Elektrotexnika va elektronika asoslari

24-Mavzu boyicha o’quvchilarning bilimlarini tekshirish uchun na’munaviy savollari.
1.Tranzistorning tuzilishi va ishlash prinsipi
2. Tranzistorning asosiy xarakteristikasi
3.Tranzistorlarning parametrlari
4. MT deb nimaga aytiladi va nima uchun uni unipolyar tranzistor deb ham atashadi?
5.MT laming turlarini keltiring ?
6. MTlaming kanali, zatvori, istoki, stoki va asosini qanday tushunasiz?
7. p-n o'tish bilan boshqariluvchi M T ishlash prinsipini tushuntiring.
8. M T tokiga zatvordagi va istokdagi kuchlanishlar qanday la ’sir ко ‘rsatadi?
9. MTlaming ulanish sxemalarini aytib bering?
10. Kanali qurilgan MDY — tranzistorning ishlash prinsipi nimadan iborat?
11. Kanali induksiyalangan MDY — tranzistorning ishlash prinsipi nimadan iborat?
12. Kanali induksiyalangan M DY — tranzistorlar statik VAXlari xususiyatlarini ayting.

M avzu: 24- Trаnzistоrlаr tuzilishi, ishlаshi, tаvsifnоmаsi. 1.Trаnzistоrlаr tuzilishi, ishlаshi, tаvsifnоmаsi, dipistоrlаr, trаnzistоrlаr, yarim o'tkаzgichli аsbоblаrning belgilаri. 2.Fоtоeffekt xоdisаsi vа qоnunlаri, tаshqi fоtоeffektli fоtоelementlаr, tuzilishi, ishlаsh jаrаyoni, tаvsiflаri.


REJA:
1.Tranzistorning tuzilishi va ishlash prinsipi
2. Tranzistorning asosiy xarakteristikasi
3.Tranzistorlarning parametrlari
Tranzistorlar ikkita elektron-kovak o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan elektr o‘zgartiruvchi yarim o‘tkazgichli asbob bo‘lib,elektron sxemalarda elektr signallarini kuchaytirish uchun, harxil chastotali elektr signallarini hosil qilish uchun va elektrsignallarini bir shakldan ikkinchi shaklgaaylantirish uchun ishlatiladi.
Hozirgi vaqtda tranzistorlarning har xil turlari mavjud,ular quvvatiga qarab, ishchi chastotasiga qarab, tayyorlanishtexnologiyasiga qarab va ishlash prinsipiga qarab ajralibturadilar.
Quvvat bo‘yicha ular uch guruhga bo‘linadilar:
Kam quvvatli tranzistorlar — 0,3 Vt gacha;
O‘rta quvvatli tranzistorlar — 0,3 dan to 1,5 Vt gacha;
Quvvatli tranzistorlar — 1,5 Vt dan yuqori.
Ishchi chastotasi bo‘yicha:
Past chastotada ishlovchi tranzistorlar — (3 MGs gacha);
O‘rta chastotada ishlovchi tranzistorlar — (3 MGs dan to 30 MGs gacha);
Yuqori chastotada ishlovchi tranzistorlarga (300 MGs dan yuqori) bo‘linadilar.
Tranzistorlar elektron-kovak o‘tkazuvchanlikka qarab bir,ikki, uch va ko‘p o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan tranzistorlargabo‘linadilar.
Texnologik ishlab chiqarish jarayoni bo‘yicha quymatranzistorlar, diffuzion tranzistorlar, kristallarni o‘stirib hosilqilish orqali hosil qilinadigan tranzistorlarga bo‘linadilar.
Tokni hosil qiluvchi zaryadlarga qarab ular p-n-p tipli(asosiy zaryad tashuvchilar — kavaklar) van-p-n tipli (asosiyzaryad tashuvchilar — elektronlar) tranzistorlarga bo‘linadilar. Tranzistor uchta soxadan iborat yarim o‘tkazgichli asbobdir. O’rta qismi baza deb deb atalib aralashma kontsentratsiyasi chetki qismlariga nisbatan kam va yupka bo‘ladi. Baza kalinligi L_Б elektron yoki kovakning rekombinatsiyalashgunga kadar erkin yugurib o’tgan masofasi L_д ga nisbatan kichik L_БД.bo’lsa yupka baza deb yuritiladi. L_Д shuningdek, diffo’ziya siljish uzunligi deb ham ataladi. Chetki qismlaridan biri emitter, ikkinchisi kollektor deb ataladi. Tranzistorning to’zilishi triodga kiyoslansa, emitter – katodga, baza- turga, kollektor - anodga uxshatiladi.
Emitter degan nom elektronlar bazaga purkaladi in’ektsiya, ya’ni injektsiyalanadi degan ma’noni anglatadi. Mana shu xususiyati bilan elektron lampadagi katoddan termoelektron emissiya xodisasi tufayli elektronlar hosil bo’lishi orasidagi farq tushuntiriladi. Tranzistor va vakuumli triod ishlash printsipi jihatidan ham farqqiladi. Triodda turga kuchlanish berilsa ham, anod toki hosil bo‘ladi. Tranzistorda esa baza toki bo’lmasa, kollektor toki ham bo’lmaydi. Diskret tranzistorda r-n o’tishlar yarim o‘tkazgichli plastinaning qarama – qarshi tomonlarida joylashgan. O’tishlari bir tomonga joylashgan tranzistorlar ham mavjud. Bunday tranzistorlar integral tranzistorlar deb ataladi. Emitter soxasida aralashma miqdori ko‘proq bo‘ladi. Kollektor zaryad tashuvchilarni ekstraktsiyalash (sugurib olish) vazifasini bajaradi.
Tranzistorning bazasi n yoki рo’tkazuvchanlikka ega bo’lishi mumkin. Shunga ko’ra chetki qismlari р yoki n o’tkazuvchanlikka ega bo‘ladi. Demak, tranzistor р – n - р yoki n- р- n strukturali bo‘ladi. Tranzistorda ikkita р-n o’tish mavjud. Buni xisobga olgan holda tranzistorni ketma–ket ulangan ikkita boglangan diod sifatida qarash mumkin. Uning chetki uchlariga kuchlanish ulanganda r-n o’tishlarning biri to’g’rio’tish bo‘lsaikkinchisi teskari bo’lganligidan xar ikkala yo’nalishda ham sistemadan tok o’tmaydi. Tranzistorni ikkita tok manbaiga ulaylik. K kalit Ochiq bo‘lganda emitter zanjirida tok bo’lmaydi.

Kollektorzanjiridaesaozmiqdordateskariр-no’tishtoki( I_кБт,т- teskaridemak) bo‘ladi. K- kalitulangandaemitterzanjiridatokhosilbo‘ladi.
ChunkiЕ_э. manbakuchlanishiemitter – bazayo‘nalishidato’g’riр-no’tishhosilqiladi. Bundako‘pchilikkovaklaremitterdanbazagao’tgandaL_Б>L_Д. bo’lganligidankollektoro‘tishigayetibboradi. Natijada kollektor toki ortadi. Umuman olganda tranzistorning asosiy xossasi bazada borayotgan jarayonlar bilan belgilanadi. Bazada chet moddalar taksimlanishi natijasida unda asosiy bo‘lmagan zaryadlarni emitterdan kollektorga o‘tishiga yordam beruvchi elektr maydon bo‘lsabunday tranzistor dreyfli tranzistor deyiladi. Agar bazada xususiy maydon bo’lmasa, asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilar baza orqali asosan diffo’ziya tufayli utsa bunday tranzistor dreyfsiz tranzistor deb ataladi.Tranzistorning chikish xarakteristikasida I_э = 0. ga mos kelgan xarakteristika K kalit Ochiqbo’lgan holni ifodalaydi. Harakteristikadan ko’rinadiki kollektor - bazaga quyilgan manfiy kuchlanish qiymati ortishi bilan tokning sezilarli darajada ortishi kuzatilmaydi. Buni tushuntirish uchun tranzistorning potentsial diagrammasi bilan tanishib chikaylik. Unda tranzistorning zaryadlarga kambagallashgan soxalari ham ko‘rsatilgan. Emitter va kollektor soxalarida zaryadlangan zarrachalar kontsentratsiyasi katta bo’lganligidan kambagal soxa asosan baza katlamida bo’lib, ikki soxa orasidagi masofa ya’ni bazaning effektiv kalinligi baza kalinligidan kichik bo‘ladi. Kollektordagi manfiy kuchlanishning ortishi kollektor o‘tishidagi kambagal katlamning kengayishiga olib keladi. Natijada bazaning effektiv kalinligi kamayadi. Bu xodisa baza kalinligining modulyatsiyasi deb ataladi.

Emittertokifakatkovaklarxarakatitufaylihosilbo’lmasdanelektronlarxarakatibilanhambog’liq. Kollektorda esa tok fakat kovaklar xarakati tufayli vujudga keladi. Shu sababli emitterning samadorligi

 =I_эр/ I_эр+ I_эн
orqali aniklanadi. Bu yerda I_эр - kovaklar xarakati tufayli hosil bo’lgan emitter toki; I_эн -. elektronlar xarakati tufayli hosil bo’lgan emitter toki.

Emitterning bazaga injektsiyalangan (purkalgan) bir qism kovaklar bazadan asosiy zaryad tashuvchilar – elektronlar bilan rekombinatsiyalanadi. Baza orqali o‘tib boruvchi kovaklar, baza uchun asosiy bo‘lmagan tok tashuvchi zarrachalar xisoblanadi. Quyidagi  = I_к- I_КБТ./ I_эрnisbat bilan aniklanadigan kattalik baza orqali utuvchi asosiy bo‘lmagan zaryad tushuvchilarni o’tkazish koefftsenti deb yuritiladi.Emitterning samaradorligi va o’tkazish koeffitsiyenti tranzistor katta signal bilan ishlagandagi tok uzatish koefftsenti.h_21Б. ni belgilaydi.
Bu koeffitsent h_21Б= = - da teng. Kollektorga kirib keluvchi tok yo‘nalishi musbat yo‘nalishi musbat yo’nalish deb qabo’l qilinganligidan «minus» ishora quyiladi. h21B koeffitsiyenti tranzistorning muxim parametrlaridan biri xisoblanib sifatli tayorlangan tranzistorlarda birga yakin bo‘ladi. Tranzistorni zanjirga ulash umumiy bazali(UB) sxema deb yuritiladi. Bu sxema bo’yichaЕ_ЭБ va Е_КБ manbaalarning ulanish usuliga ko’ra tratzistorlar turli rejimda ishlashi mumkin.
Shulardan tranzistor aktiv rejimda ishlaganda undan utuvchi tokni boshkarish samarali bo‘ladi.
Umuman olganda tranzistorlar zanjirga uch xil usulda ulanishi mumkin. Е₁ va Е₂. batariyalar hosil kilinadigan tok zanjirida emitter xar ikkalasi uchun umumiydir. Shu sababli bunday ulash umumiy emitterli sxema deb yuritiladi. Xuddi shunday umumiy kollektorli sxemalarni ham to’zish mumkin. Tranzistorlardan signallarni kuchaytirish, impulsli sxemalar to’zish va x larda foydalanish mumkin. Shu sababli tranzistorlarlarga signal ta’sir ettirilganda uning parametirlari qanday o‘zga rishga aloxida ahamiyat beriladi.

Tranzistorlarga kichik signal ta’sir ettirilganda uni chiziqli aktiv nosimmetrik turt kutbli deb qarash mumkin. Kichik signal ta’sir ettirish deyilganda signal amplitudasi 1,5 barabor orttirilganda tranzistor parametrlari 10 % dan ko‘p ga ortmaydigan hol kuzda tutiladi. Shunda turt kutbli parametrlarni xisoblash usulini kullash mumkin. Odatda tranzistorlarning h parametrlarini UB va UE sxemalari uchun xisoblanadi. Bu sxemalar yordamida topilgan parametrlar o‘zaro quyidagicha boglangan. ;

h_11бh_11э/ 1+h_{21э 2б}h_12б h_11э h_22э / 1+ h_21э
h_21б h_21э/ 1+h_21э ; h_22б h_22э / 1+ h_21э
Shularning eng ko‘p ishlatiladigan UB sxemada h_12б= -  = I_к/ I_э_{Uкбсоnst}
va UEsxema uchun h_21э= -  = I_к/ I_б_{Uкэсоnst}
Bo’lib ular o‘zaro quyidagicha boglangan  =  / 1- 
Tranzistordan utuvchi toklarni kuchlanishga bog’liqligi statik volt - amper xarakteristikalari orqali ifodalanadi. Ular kirish va chikish xarakteristikalariga ajratiladi. Kirish xarakteristikasi deyilganda chikish zanjirining kuchlanishi o‘zgarmas saklangan holda, kirish zanjiridagi tokning kirish kuchlanishiga bog’liqlik grafigi tushuniladi.
Tranzistordan kuchaytirgich sifatida foydalanilganda umumiy emitterli sxemada signalni kuchlanish bo’yicha 10-200 marta kuchaytirish mumkin. Shu sabali UE sxema boshkalariga nisbatan ko‘prok kullaniladi. Lekin UE sxemada qarshiligi 500-1000 Om, chikish qarshiligi 2-20 kOM atrofida bo‘ladi.
Kirish qarshiligi kichik bo’lganida boshka ko’rilmalarga moslash davrida kiyinchiliklar tugiladi. UK sxemada kuchlanish bo’yicha kuchaytirish UE niki bilan bir xil. UB sxemada tok bo’yicha kuchaytirish bir atrofida kuchlanish bo’yicha kuchaytirish UE niki kabi bo‘ladi. Kirish qarshiligi bu sxemada juda kichik 10-200 Om atrofida bo’lganligidan ko‘pincha elektr signallarini generatsiyalash va shunga uxshash ko’rilmalarda ishlatiladi.

O’QUVCHILARNING O’ZLASHTIRISHINI BAHOLASH MYEZONLARI

Mavzu: Trаnzistоrlаr tuzilishi, ishlаshi, tаvsifnоmаsi. 1.Trаnzistоrlаr tuzilishi, ishlаshi, tаvsifnоmаsi, dipistоrlаr, trаnzistоrlаr, yarim o'tkаzgichli аsbоblаrning belgilаri. 2.Fоtоeffekt xоdisаsi vа qоnunlаri, tаshqi fоtоeffektli fоtоelementlаr, tuzilishi, ishlаsh jаrаyoni, tаvsiflаri.