Elektronika va sxemotexnika

Bipolyar tranzistor fizik parametrlari. Tok bo‗yicha 

 va

koeffisientlar 
statik parametrlar hisoblanadi, chunki ular o‗zgarmas toklar nisbatini ifodalaydilar. 
Ulardan tashqari tok o‗zgarishlari nisbati bilan ifodalanidigan differensial 
kuchaytirish koeffisientlari ham keng qo‗llaniladi. Ctatik va differensial 

kuchaytirish koeffisientlari bir biridan farq qiladilar, shu sababli  talab qilingan 
hollarda ular ajratiladi. Tok bo‗yicha kuchaytirish  koeffisientining kollektordagi 
kuchlanishga bog‗liqligi Erli effekti bilan tushuntiriladi. 
UE sxemasi uchun tok bo‗yicha differensial kuchaytirish koeffisienti  
Б
K
dI
dI


temperaturaga  bog‗liq  bo‗lib  baza  sohasidagi  asosiy  bo‗lmagan  zaryad 
tashuvchilarning  yashash  vaqtiga    bog‗liqligi  bilan  tushuntiriladi.  Temperatura 
ortishi bilan rekombinatsiya jarayonlari sekinlashishi sababli, odatda tranzistorning 
tok bo‗yicha kuchaytirish koeffisientining ortishi kuzatiladi. 
Tranzistor  xarakteristikalarining  temperaturaviy  barqaror  emasligi  asosiy 
kamchilik hisoblanadi. 
Yuqorida ko‗rib o‗tilgan tok bo‗yicha uzatish koeffisientidan tashqari, fizik 
parametrlarga  o‗tishlarning  differensial  qarshiliklari,  sohalarning  hajmiy 
qarshiliklari,  kuchlanish  bo‗yicha  teskari  aloqa  koeffisientlari  va  o‗tish  hajmlari 
kiradi. 
Tranzistorning  emitter  va  kollektor  o‗tishlari  o‗zining  differensial 
qarshiliklari  bilan  ifodalanadilar.  Emitter  o‗tish  to‗g‗ri  yo‗nalishda  siljiganligi 
sababli, uning differensial qarshiligi r
E
 ni (2.6) ifodani qo‗llab aniqlash mumkin: 
Э
Т
Э
ЭБ
Э
I
dI
dU
r



,   (3.10). 
bu yerda  I
E
 – tokning doimiy tashkil etuvchisi. U kichik qiymatga ega (tok 1 
mA bo‗lganda r
E
=20-30 Om ni tashkil etadi) bo‗lib, tok ortishi bilan kamayadi va 
temperatura ortishi bilan ortadi. 
Tranzistorning  kollektor  o‗tishi  teskari  yo‗nalishda  siljiganligi  sababli,  I
K
 
toki  U
KB
  kuchlanishiga  kuchsiz  bog‗liq  bo‗ladi.  Shu  sababli  kollektor  o‗tishning 
differensial  qarshiligi
K
KБ
K
dI
dU
r

=1Mom  bo‗ladi.  r
K
  qarshiligi  asosan  Erli  effekti 
bilan tushuntiriladi va odatda u ishchi toklarning ortishi bilan kamayadi. 
Baza  qarshiligi  r
B
  bir  necha  yuz  Omni  tashkil  etadi.  Yetarlicha  katta  baza 
tokida baza qarshiligidagi kuchlanish pasayishi baza va emittter tashqi chiqishlari 
kuchlanishiga nisbatan emitter o‗tishdagi  kuchlanishni kamaytiradi. 
Kichik  quvvatli  tranzistorlar  uchun  kollektor  qarshiligi  o‗nlab  Om,  katta 
quvvatliklariniki esa birlik Omlarni tashkil etadi. 
Emittter  soha  qarshiligi  yuqori  kiritmalar  konsentratsiyasi  sababli  baza 
qarshiligiga nisbatan juda kichik. 

---

 
 
50 
50 
UB  sxemadagi  kuchlanish  bo‗yicha  teskari  aloqa  koeffisienti  (I
E
  =    const 
bo‗lganida) 
КБ
ЭБ
УБ
dU
U
d


kabi  aniqlanadi,  UE  sxemasida  esa  (I
B
  =    const 
bo‗lganida) 
КЭ
БЭ
УЭ
dU
U
d


orqali  aniqlanadi.  Koeffisientlar  absolyut  qiymatlariga 
ko‗ra deyarli bir – xil bo‗ladilar va  konsentratsiya va tranzistorlarning tayyorlanish 
texnologiyasiga ko‗ra 
УЭ

= 10
-2
 -10
-4
 ni tashkil etadilar. 
Bipolyar  tranzistorlarning  xususiy  xossalari  asosiy  bo‗lmagan  zaryad 
tashuvchilarning  baza  orqali  uchib  o‗tish  vaqti  va  o‗tishlarning  to‗siq 
sig‗imlarining qayta zaryadlanish vaqti bilan aniqlanadilar. Bu ta‘sirlarning nisbiy 
ahamiyati  tranzistor  konstruksiyasi  va  ish  rejimiga,  hamda  tashqi  zanjir 
qarshiliklariga bog‗liq bo‗ladi. 
Juda  kichik  kirish  signallari  va  aktiv  ish  rejimi  uchun  bipolyar  tranzistorni 
chiziqli  to‗rtqutblik  ko‗rinishida  ifodalash  mumkin  va  bu  to‗rtqutblikni  biror 
parametrlar  tizimi  bilan  belgilash  mumkin.  Bu  parametrlarni  h–parametrlar  deb 
atash  qabul  qilingan.  Ularga  quyidagilar  kiradi:  h
11
  –  chiqishda  qisqa  tutashuv 
bo‗lgan  vaqtdagi    tranzistorning  kirish  qarshiligi;  h
12
  –  uzilgan  kirish  holatidagi 
kuchlanish  bo‗yicha  teskari  aloqa  koeffisienti;  h
21
  –chiqishda  qisqa  tutashuv 
bo‗lgan  vaqtdagi  tok  bo‗yicha  kuchaytirish  (uzatish)  koeffisienti;  h
22
  –uzilgan 
kirish  holatidagi  tranzistorning  chiqish  o‗tkazuvchanligi.  Barcha  h  –  parametrlar 
oson va bevosita o‗lchanadi. 
Elektronika  bo‗yicha  avvalgi  adabiyotlarda  kichik  signalli  parametrlarning 
chastotaviy  bog‗liqliklariga  juda  katta  e‘tibor  qaratilgan.  Hozirgi  vaqtda  10  GGs 
gacha  bo‗lgan  chastotalarda  normal  ishni  ta‘minlaydigan  tranzistorlar  ishlab 
chiqarilmoqda.  Bunday  xollarda  talab  qilinayotgan  chastota  xarakteristikalarini 
olish uchun ma‘lumotnomadan kerakli tranzistor turini tanlash kerak.