Elektronika va sxemotexnika



Yüklə 1,87 Mb.
Pdf görüntüsü
səhifə12/110
tarix02.01.2022
ölçüsü1,87 Mb.
#47885
1   ...   8   9   10   11   12   13   14   15   ...   110
Elektronika va sxemotexnika

A
III
B
V
  bog„lanish  turlaridagi  yarim  o„tkazgichlar  va  shu  turdagi  yarim 
o„tkazgichli qotishmalar. 
Yarim  o‗tkazgichlarda  elektr  o‗tkazuvchanlikning  ikki:  elektron  (n)  va 
elektron-kovak  (p)  turi  mavjud  bo‗lib, ular  jismda  p-n  o‗tishini  vujudga  keltiradi. 
Bunday jismlarga katta va kichik quvvatga ega turli xildagi elektr to‗g‗rilagichlar, 
kuchaytirgich  va  generatorlar  misol  bo‗la  oladi.  Ulardan  boshqariladigan  turli  hil 
moslamalarda  keng  miqyosda  foydalaniladi.  Amalda  qo‗llanilayotgan  yarim 
o‗tkazgichlar,  asosan,  odiy  va  murakkab  xillarga  bo‗linadi.  Yarim  o‗tkazgichlar 
turli  ko‗rinishdagi  energiya  (issiqlik,  yorug‗lik)  ni  elektr  energiyasiga  aylantirib 
beradi.  Yarim  o‗tkazgichli  o‗tkazgichlarga  misol  tariqasida  quyosh  batareyasi  va 
termoelektrik  generatorlarni  keltirish  mumkin.  Past  o‗zgarmas  kuchlanishdagi 
rekombinasiyali chaqnash nur uzatish manbai va hisoblash mashinalaridan axborot 
chaqirish qurilmalarida ishlatiladi. 
Yarim  o‗tkazgichlarni  isitkich  asboblarda,  radioaktivli  nur  indikatorlarda  va 
magnit  maydon  kuchlanganligini  o‗lchashda  foydalaniladi.  Hozirgi  davrda 


 
 
17 
17 
shishasimon  va  suyuq  yarim  o‗tkazgichlar  o‗rganilmoqda.  Oddiy  yarim 
o‗tkazgichlardan texnikada keng qo‗llaniladiganlariga kremniy va germaniy kiradi. 
Murakkab  yarim  o‗tkazgichlar  Mendeleyev  davriy  sistemasidagi  turli  gurux 
elementlari birikmasidan, masalan: A
III
 B
V
  (InSb, CaAs,Cap), A
II
 B
VI
  (CdS, ZnSe) 
elementlari  birikmasidan,  shuningdek,  ba‘zi  oksidlar  (Cu
2
O)  dan  iborat.  Yarim 
o‗tkazgichli  kompozisiyalarga  (tirit,  silit),  sopol  bilan  birikkan  kremniy  karbidi 
(SiC) va grafitli yarim o‗tkazgichlar misol bo‗la oladi. 
Yarim o‗tkazgich ishlatilgan asbob uskunalar xizmat muddatining yuqoriligi, 
hajm  va  og‗irligiga  nisbatan  kichikligi,  oddiy  ishonchli  ishlashi,  iqtisodiy 
samaradorligi va boshqa sifatlari bilan ajralib turadi. 
A
III
  B
V
  birikmalari  komponentlari  vakuum  yoki  inert  gaz  muhitida  o‗zaro 
ta‘sir ettirish yo‗li orqali olinadi. Tozalangan birikmaning erish harorati uni tashkil 
etuvchi komponentlarning erish haroratidan yuqoriroq bo‗ladi. 
A
III
 B
V
 birikmalari u yoki bu turdagi yarim o‗tkazgich asboblarini tayyorlash 
uchun  muxim  material  hisoblanadi.  Bunday  birikmalarga  fosfatlar,  arsenidlar  va 
antimonidlar  kiradi.  Bularning  ichida  amalda  eng  ko‗p  qo‗llaniladigani  galliy 
arsenidi va fosfidi hamda indiy antimonididir. 
Galliy  arsenidi  taqiqlangan  zonasining  kengligi  1,43  eV  bo‗lib, 
elektronlarning  harakatchanligi  Ge  va  Si  nikidan  yuqoriroq  bo‗ladi.  Galliy 
arsenididagi  kovaklarning  harakchanligi  Si  –  dagi  teshiklarning  siljuvchanligiga 
yaqin.  Bu  materialning  akseptorlari  sifatida  rux,  qadimiy,  misdan  foydalaniladi, 
donorlari  sifatida  esa  S,  selen,  tellur  va  davriy  sistemadagi  VI  gurux  elementlari 
olinadi. 

Yüklə 1,87 Mb.

Dostları ilə paylaş:
1   ...   8   9   10   11   12   13   14   15   ...   110




Verilənlər bazası müəlliflik hüququ ilə müdafiə olunur ©azkurs.org 2024
rəhbərliyinə müraciət

gir | qeydiyyatdan keç
    Ana səhifə


yükləyin