлганида Iб = f(Uбэ) боғлиқлик оиласи графигини тузиш. Транзисторнинг параметрларини аниқлаш учун схема йиғилади. 1- расм 1- расм. Транзисторнинг кириш характеристикалари оиласини аниқлаш Аниқланган IБ ва UБЭ қийматларини 1- жадвалга киритамиз. Бу қийматлар асосида 2N2369A транзисторининг кириш характеристикалари оиласи графигини тузамиз. 2N2369A транзисторнинг УЭ схемасига мос равишда Uкэ = 0 В ва Uкэ = 10 В бўлганда Iб = f(Uбэ) кириш характеристикалари оиласи 1-жадвал
Н А Ъ М У Н А Берилган қийматлар асосида Iб = f(Uбэ) кириш характеристикалари оиласи графигини чизамиз (2- расм). (2- расм). 2N2369A транзисторининг Iб = f(Uбэ) кириш характеристикалари оиласи графиги УЭ схемасига асосан 2N2369A транзисторининг чиқиш характеристикалари, яъни Iб = const бўлганида Iк = f(Uкэ) боғлиқлик оиласи графигини тузиш. Транзистор параметрларини аниқлаш учун 2 схема йиғилади (3- расм) Н А Ъ М У Н А Ib = const 3- расм. Транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласини аниқлаш База токининг Iб = 25 мкА; Iб = 50 мкА; Iб = 75 мкА; Iб = 100 мкА; Iб = 125 мкА; Iб = 150 мкА қийматларида транзисторнинг коллектор токи Iк ва коллектор ва эмиттер орасидаги кучланиш Uкэ олинган қийматларини 2-жадвалга киритамиз. Бу қийматлар асосида 2N2369A транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи Iб = const бўлганда Iк = f(Uкэ) графиги тузилади. 2N2369A транзисторининг чиқиш характеристикалари оиласи Iк = f(Uкэ) 2-жадвал
Транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи Iк = f(Uкэ) графигини тузамиз (4-расм). Н А Ъ М У Н А 4-расм.2N2369A транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи Iк = f(Uкэ) графиги 1.2. БТ нинг УЭ схемаси асосида йиғилган вольтампер характеристикаси бўйича транзисторнинг h– параметрларини график усулда аниқлаш. 2N2369A транзисторининг кириш характеристикалари оиласи Iб = f(Uбэ) дан, h11э ни аниқлаймиз. Транзисторнинг статик режимини аниқловчи Uкэ=10 В га мос келувчи берилган база сокин токи Iбп=50 мкА қиймати ёрдамида “А” ишчи нуқтани аниқлаймиз. “А” нуқтанинг координаталри: Iбп=50 мкА, Uбэп=716 мВ. Н А Ъ М У Н А “А” ишчи нуқта яқинида бир хил масофада иккита ёрдамчи нуқталар аниқлаб оламиз ва оралиқ база токи ΔIб ва оралиқ кучланиш ΔUбэқийматини аниқлаб, қуйидаги ифода ёрдамида дифференциал қаршиликни топамиз:: 5- расмдан Iб1=25 мкА, Iб2=75 мкА, Uбэ1=686 мВ, Uбэ2=733мВ қийматларни оламиз. У ҳолда h11эқуйидагича аниқланилади: 5- расм.h11э параметрини график усулда аниқлаш 2N2369A транзисторининг кириш характеристикалари оиласи Iб = f(Uбэ) дан, h12э ни аниқлаймиз. Бунинг учун Uкэ=0В холатида олнган характеристикани кесишувчи “А” нуқтадан горизантал чизиқ ўтказиб оламиз.2N2369A транзисторининг эмиттер ва коллектор орасида кучланиш орттирмаси қуйидаги ифода ёрдамида аниқланади: Н А Ъ М У Н А ΔUкэ= Uкэ2 – Uкэ1=10В – 0В=10В ΔUкэ қийматига асосан транзисторнинг эмиттер ва базаси орасидаги кучланиши орттирмасини аниқлаймиз: ΔUбэ= Uбэп4 – Uбэ3=716мВ – 495мВ=221мВ 6-расм.h12э параметрни график усулда аниқлаш h12э параметрини қуйидаги ифода ёрдамида аниқлиймиз: 2N2369A транзситорининг чиқиш характеристикалари оиласи Iк = f(Uкэ)(Iб = const) дан h21э параметрини аниқлаймиз. Iбп = 50 мкА учун ВАХ ни чиқиш шахобчаси билан юкламаннг чизиқли кесишмаси (Ек = 5В, Rк = 620 Ом) сифатида тарнзисторнинг чиқиш характеристикасида “А” ишчи нуқтани аниқлаймиз Iк токи ўқи бўйича Ек/ Rк = 8,06 мА қийматини ажратиб оламиз. Uкэ кучланиши ўқи бўйича Ек = 5В қийматини ажратиб оламиз. Н А Ъ М У Н А 7-расм. h21э параметрини гарфик усулда аниқлаш “А” ишчи нуқтаси учун қуйидаги координаталарни оламиз: Iкп =5,5 мА, Uкэ=1,6В. Iб1 = 25 мкА ва Iб3 = 75 мкА бўлганидаги ВАХ ни шахобчалари билан кесишгунига қаар ишчи нуқтадан тўғри верткал чизиқ ўтказамиз. Берилган Iбпбаза токи қийматига яқин қийматда олиган ΔIб база токи орттирмасини қуйидаги ифода ёрдамида аниқлиймиз: ΔIб = Iб3 – Iб1=75 мкА – 25 мкА=50мкА Қуйидаги ифода ёрдамида аниқланадиган коллектор токининг орттирмаси, ΔIб база токи орттирмасига мос келади: ΔIк = Iк2 – Iк1=8,4 мА – 2,4 мА = 6 мА h21э параметри қуйидаги ифода ёрдамида аниқланади: Н А Ъ М У Н А 2N2369A транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи Iб = 50 мкА бўлганида Iк = f(Uкэ) боғлиқликдан h22э параметрни аниқлаймиз. Бунинг учун Iбп = 50 мкА бўлганда характеристика шахобчасида “А” ишчи нуқта яқинида иккита бир хил масофалардаги ёрдамчи нуқталар танлаймиз ва транзисторнинг эмиттер ва коллектори орасидаги кучланишни орттирмасини аниқлаймиз: 8-расм. h22э параметрини график усулда аниқлаш. ΔUкэ= Uкэ2 – Uкэ1= 2,84В – 0,84В = 2 В Бу Uкэ эса коллектор токини орттирмасини келтириб чиқаради: ΔIк=Iк4 – Iк3=5,5мА – 5,45мА = 0,05 мА У ҳолда h22э параметри қуйидагига тенг: 1.3. 2N2369A транзисторининг кириш ва чиқиш қаршилигини қуйидаги ифода ёрдамида аниқлаймиз: Н А Ъ М У Н А 1.4. 2N2369A транзисторининг ток бўйича узатиш коэффициенти β ни аниқлаймиз: Хулоса: Yüklə 271,18 Kb. Dostları ilə paylaş:
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||