Elektronika va sxemotexnika

o‘tish  deb  ataladi.  Ko‗p  sonli  yarim  o‗tkazgichli  asboblar  va  integral 
mikrosxemalarning ishlash prinsipi p-n o‗tish xossalariga asoslangan. 
P-n  o‗tish  hosil  bo‗lish  mexanizmini  ko‗rib  chiqamiz.  Soddalik    uchun,  n–
sohadagi elektronlar va r– sohadagi kovaklar sonini teng olamiz. Bundan tashqari, 
har  bir  sohada  uncha  katta  bo‗lmagan  asosiy  bo‗lmagan  zaryad  tashuvchilar 
miqdori  mavjud.  Xona  temperaturasida  r–turdagi  yarim  o‗tkazgichda  akseptor 
manfiy  ionlarining  konsentratsiyasi  N
a
  kovaklar  konsentratsiyasi  p
p
  ga,  n–turdagi 
yarim  o‗tkazgichda  donor  musbat  ionlarining  konsentratsiyasi  N
d
  elektronlar 
konsentratsiyasi n
n
 ga  teng bo‗ladi. Demak,   p- va n–sohalar o‗rtasida  elektronlar 
va  kovaklar  konsentratsiyasida  sezilarli  farq  mavjudligi  tufayli,  bu  sohalar 
birlashtirilganda elektronlarning p –sohaga, kovaklarning esa n-sohaga diffuziyasi 
boshlanadi. 
Diffuziya natijasida n– soha chegarasida elektronlar konsentratsiyasi musbat 
donor  ionlari  konsentratsiyasidan  kam  bo‗ladi  va  bu  soha  musbat  zaryadlana 
boshlaydi.  Bir  vaqtning  o‗zida  r-soha  chegarasidagi  kovaklar  konsentratsiyasi 
kamayib  boradi  va  u  akseptor  kiritmasi  bilan  kompensatsiyalangan  ion  zaryadlari 
hisobiga  manfiy  zaryadlana  boshlaydi  (10  –rasm).  Musbat  va  manfiy  ishorali 
aylanalar mos ravishda donor va akseptor ionlarini tasvirlaydi. 
Hosil bo‗lgan ikki hajmiy zaryad qatlami p-n o‗tish deb ataladi. Bu qatlam 
harakatchan zaryad tashuvchilar bilan kambag‗allashtirilgan. Shuning uchun uning 
solishtirma  qarshiligi  p-  va    n–soha  qarshiliklariga  nisbatan  juda  katta.  Ba‘zi 
adabiyotlarda bu qatlam kambag‘allashgan yoki i – soha deb ataladi. 
Hajmiy  zaryadlar  turli  ishoralarga  ega  bo‗ladilar  va  p-n  o‗tishda 
kuchlanganligi 
E

ga  teng  bo‗lgan    elektr  maydon  hosil  qiladilar.  Asosiy  zaryad 
tashuvchilar uchun bu maydon tormozlovchi bo‗lib ta‘sir ko‗rsatadi va ularni p-n 
o‗tish  bo‗ylab  erkin  harakat  qilishlariga  qarshilik  ko‗rsatadi.  10  b-rasmda  o‗tish 
yuzasiga perpendikulyar bo‗lgan, X o‗qi bo‗ylab potensial o‗zgarishi ko‗rsatilgan. 
Bu vaqtda nol potensial sifatida chegaraviy soha potensiali qabul qilingan. 

---

 
 
29 
29 
 
 
 
 10 – rasm. p-n o‘tish. 
 
Rasmdan  ko‗rinib  turibdiki,  r-n  o‗tishda  voltlarda  ifodalanadigan  kontakt