«elektrotexnika va sxematexnika» fanidan

Mukammal operatsion kuchaytirgich

Ba'zi bir bo'lmagan nomuvofiqlik parametrlari modellashtirilgan operatsion kuchaytirgichning ekvivalent pallasi
Mukammal operatsion kuchaytirgich har qanday kirish kuchlanishida ishlashi mumkin va quyidagi xususiyatlarga ega:

• 
  Fikr-mulohazaning ochiq fikrlari bilan olingan daromad cheksizlikka teng (nazariy tahlilda, cheksizlikka intilib, olning ochiq fikrlari) bilan koeffitsienti kuzatilmoqda).
  
• 
  Chiqish kuchlanishlari oralig'i cheksizdir (amaliyotda, chiqish kuchlanish darajasi - V va V-s-) ta'minotining qiymati bilan cheklangan.
  
• 
  Cheksiz keng tarmoqli kengligi (i.e., amplitudas chastotasi xarakteri nol fazali smenali kvartiraga o'xshaydi).
  
• 
  Cheksiz katta kirish qarshiligi (r ink \u003d ∞, V + I) oqimi oqmaydi).
  
• 
  Nol kiritish oqimi (i.e., oqim oqimlari va liya oqimlari yo'qligi).
  
• 
  Nol tarafkash kuchlanish, i.e. Kirishlar V + \u003d V -, virtual nol (virtual nol (v virtual nol) bo'lganida (v virtual \u003d 0) mavjud.
  
• 
  Chiqish paytida kuchlanishning ortib borayotgan kuchlanish darajasi (i.e.) ishlab chiqarish kuchlanishining tezligi cheklanmagan) va cheklangan katta oqim (kuchlanish va oqim barcha chastotalarda cheklanmagan).
  
• 
  Nol chiqishning chidamliligi (r tashqariga \u003d 0, shuning uchun chiqish joriy o'zgarganda chiqish kuchlanish o'zgarmaydi).
  
• 
  O'z shovqinining yo'qligi.
  
• 
  Cheksiz signal signallarining katta darajada bo'lish.
  
• 
  Ta'minot kuchlariga pul o'tkazmalarini zararsizlantirishning cheksiz ko'proq darajada.
  

Birinchi qoida salbiy fikrlar bilan bog'liq bo'lgan diagrammaga kiritilgan ish kuchaytirgiga tegishli. Ushbu qoidalar odatda birinchi yaqinlashuvda ishlaydigan kuchaytirgichlar bilan sxemalarni tahlil qilish va loyihalash uchun ishlatiladi.


1.3 Maydonli va maydonsiz tranzistorlar ishlash pirinsiplari
Tranzistor (inglizcha: transfer — koʻchirmoq va rezistor) — elektr tebranishlarni kuchaytirish, generatsiyalash (hosil qilish) va oʻzgartirish uchun moʻljallangan 3 elektrodli yarimoʻtkazgich asbob hamda mikroelektronika qurilmalarining asosiy elementi.
Tranzistorlar tuzilishi, ishlash prinsipi va parametrlariga koʻra 2 ta sinfga ajratiladi — bipolyar va maydoniy (unipolyar) tranzistorlar. Bipolyar tranzistorlarda ikkala turdagi (p-tipli va n-tipli) oʻtkazuvchanlikka ega boʻlgan yarimoʻtkazgichlar ishlatiladi. Bipolyar tranzistor, oʻzaro yaqin joylashgan p-n oʻtish hisobiga ishlaydi va baza-emitter oʻtishi orqali tokni boshqaradi. Maydoniy tranzistorlarda faqat bir turdagi (n-tipli yoki p-tipli) yarimoʻtkazgichlar ishlatiladi. Bunday tranzisorlarning bipolyar tranzistorlardan asosiy farqi shundaki, ular kuchlanishni boshqaradi, tokni emas. Kuchlanishni boshqarish zatvor va istok orasidagi kuchlanishni oʻzgartirish orqali amalga oshiriladi.
Hozirgi kunda analog texnikalar olamida bipolyar tranzistorlar (BT) (xalqaro atama — BJT, Bipolar Junction Transistor) asosiy oʻrinni egallagan. Raqamli texnikalar sohasida esa, aksincha maydoniy tranzistorlar bipolyar tranzistorlarni siqib chiqargan. Oʻtgan asrning 90-yillarida, hozirgi davrda ham elektronikada keng miqyosda qoʻllanilayotgan bipolyar-maydoniy tranzistorlarning gibrid koʻrinishi — IGBT ishlab chiqildi.
1956-yilda tranzistor effektini tadqiq qilgani uchun William Shockley, John Bardeen va Walter Brattain fizika boʻyicha Nobel mukofoti bilan taqdirlanishgan.
1980-yilga kelib, oʻzining kichik oʻlchamlari, barqaror ishlashi, iqtisodiy jihatdan arzonligi hisobiga tranzistorlar elektronika sohasidan elektron lampalarni siqib chiqardi. Shuningdek, kichik kuchlanish va katta toklarda ishlay olish qobiliyati tufayli, elektromagnit rele va mexanik uzib-ulagichlarga ehtiyoj qolmadi.