Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni



Yüklə 11,09 Mb.
Pdf görüntüsü
səhifə48/63
tarix18.05.2020
ölçüsü11,09 Mb.
#31289
1   ...   44   45   46   47   48   49   50   51   ...   63
Конференция - физика-PDFга


КРЕМНИЙДА 

𝑶 + 𝑴𝒏 КОМПЛЕКСЛАРНИНГ ҲОСИЛ БЎЛИШИ  

 

Сражев С.Н., Тошбоев Т.У., Неъматов О.С. Самарқанд Давлат университети 

 

Кремнийда кислород  (O) ва мис (Cu) киришмалари ўртасида  ўзаро кимёвий боғланган, 



электр жиҳатдан нейтрал комплексларнинг ҳосил бўлиши [1] ишида кўрсатилган. Кремний (Si

тақиқланган  зонасида  O  ҳам,  Cu  ҳам  донорли  энергетик  сатҳ  ҳосил  қилишига  қарамасдан, 

маълум бир термодинамик шароитларда кимёвий боғланган комплексларнинг ҳосил бўлишига 

иштирок  этиши  ва  намуна  бошланғич  Si  параметрларини  эгаллаши  аниқланган.  Si  да  ҳосил 

бўлувчи  бундай  комплексларнинг  табиатини,  структурасини  ва  ўзаро  боғланиш 

механизмларини  янада  тўлароқ  ўрганиш  мақсадида  электр  жиҳатдан  ўта  фаол  бўлган  O 

киришмаси билан Mn киришмалари ўртасидаги ўзаро таъсирлашув тадқиқ қилинди. 

Бошланғич  материал  сифатида  Чохрал  усули  билан  ўстирилган  КДБ-10  маркали  Si 

монокристали танлаб олинди. Si даги O концентрацияси оптик усул билан 

(𝜆 = 9,1𝑚𝑘𝑚, 𝑁

𝑂

2

=



(5 ÷ 7) ∙ 10

−3

)  аниқланган.  Mn  киришмаси  Si  га  вакуум  (10



-4

  мм.сим.уст)  шароитида  1050-

1250

 ℃ ҳарорат оралиғида 50 ℃ қадам билан диффузия йўли билан легирланди. Ҳосил бўлган 



𝑆𝑖 < 𝐵, 𝑂, 𝑀𝑛 > намуналари параметрларини солиштириш учун ҳар сафар  𝑆𝑖 < 𝐵, 𝑂 > синов 

намуналари  ҳам  биргаликда  бир  хил  шароитда  қиздирилди.  Намуналар  параметрлари  Холл 

эффекти ёрдамида ўлчанди. 

(

𝑂 + 𝑀𝑛) комплекслар концентрациясини ҳисоблаш учун 𝑆𝑖 < 𝐵, 𝑂, 𝑀𝑛 > системаси учун 



электронейтраллик  тенгламаси  тузилди.  Адабиётлардан  маълумки,  O 

𝑆𝑖  нинг  тақиқланган 

зонасида 

𝐸

𝑑1



= 𝐸

𝐶

− 0,05 ва 𝐸



𝑑2

= 𝐸


𝐶

− 0,15 энергетик сатҳларни ҳосил қилади 

𝑁

𝐵



+ 𝑛

0

= 𝑃(𝐸



𝑑1

) + 𝑃(𝐸


𝑑2

) + 𝑃


0

,  


бу ерда 

𝑃(𝐸


𝑑1

) =


𝑁

𝑑1

2𝑒



𝐹−𝐸𝑑1

𝑘𝑇

+1



,   

𝑃(𝐸


𝑑2

) =


𝑁

𝑑2

2𝑒



𝐹−𝐸𝑑2

𝑘𝑇

+1



 

𝐸

𝑑1



  ва 

𝐸

𝑑2



  сатҳлардаги  электронлар  сони.  Ўтказувчанлик  зонасидаги  электронлар  ва 

валент  зонасидаги  коваклар  сонини  Холл  эффекти  ёрдамида  олинган  натижалардан 

фойдаланиб Ферми сатҳини аниқланди: 

𝑛 -турдаги яримўтказгичлар учун 𝐹 = 𝐸

𝑣

+ 𝑘𝑇𝑙𝑛


𝑁

𝑣

𝑝



𝑝 

–турдаги  яримўтказгичлар  учун  эса  F 



= 𝐸

𝐶

− 𝑘𝑇𝑙𝑛



𝑁

𝑐

𝑛



𝑁

𝐶



= 2,8 ∙ 10

19

 𝑠𝑚



−3

-  ўтказувчанлик 

зонасидаги  эффектив  ҳолатлар  зичлиги; 

𝑁

𝑣



=1,1∙ 10

19

𝑠𝑚



−3

  -валент  зонасидаги  эффектив 

ҳолатлар зичлиги; 

𝑘 −Больцман доимийси. 

Юқорида  келтирилган  формулалардан  фойдаланиб, 

𝑆𝑖 < 𝐵, 𝑂 >  намуна  учун  1- 

жадвалдаги натижаларга эга бўламиз. 

1-жадвал 

𝑻

𝑶

𝑪 



𝒑

𝒐,

𝒏



𝒐

, см


−𝟑

 

𝐹, эВ 

𝒇

𝒅𝟏

 



𝒇

𝒅𝟐

 

𝑵

𝒐,

см



−𝟑

 

1000 


1.73

∙ 10


15

 

𝐸



𝑐

− 0.835 


0.9997 

0.000176 

2.7

∙ 10


14

 

1100 



1.78

∙ 10


14

 

𝐸



𝑐

− 1.135 


0.2235 

0.000055 

1.82

∙ 10


15

 

1150 



9.6

∙ 10


13

 

𝐸



𝑐

− 1.247 


0.9999 

0.000078 

1.9

∙ 10


15

 

1200 



3.6

∙ 10


13

 

𝐸



𝑐

− 1.403 


0.9999 

0.0000024 

1.96

∙ 10


15

 

1250 



2.68

∙ 10


13

 

𝐸



𝑐

− 1.403 


0.9999 

0.0000019 

1.973

∙ 10


15

 

𝑆𝑖 < 𝐵, 𝑂, 𝑀𝑛 >  намунаси  учун  электронейтраллик  тенгламасини  тузамиз.  Mn  𝑆𝑖 



тақиқланган зонасида 

𝐸

𝑐



− 0.53 𝑒𝑉 [2] энергетик сатҳ ҳосил қилади. 

“Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”.  Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr.

 

321 


 

𝑝

𝑜



+ (2 − (𝑓

𝑑1

+ 𝑓



𝑑2

)) ∙ (𝑁


𝑂

− 𝑁


𝑘)

+ (1 − 𝑓


𝑑3

) ∙ (𝑁


𝑀𝑛

− 𝑁


𝑘

)= 𝑁


𝐵

+



𝑛

𝑜

  



Бу тенгламадан фойдаланиб 

𝑁

𝑘



 (𝑂 + 𝑀𝑛) концентрациясини ҳисоблаймиз: 

𝑁

𝑘



=

(2−(𝑓


𝑑1

+𝑓

𝑑2



))∙𝑁

𝑜

+(1−𝑓



𝑑3

)∙𝑁


𝑀𝑛

+ 𝑝


𝑜

− 𝑁


𝐵

−𝑛



𝑜

3−(𝑓


𝑑1

+𝑓

𝑑2



+𝑓

𝑑3

)



 

2-жадвал 

𝑻

𝑶

𝑪 



𝒑

𝒐,

𝒏



𝒐

, см


−𝟑

 

𝐹, эВ 

𝒇

𝒅𝟑

 



𝑵

𝑴𝒏,


см

−𝟑

 

𝑵

𝒌,

см



−𝟑

 

1000 


4.17

∙ 10


13

 

𝐸



𝑐

− 1.16 


0.99936 

2

∙ 10



15

 

0.45



∙ 10

14

 



1100 

0.52


∙ 10

13

 



𝐸

𝑐

− 1.47 



0.9999 

1.81


∙ 10

15

 



4.6

∙ 10


14

 

1150 



1.04

∙ 10


14

 

𝐸



𝑐

− 1.24 


0.9980 

3.07


∙ 10

15

 



1.124

∙ 10


15

 

1200 



1.04

∙ 10


12

 

𝐸



𝑐

− 1.77 


0.9999 

2

∙ 10



15

 

1.06



∙ 10

15

 



1250 

0.74


∙ 10

12

 



𝐸

𝑐

− 1.88 



0.9999 

1.99


∙ 10

15

 



0.158

∙ 10


14

 

2-жадвалда  келтирилган  қийматлар  ёрдамида 



𝑆𝑖 < 𝐵, 𝑂, 𝑀𝑛 > намунасидаги  𝑂 + 𝑀𝑛 

комплекслар  концентрациясининг  температурага  боғлиқлик  графиги  келтирилган  (1-расм). 

Расмдан  кўриниб  турибдики,  температуранинг  Т=1150

0

С  қийматида 



𝑂 + 𝑀𝑛  комплекслар 

максимал қийматга эришар экан.  

 

1-расм.


 𝑆𝑖 < 𝐵, 𝑂, 𝑀𝑛 > намунасидаги 𝑂 + 𝑀𝑛 комплексларининг температурага боғлиқлиги. 

Adabiyotlar 

1. Srajev S.N., Toshboyev T.U., Kamarov M. Kremniyda mis va kislorod kirishmalari o‘rtasidagi 

o‘zaro ta’sirlashuvni o‘rganish. SamDU yosh olimlar konferensiyasi 2014. 

2. Болтакс Б.И., Бахадырханов М.К., Городецкий С.М., Куликов Г.С. Компенсированный 

кремний. Наука, Л. 1972, С. 120.  

 

KOGERENT POTENTSIAL METODI ASOSIDA AMORF Cu

x

Ti

1-x

 QOTISHMALARDA 

XOLL KOEFFITSENTINI HISOBLASH 

 

D.X.Imamnazarov (SamDU).O.I.Boliyev (SamDU 2-kurs magistr) 

 

Maqsadga yo’naltirilgan yangi materiallarni hosil qilishda ular tarkibiga kiruvchi elementlarning 



elektron  strukturasi  hamda  kinetik  hossalarini  bilish  juda  muhim  ahamyatga  ega.  Ayniqsa  termo-

E.Yu.K va Xoll koeffitsenti kattaliklari qotishmalarning elektron strukturasiga juda sezgir bo’ladi. Bu 

effektlarni o’rganish qotishmalarning elektron strukturasi haqida zarur ma’lumotlarni beradi. Shuning 

uchun ushbu ishda kogerent potensiallar metodi amorf holatdagi 

𝐶𝑢

𝑥

𝑇𝑖



1−𝑥

 qotishmalarning elektron 

strukturasi,  solishtirma  qarshiligi  va  Xoll  koeffitsentini  hisoblash  uchun  tadbiq  qilinadi  va  tajriba 

natijalari bilan taqqoslanadi. 

Bizga ma’lumki, Bolsmanning kinetik tenglamasiga asoslangan erkin elektronlar modelida Xoll 

koeffisiyenti  ishorasi  har  doim  manfiy  bo’ladi.  Haqiqatdan  ham,  tajribada  bunday  holat  amorf  va 

kristall  holatdagi  oddiy  metal  qotishmalarda  kuzatiladi,  ammo  o’tkinchi  metallar  asosidagi 

0

2E+14



4E+14

6E+14


8E+14

1E+15


1,2E+15

1,4E+15


1000

1050


1100

1150


1200

1250


T, 

o

C

Si

N





sm

-3


“Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”.  Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr.

 

322 


 

qotishmalarda Xoll koeffitsenti musbat ishoraga ega bo’lib, qotishmalarda konsentratsiya o’zgarishi 

bilan Xoll koeffisienti ishorasi ham o’zgarishi mumkinligi hamda juda kichik bo’lsada tempraturaga 

bog’liqligi kuzatilgan [1]. 

Xoll  koeffitsentining 

𝑅

0



  musbat  ishoraga  ega  bo’lish  sababini  tushuntirish  uchun  nazariy 

jihatdan  turli  xil  qarashlar  ishlab  chiqilgan.  Shunday  nazariyalardan  biri  bu  kogerent  potential 

metodidir  [2].  Bu  nazariya  asosida  ikki  zonali  umumlashtirilgan 

𝑠𝑑 − model  tarkibiga  zonalararo 

tezlikning  matritsa  elementlari 

𝜐

𝑆𝑑



  hamda 

𝑠 −zonadagi sochilish potensialini e’tiborga olgan holda 

quyidagi umumiy ifodalarga ega bo’lamiz [3,4]:  

𝑅

0



=

𝜎

𝑥𝑦



(𝐵)

𝜎

𝑥𝑥



2

𝐵

, 𝜌 =



1

𝜎

𝑥𝑥



,            

 

 



  (1) 

𝜎

𝑥𝑥



(𝜀

𝐹

) = 𝜎



𝑥𝑥

𝑠𝑠

(𝜀



𝐹

) + 𝜎


𝑥𝑥

𝑑𝑑

(𝜀



𝐹

) + 2𝜎


𝑥𝑥

𝑠𝑑

(𝜀



𝐹

) + 2 (𝜎


𝑥𝑥

𝑠𝑑

(𝜀



𝐹

))



     (2) 

𝜎

𝑥𝑥



𝑠𝑠

(𝜀

𝐹



) = 2𝜎

0



(𝜔

𝑠

2



− 𝐸

2

)



3

2



𝑑𝐸[Г

𝑠𝑠

(𝐸; 𝜀



𝐹

)]

2



𝜔

𝑠

−𝜔



𝑠

       


𝜎

𝑥𝑥

𝑑𝑑



(𝜀

𝐹

) = 10𝛼



2

𝜎 ∫


(𝜔

𝑠

2



𝜔

𝑠



−𝜔

𝑠

𝐸



2

)

3



2

𝑑𝐸[Г



𝑑𝑑

(𝐸; 𝜀


𝐹

)]

2



 

𝜎

𝑥𝑥



𝑠𝑑

(𝜀

𝐹



) = √20𝛼𝜎

0

∫ (𝜔



𝑠

2

− 𝐸



2

)

3



2

𝑑𝐸[Г



𝑠𝑑

(𝐸; 𝜀


𝐹

)]

2



𝜔

𝑠

−𝜔



𝑠

 

(𝜎



𝑥𝑥

𝑠𝑑

(𝜀



𝐹

))



= √20 (

𝛾

𝜔



𝑠

)

2



𝜎

0

∫ (𝜔



𝑠

2

− 𝐸



2

)

3



2

𝑑𝐸[Г



𝑠𝑠

(𝐸; 𝜀


𝐹

)]

𝜔



𝑠

−𝜔

𝑠



𝑑𝑑

(𝐸; 𝜀



𝐹

)]

+ 2√20 (



𝛾

𝜔

𝑠



) 𝜎

0

∫ (𝜔



𝑠

2

− 𝐸



2

)

3



2

𝑑𝐸[Г



𝑠𝑠

(𝐸; 𝜀


𝐹

)][[Г


𝑠𝑑

(𝐸; 𝜀


𝐹

)]

𝜔



𝑠

−𝜔

𝑠



+ 2√20 (

𝛾

𝜔



𝑠

) 𝛼𝜎


0

∫ (𝜔


𝑠

2

− 𝐸



2

)

3



2

𝑑𝐸[Г



𝑑𝑑

(𝐸; 𝜀


𝐹

)][[Г


𝑠𝑑

(𝐸; 𝜀


𝐹

)]

𝜔



𝑠

−𝜔

𝑠



 

(𝜎

𝑥𝑥



𝑠𝑑

(𝜀

𝐹



))

= √20 (



𝛾

𝜔

𝑠



)

2

𝜎



0

∫ (𝜔


𝑠

2

− 𝐸



2

)

3



2

𝑑𝐸[Г



𝑠𝑠

(𝐸; 𝜀


𝐹

)]

𝜔



𝑠

−𝜔

𝑠



𝑑𝑑

(𝐸; 𝜀



𝐹

)]

+ 2√20 (



𝛾

𝜔

𝑠



) 𝜎

0

∫ (𝜔



𝑠

2

− 𝐸



2

)

3



2

𝑑𝐸[Г



𝑠𝑠

(𝐸; 𝜀


𝐹

)][[Г


𝑠𝑑

(𝐸; 𝜀


𝐹

)]

𝜔



𝑠

−𝜔

𝑠



+ 2√20 (

𝛾

𝜔



𝑠

) 𝛼𝜎


0

∫ (𝜔


𝑠

2

− 𝐸



2

)

3



2

𝑑𝐸[Г



𝑑𝑑

(𝐸; 𝜀


𝐹

)][[Г


𝑠𝑑

(𝐸; 𝜀


𝐹

)]

𝜔



𝑠

−𝜔

𝑠



 

𝜎

0



=

4𝑣

𝑚



2

𝑒

2



3𝜋

2



Ω𝜔

𝑠

4



 , 

𝜀

𝑑



(𝑘) = 𝛼𝜀

𝑠

(𝑘)(𝛼 < 1). 



𝜎

𝑥𝑦

(𝜀



𝐹

) = 𝜎


𝑥𝑥

𝑠𝑠

(𝜀



𝐹

) + 𝜎


𝑥𝑦

𝑑𝑑

(𝜀



𝐹

) + 2𝜎


𝑥𝑦

𝑠𝑑

(𝜀



𝐹

) + 2 (𝜎


𝑥𝑦

𝑠𝑑

(𝜀



𝐹

))



       (3) 

𝜎

𝑥𝑦



𝑠𝑠

(𝜀

𝐹



) = 2𝜎

𝐻



(𝜔

𝑠

2



− 𝐸

2

)



5

2



𝑑𝐸[ℱ

𝑠𝑠

(𝐸; 𝜀



𝐹

)]

2



      

𝜔

𝑠



−𝜔

𝑠

  



𝜎

𝑥𝑦

𝑠𝑑



(𝜀

𝐹

) = √20𝛼𝜎



𝐻

∫ (𝜔


𝑠

2

− 𝐸



2

)

5



2

𝑑𝐸[ℱ



𝑑𝑑

(𝐸; 𝜀


𝐹

)]

2    



  

𝜔

𝑠



−𝜔

𝑠

 



“Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”.  Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr.

 

323 


 

(𝜎

𝑥𝑦



𝑠𝑑

(𝜀

𝐹



))

= 2√20 (



𝛾

𝜔

𝑠



) 𝜎

𝐻

∫ (𝜔



𝑠

2

− 𝐸



2

)

5



2

𝑑𝐸 {



𝜕

2

𝑅



𝑆𝑑

(𝐸; 𝜀


𝐹

)

𝜕𝐸



2

𝑠𝑠



(𝐸; 𝜀

𝐹

) + 𝛼Г



𝑑𝑑

(𝐸; 𝜀


𝐹

)]

𝜔



𝑠

−𝜔

𝑠



+

𝜕𝑅

𝑆𝑑



(𝐸; 𝜀

𝐹

)



𝜕𝐸

[

𝜕Г



𝑠𝑠

(𝐸; 𝜀


𝐹

)

𝜕𝐸



+ 𝛼

𝜕Г

𝑑𝑑



(𝐸; 𝜀

𝐹

)



𝜕𝐸

]}

+ (2√20𝛼



𝛾

2

𝑎



2

2



9𝜎

𝐻

𝑣



𝑚

2

) ∫ (𝜔



𝑠

2

− 𝐸



2

)

5



2

𝑑𝐸 {Г



𝑠𝑑

(𝐸; 𝜀


𝐹

) [


𝜕𝑅

𝑆𝑆

(𝐸; 𝜀



𝐹

)

𝜕𝐸



𝜔

𝑠

−𝜔



𝑠

+

𝜕𝑅



𝑑𝑑

(𝐸; 𝜀


𝐹

)

𝜕𝐸



]}

+ (√20𝛼


𝛾

2

𝑎



2

𝜔

𝑠



9𝜎

𝐻

𝑣



𝑚

2

) ∫ (𝜔



𝑠

2

− 𝐸



2

)

5



2

𝑑𝐸



𝜔

𝑠

−𝜔



𝑠

𝑠𝑠



(𝐸; 𝜀

𝐹

)



𝜕𝑅

𝑑𝑑

(𝐸; 𝜀



𝐹

)

𝜕𝐸



+ +𝛼Г

𝑑𝑑

(𝐸; 𝜀



𝐹

)

𝜕𝑅



𝑠𝑠

(𝐸; 𝜀


𝐹

)

𝜕𝐸



} ℱ

𝛼𝛽

(𝐸; 𝜀



𝐹

)

= Г



𝛼𝛽

(𝐸; 𝜀


𝐹

)

𝜕



2

𝑅

𝛼𝛽



(𝐸; 𝜀

𝐹

)



𝜕𝐸

2

+



𝜕𝑅

𝛼𝛽

(𝐸; 𝜀



𝐹

)

𝜕𝐸



𝜕Г

𝛼𝛽

(𝐸; 𝜀



𝐹

)

𝜕𝐸



  

Г

𝛼𝛽



(𝐸; 𝜀

𝐹

)  va  𝑅



𝛼𝛽

(𝐸; 𝜀


𝐹

)  mos  ravshda  Grin  funksiyasining  𝐺

𝛼𝛽

(𝐸; 𝜀


𝐹

)  mavhum  va  haqiqiy 

qismlari, 

𝜎

𝐻



 – doimiy kattalik bo’lib, u quyidagiga teng:  

𝜎

𝐻



=

2𝑣

𝑚



4

𝑒

3



2

𝐵



9𝜋

3

𝐶Ω𝑣



𝑆

6

      



𝐶𝑢

𝑥

𝑇𝑖



1−𝑥

  qotishmalarning  elektron  strukturasini  hisoblash  uchun  qotishma  tarkibiga  kiruvchi 

mis 

(𝐶𝑢) va titan (𝑇𝑖) elementlari s− va 𝑑 − zonalarining yarim kengliklari 𝑊 va ularning og’irlik 



markazlari 

𝜀  hamda  gibridizatsiya  𝛾  parametrlari  sonli  hisoblashlarni  amalga  oshirishda  birlamchi 

parametrlar bo’lib, ular quyida keltirilgan [2]: 

Modda 


𝑊

𝑑

 



𝑊

𝑠

 



𝜀

𝑑

 



𝜀

𝑠

 



𝛾 

𝐶𝑢 


3.1 

17.6 


-10.1 

-8.2 


1.2 

𝑇𝑖 


4.3 

10.0 


-2.6 

-4.6 


1.0 

  

 



 

 

 



1-rasm.  Cu

50

Ti



50

  amorf  qotishmasi 

uchun  solishtirma  elektr  o’tkazuv-

chanlik diagonal tashkil etuvchila-rining 

energiyaga bog’lanishi 

 

2-rasm.  Cu



50

Ti

50



  amorf  qotishmasi  uchun 

solishtirma  elektr  o’tkazuv-chanlikning  

nodiagonal 

elementi 

partsial 

tashkil 


etuvchilarining energiyaga bog’liqligi  

“Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”.  Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr.

 

324 


 

Cu

50



Ti

50

 amorf qotishmasi uchun solishtirma 



elektr  o’tkazuvchanlik  partsial  va  natijaviy 

qiymatlarining 

Fermi 

energiyasi 



sathidan 

bo’g’liqlik  grafigi  1-rasmda,  solishtirma  elektr 

o’tkazuvchanlik 

tenzorining 

nodiagonal 

elementlari  tashkil  etuvchilarining  energiyaga 

bog’liqligi grafigi 2-rasmda va Xoll doimiysining 

konsentratsiyaga 

bog’liqligi 

esa 


3-rasmda 

keltirilgan. Shuni alohida ta’kidlab o’tish lozimki, 

partsial  tashkil  etuvchilar  juda  ham  murakkab 

energetik  bog’lanishlarga  ega  bo’lib,  ular 

elektronlar holat zichligining energetik bog’lanishi 

bilan  mos  tushmaydi.  Xoll  koeffisientining 

qiymati  va  ishorasi  s-holatning  tashkil  etuvchisi 

𝜎

𝑥𝑦



𝑠𝑠

  va  gibridizatsion 

𝜎

𝑥𝑦

𝑠𝑑



  va  (

𝜎

𝑥𝑦



𝑠𝑑

)



 tashkil 

etuvchilarning 

qiymatlari 

bilan 


aniqlanadi. 

Yig’indi  Holl  o’tkazuvchanligi  σ



xy 

va  Xoll  koeffisientining  R

Fermi  sathi  energiyasi  yoki 



konsentrasiya  o’zgarishi  bilan  ishorasining  o’zgarishi  o’tkazuvchanlikning  tezlikning  zonalararo 

matrisa elementlari orqali aniqlanuvchi tashkil etuvchisi (

𝜎

𝑥𝑦

𝑠𝑑



)

 ning 



𝜎

𝑥𝑦

𝑠𝑠



 va 

𝜎

𝑥𝑦



𝑠𝑑

 tashkil etuvchilariga 

qaraganda turli xil energetik bog’lanishga hamda qarama-qarshi ishoraga ega ekanligi hisobiga amalga 

oshiriladi.  Bu  esa  Xouson-Morganlarning  o’tkinchi  metallar  asosidagi  amorf  qotishmalarda  Xoll 

koeffisientining  ishora  o’zgarishi  sd-gibridizatsiya  effekti  tufayli  yuz  beradi  degan  konsepsiyasiga 

muvofiq keladi.  

Ushbu  mavzuni  taklif  qilgan  hamda  natijalarni  tahlil  qilishda  qimmatli  maslahatlarini  bergan 

A.B.Granovsky va O.Q.Quvondiqovga o’z minnatdorchiligimni bildiraman. 

Foydalanilgan adabiyotlar: 

1. M.A.Howson, B.L.Gallagher. The electron transport properties of metallic glasses. Phys.Rep. 

– 1988. v.170, №5. - P.265 

2. Эренрейх Г., Шварц Л. Электронная структура сплавов - М.:Мир, 1979.  

3. Грановский А.Б., Имамназаров Д.Х., Халилов И.Х. Электросопротив-ление и эффект 

Холла  неупорядоченных  сплавов  Au

x

Ag

1-x



  в  s-d  модели  (приближение  когерентного 

потенциала). – ФММ, 1991, №7. – С.25 

4.  Ведяев  А.В,  Грановский  А.Б,  Халилов  И.Х.,  Имамназаров  Д.Х,  Ниналалов  С.А., 

Гехтман М.М. Электросопротивление и эффект Холла аморфных сплалов Сu

x

Zr

1-x 



в s-d модели 

(приближение когерентного локатора). – Вестник МГУ, Сер.3. физ.-астрон., 1991, Т.32. №5 – 

С.61 

 


Yüklə 11,09 Mb.

Dostları ilə paylaş:
1   ...   44   45   46   47   48   49   50   51   ...   63




Verilənlər bazası müəlliflik hüququ ilə müdafiə olunur ©azkurs.org 2024
rəhbərliyinə müraciət

gir | qeydiyyatdan keç
    Ana səhifə


yükləyin