ikki qutbli yoki
bir qutbli tranzistorlar ishlatiladi.
Kuchaytirish quyidagicha amalga oshiriladi. Boshqariladigan element (tranzistor) ning kirish
zanjiriga kirish signalining kuchlanishi (
U kir ) beriladi. Bu kuchlanish ta’sirida kirish zanjirida kirish toki
hosil bo‘ladi. Bu kichik kirish toki chiqish zanjiridagi tokda o‘zgaruvchan tashkil etuvchini hamda
boshqariladigan elementning chiqish zanjiridagi kirish zanjiridagi kuchlanishdan ancha katta bo‘lgan
o‘zgaruvchan kuchlanishni hosil qiladi. Boshqariladigan elementning kirish zanjiridagi tokning chiqish
zanjiridagi tokka ta’siri qancha katta bo‘lsa, kuchaytirish xususiyati shuncha kuchliroq bo‘ladi. Bundan
tashqari chiqish tokining chiqish kuchlanishiga ta’siri qancha katta bo‘lsa (ya’ni
R i katta), kuchaytirish
shuncha kuchliroq bo‘ladi.
17.2. Umumiy emitterli (UE) kuchaytirish kaskadining sxemasi. 17.2- rasmda umumiy emitterli (UE) kuchaytirish kaskadining sxemasi ko‘rsatilgan.
Sxema, asosan, kaskadning yuqori chiqish qarshiligini kichik qarshilikli iste’molchi bilan moslash
uchun ishlatiladi va emitterli takrorlagich deb ataladi. Umumiy bazali (UB) sxema bo‘yicha yig‘ilgan
kaskadning kirish qarshiligi kichik bo‘lib, kuchlanish va quvvat bo‘yicha kuchaytirish imkoniyatiga ega.
Bunda
K I 1 . Chiqishdagi kuchlanishning qiymati katta bo‘lishi talab etilganda, mazkur kaskaddan
foydalaniladi. Ko‘pincha, umumiy emitterli (UE) sxema bo‘yicha yig‘ilgan kaskadlar ishlatiladi.
241
17.2 – rasm. Umumiy emitterli (UE) kuchaytirish kaskadining sxemasi.
Bunda kaskad tokni ham kuchlanishni kuchaytirish imkoniyatiga ega. Kuchaytirish kaskadining
asosiy zanjiri tranzistor (VT), qarshilik
