Elektronika va sxemotexnika

teskari aloqa deb ataladi. Ikkinchi holatda esa fazalar teskari bo‗lib, amplitudalar 
bir - biridan ayiriladi – bunday teskari aloqa manfiy teskari aloqa deb ataladi. 
Kuchaytirgichlarda  faqat  manfiy  teskari  aloqa  (MTA)  qo‗llaniladi.    MTA 
ning kiritilishi signal kuchayishini kamaytiradi, lekin parametrlarning barqarorligi 
ortadi va nochiziqli buzilishlar kamayadi. 
38  –  rasmda  manfiy  teskari  aloqali  bir  bosqichli  kuchaytirgich  sxemasi 
keltirilgan. 
 
 
 38 – rasm. 
 

---

 
 
61 
61 
Bu  yerda  MTA  emitter  zanjiriga  R
E
  rezistor  kiritilishi  bilan  amalga 
oshirilgan. Kirish kuchlanishi U
KIR
 ortishi bilan emitter toki ortadi, shu sababli R
E
 
rezistorda  kuchlanish  pasayishi  ham  ortadi: 
Э
Э
Э
R
I
U

,  chunki  baza-  emitter 
o‗tishida kuchlanish kirish kuchlanishiga nisbatan kichik bo‗ladi 
Э
КИР
БЭ
U
U
U


. 
Kirish va R
E
 rezistordagi kuchlanishilarning o‗zgarishi bir  - biriga teng deb 
hisoblash  mumkin,  ya‘ni  baza-emitter  kuchlanishi  o‗zarishi   
БЭ
U

ni  hisobga 
olmasa ham bo‗ladi. 
R
E
  orqali  oqib  o‗tayotgan  tok  R
K
  dan  ham  oqib  o‗tadi,  demak,  bu  tokning 
o‗zgarishi kolektordagi rezistorda emitterdagi rezistordagiga nisbatan 
/
K
Э
R
R
  marta 
katta kuchlanish ortishiga olib keladi 
Agar  
КИР
Э
U
U



ni inobatga olsak  
Э
K
КИР
ЧИК
U
R
R
U
U
K





. 
Bu ifodaga tranzistorning tokka bog‗liq bo‗lgan parametrlari kirmaydi. Shu 
sababli,  kollektor  toki  emitter  tokidan  ancha  farq  qilishini  hisobga  olsak,  MTA  li 
kuchaytirgichning  kuchlanish  bo‗yicha  kuchaytirish  koeffisienti  kam  miqdorda 
bo‗lsa ham tok qiymatiga bog‗liq bo‗ladi 
Э
K
U
SR
SR
K



1
. 
Kuchaytirgich  kirish  qarshiligi  qiymati
Э
БЭ
КИР
R
r
r



  MTA  hisobiga 
ortadi.  Chiqish  qarshiligi  esa  manfiy  teskari  aloqa  hisobiga  sekin  ortadi  va  R
K
 
qiymatiga intiladi.