Elektronika va sxemotexnika

3.7. Keng polosali kuchaytirgichlar 
 
Analog  integral  mikrosxemalar  elementar  negiz  bosqichlar  asosida 
yasaladilar. Negiz bosqichlarga UE sxemada ulangan bipolyar  tranzistorlar hamda 
UI  sxemada  ulangan  maydoniy  tranzistorlardan  yasalgan  bir  bosqichli 
kuchaytirgichlar kiradi. Negiz bosqichlar bir vaqtning o‗zida tok yoki kuchlanish, 
hamda tok va kuchlanish bo‗yicha kuchaytirish bilan quvvatni kuchaytiradilar. 
Bipolyar tranzistorda yasalgan kuchaytirgich bosqichi. Umumiy emitter 
sxemada  ulangan  bipolyar  tranzistorda  yasalgan  kuchaytirgich  bosqichi  eng  keng 
tarqalgan. Kuchaytirgich tahlil  qilinganda  signal  manbai  yoki   qarshilik  R
G
    bilan 
ketma  –  ket  ulangan  ideal  kuchlanish  manbai  Ye
G
  ko‗rinishida  (35  a-rasm),  yoki 
qarshilik  R
G
  bilan  parallel  ulangan  ideal  tok  manbai    I
G 
  ko‗rinishida  (35  b-rasm) 
ifodalanishi mumkin. 
 
 
 
 
 
a) 
 
 
 
 
 
b) 
35 – rasm. 
 
Agar  R
G
  va  kuchaytirgich  bosqichining  kirish  qarshiligi  qiymatlari  bir  – 
biriga yaqin bo‗lsa, signal manbaining turi hisoblash aniqligiga ta‘sir ko‗rsatmaydi. 
Agar R
G
 kuchaytirgich bosqichining kirish qarshiligidan ancha katta  bo‗lsa, 6.1 b-
rasmda  keltirigan  signal  manbaidan,  aks  holda  esa  35  a-rasmda  keltirigan  signal 
manbaidan foydalanish tavsiya etiladi. 
Umumiy  emitter  sxemada  ulangan  bipolyar  tranzistorda  yasalgan 
kuchaytirgich bosqichi sxemasi 36 – rasmda keltirilgan. 
Sxemani  tahlil  qilganda,  tranzistor  holati  kirish  kuchlanishi  bilan 
boshqarilganda  uzatish  xarakteristikasi  (37-rasm),  chiqish  xarakteristikalar  oilasi 
hamda kirish xarakteristikalar oilasidan foydalanish qulay. 
 

---

 
 
58 
58 
 
 
                36 – rasm.                                                   37 – rasm.  
 
Uzatish  xarakteristikasi    -  kollektor  toki  I
K
  ning  baza  –  emitter  kuchlanishi 
U
BE
 ga  bog‗liqligi eksponensial funksiya bilan approksimatsiyalanadi 
)
exp(
T
БЭ
KS
K
U
I
I


.    (3.16) 
bu yerda  
q
kT
Т


- termik potensial, I
KS
 – proporsionallik koeffisienti bo‗lib 
uning  tahminiy  qiymati  mikroquvvatli  kremniyli  tranzistorlar  uchun  T=300  K 
bo‗lganda 10
-9
 mA tartibga ega bo‗ladi. 
Kirish signali mavjud bo‗lmaganda kuchaytirgich bosqichi sokinlik rejimida 
bo‗ladi.  Sokinlik  rejimida  kollektor  –  emittter  kuchlanishining  doimiy  tashkil 
etuvchisi 
K
K
П
КЭ
R
I
E
U


. 
Kirishga  o‗zgaruvchan  kirish  signalining  musbat  yarim  davri  berilsa,  baza 
toki  ortadi  va  u  kollektor  toki  o‗zgarishiga  olib  keladi.  Bu  holat  uzatish 
xarakteristikasi  (37-rasm)  dan  ko‗rinib  turibdi.  Kollektor  toki  I
K
  ning  U
BE
 
kuchlanishiga bog‗liq ravishda o‗zgarishi xarakteristika tikligi S bilan ifodalanadi: 
БЭ
K
dU
dI
S

    U
KE
  = const bo‗lganda 
Bu kattalikni (6.1) ifodadan foydalanib ham topish mumkin: 
T
K
dI
S


      (3.17) . 
Shunday  qilib,  tiklik  kollektor  tokiga  proporsional  bo‗lib,  har  bir 
tranzistorning  individual  xossalariga  bog‗liq  bo‗lmaydi.  Shuning  uchun  bu 
kattalikni aniqlashda o‗lchashlar talab qilinmaydi. 
Kirish signali ta‘siri natijasida R
K
 dagi kuchlanish ortadi, U
KE
 kuchlanish esa 
kamayadi,  ya‘ni  manfiy  yarim  davrli  chiqish signali  shakllanadi.  Demak,  bunday 
kuchaytirgich bosqichi chiqish va kirish kuchlanish signallari orasida 180 
0
 ga faza 
siljishini amalga oshiradi. Kollektor toki Ik 
КИР
БЭ
K
U
S
U
S
I





. 
kattalikka ortadi. 
Chiqish kuchlanishi U
ChIQ
 esa 

---

 
 
59 
59 
K
КИР
K
K
R
U
S
R
I
U






2
. 
kattalikka kamayadi. 
Demak    kuchlanish  bo‗yicha  kuchaytirish  koeffisienti  (yuklama  mavjud 
bo‗lmaganda (I
Yu
=0)), quyidagiga teng 
K
КИР
ЧИК
U
SR
U
U
K





      (3.18) 
Masalan, agar R
K
 =5 kOm; 
Т

=25 mV; I
K
 k=1 mA; S= 40 mA/V,  u holda 
K
U
=-200. 
Kollektor toki faqat U
BE
 kuchlanishiga emas, balki  U
KE
 kuchlanishiga ham 
bog‗liq bo‗ladi. Bu bog‗liqlik differensial chiqish qarshiligi bilan xarakterlanadi 
K
E
K
КЭ
КЭ
I
U
dI
dU
r


     U
BE
  = const  bo‗lganda, 
 
Bu  yerda  proporsionallik  koeffisienti  U
E
  Erli  kuchlanishi.  U
E
  ning 
qiymatlari  kremniyli  n-p-n  tranzistorlar  uchun  80-200  V  atrofida  bo‗ladi.  r
KE
 
hisobiga  
)
//
(
КЭ
K
U
r
R
S
K


           (3.19) . 
 
Signal manbaiga nisbatan kuchaytirish bosqichi uchun kirish qarshiligi katta 
rol  o‗ynaydi.  Uning  qiymati  qancha  katta  bo‗lsa,  signal  manbai  shuncha  kam 
yuklanadi  va  shunchalik  yaxshi  kirish  bosqichiga  uzatiladi.    Kirish  zanjirini 
yuklamaga  ulangan  kuchlanish  manbai  ko‗rinishida  ifodalash  uchun  differensial