КРЕМНИЙДА
𝑶 + 𝑴𝒏 КОМПЛЕКСЛАРНИНГ ҲОСИЛ БЎЛИШИ
Сражев С.Н., Тошбоев Т.У., Неъматов О.С. Самарқанд Давлат университети
Кремнийда кислород (O) ва мис (Cu) киришмалари ўртасида ўзаро кимёвий боғланган,
электр жиҳатдан нейтрал комплексларнинг ҳосил бўлиши [1] ишида кўрсатилган. Кремний (Si)
тақиқланган зонасида O ҳам, Cu ҳам донорли энергетик сатҳ ҳосил қилишига қарамасдан,
маълум бир термодинамик шароитларда кимёвий боғланган комплексларнинг ҳосил бўлишига
иштирок этиши ва намуна бошланғич Si параметрларини эгаллаши аниқланган. Si да ҳосил
бўлувчи бундай комплексларнинг табиатини, структурасини ва ўзаро боғланиш
механизмларини янада тўлароқ ўрганиш мақсадида электр жиҳатдан ўта фаол бўлган O
киришмаси билан Mn киришмалари ўртасидаги ўзаро таъсирлашув тадқиқ қилинди.
Бошланғич материал сифатида Чохрал усули билан ўстирилган КДБ-10 маркали Si
монокристали танлаб олинди. Si даги O концентрацияси оптик усул билан
(𝜆 = 9,1𝑚𝑘𝑚, 𝑁
𝑂
2
=
(5 ÷ 7) ∙ 10
−3
) аниқланган. Mn киришмаси Si га вакуум (10
-4
мм.сим.уст) шароитида 1050-
1250
℃ ҳарорат оралиғида 50 ℃ қадам билан диффузия йўли билан легирланди. Ҳосил бўлган
𝑆𝑖 < 𝐵, 𝑂, 𝑀𝑛 > намуналари параметрларини солиштириш учун ҳар сафар 𝑆𝑖 < 𝐵, 𝑂 > синов
намуналари ҳам биргаликда бир хил шароитда қиздирилди. Намуналар параметрлари Холл
эффекти ёрдамида ўлчанди.
(
𝑂 + 𝑀𝑛) комплекслар концентрациясини ҳисоблаш учун 𝑆𝑖 < 𝐵, 𝑂, 𝑀𝑛 > системаси учун
электронейтраллик тенгламаси тузилди. Адабиётлардан маълумки, O
𝑆𝑖 нинг тақиқланган
зонасида
𝐸
𝑑1
= 𝐸
𝐶
− 0,05 ва 𝐸
𝑑2
= 𝐸
𝐶
− 0,15 энергетик сатҳларни ҳосил қилади
𝑁
𝐵
−
+ 𝑛
0
= 𝑃(𝐸
𝑑1
) + 𝑃(𝐸
𝑑2
) + 𝑃
0
,
бу ерда
𝑃(𝐸
𝑑1
) =
𝑁
𝑑1
2𝑒
𝐹−𝐸𝑑1
𝑘𝑇
+1
,
𝑃(𝐸
𝑑2
) =
𝑁
𝑑2
2𝑒
𝐹−𝐸𝑑2
𝑘𝑇
+1
𝐸
𝑑1
ва
𝐸
𝑑2
сатҳлардаги электронлар сони. Ўтказувчанлик зонасидаги электронлар ва
валент зонасидаги коваклар сонини Холл эффекти ёрдамида олинган натижалардан
фойдаланиб Ферми сатҳини аниқланди:
𝑛 -турдаги яримўтказгичлар учун 𝐹 = 𝐸
𝑣
+ 𝑘𝑇𝑙𝑛
𝑁
𝑣
𝑝
,
𝑝
–турдаги яримўтказгичлар учун эса F
= 𝐸
𝐶
− 𝑘𝑇𝑙𝑛
𝑁
𝑐
𝑛
,
𝑁
𝐶
= 2,8 ∙ 10
19
𝑠𝑚
−3
- ўтказувчанлик
зонасидаги эффектив ҳолатлар зичлиги;
𝑁
𝑣
=1,1∙ 10
19
𝑠𝑚
−3
-валент зонасидаги эффектив
ҳолатлар зичлиги;
𝑘 −Больцман доимийси.
Юқорида келтирилган формулалардан фойдаланиб,
𝑆𝑖 < 𝐵, 𝑂 > намуна учун 1-
жадвалдаги натижаларга эга бўламиз.
1-жадвал
𝑻
𝑶
𝑪
𝒑
𝒐,
𝒏
𝒐
, см
−𝟑
𝐹, эВ
𝒇
𝒅𝟏
𝒇
𝒅𝟐
𝑵
𝒐,
см
−𝟑
1000
1.73
∙ 10
15
𝐸
𝑐
− 0.835
0.9997
0.000176
2.7
∙ 10
14
1100
1.78
∙ 10
14
𝐸
𝑐
− 1.135
0.2235
0.000055
1.82
∙ 10
15
1150
9.6
∙ 10
13
𝐸
𝑐
− 1.247
0.9999
0.000078
1.9
∙ 10
15
1200
3.6
∙ 10
13
𝐸
𝑐
− 1.403
0.9999
0.0000024
1.96
∙ 10
15
1250
2.68
∙ 10
13
𝐸
𝑐
− 1.403
0.9999
0.0000019
1.973
∙ 10
15
𝑆𝑖 < 𝐵, 𝑂, 𝑀𝑛 > намунаси учун электронейтраллик тенгламасини тузамиз. Mn 𝑆𝑖
тақиқланган зонасида
𝐸
𝑐
− 0.53 𝑒𝑉 [2] энергетик сатҳ ҳосил қилади.
“Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”. Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr.
321
𝑝
𝑜
+ (2 − (𝑓
𝑑1
+ 𝑓
𝑑2
)) ∙ (𝑁
𝑂
− 𝑁
𝑘)
+ (1 − 𝑓
𝑑3
) ∙ (𝑁
𝑀𝑛
− 𝑁
𝑘
)= 𝑁
𝐵
−
+
𝑛
𝑜
Бу тенгламадан фойдаланиб
𝑁
𝑘
(𝑂 + 𝑀𝑛) концентрациясини ҳисоблаймиз:
𝑁
𝑘
=
(2−(𝑓
𝑑1
+𝑓
𝑑2
))∙𝑁
𝑜
+(1−𝑓
𝑑3
)∙𝑁
𝑀𝑛
+ 𝑝
𝑜
− 𝑁
𝐵
−
−𝑛
𝑜
3−(𝑓
𝑑1
+𝑓
𝑑2
+𝑓
𝑑3
)
2-жадвал
𝑻
𝑶
𝑪
𝒑
𝒐,
𝒏
𝒐
, см
−𝟑
𝐹, эВ
𝒇
𝒅𝟑
𝑵
𝑴𝒏,
см
−𝟑
𝑵
𝒌,
см
−𝟑
1000
4.17
∙ 10
13
𝐸
𝑐
− 1.16
0.99936
2
∙ 10
15
0.45
∙ 10
14
1100
0.52
∙ 10
13
𝐸
𝑐
− 1.47
0.9999
1.81
∙ 10
15
4.6
∙ 10
14
1150
1.04
∙ 10
14
𝐸
𝑐
− 1.24
0.9980
3.07
∙ 10
15
1.124
∙ 10
15
1200
1.04
∙ 10
12
𝐸
𝑐
− 1.77
0.9999
2
∙ 10
15
1.06
∙ 10
15
1250
0.74
∙ 10
12
𝐸
𝑐
− 1.88
0.9999
1.99
∙ 10
15
0.158
∙ 10
14
2-жадвалда келтирилган қийматлар ёрдамида
𝑆𝑖 < 𝐵, 𝑂, 𝑀𝑛 > намунасидаги 𝑂 + 𝑀𝑛
комплекслар концентрациясининг температурага боғлиқлик графиги келтирилган (1-расм).
Расмдан кўриниб турибдики, температуранинг Т=1150
0
С қийматида
𝑂 + 𝑀𝑛 комплекслар
максимал қийматга эришар экан.
1-расм.
𝑆𝑖 < 𝐵, 𝑂, 𝑀𝑛 > намунасидаги 𝑂 + 𝑀𝑛 комплексларининг температурага боғлиқлиги.
Adabiyotlar
1. Srajev S.N., Toshboyev T.U., Kamarov M. Kremniyda mis va kislorod kirishmalari o‘rtasidagi
o‘zaro ta’sirlashuvni o‘rganish. SamDU yosh olimlar konferensiyasi 2014.
2. Болтакс Б.И., Бахадырханов М.К., Городецкий С.М., Куликов Г.С. Компенсированный
кремний. Наука, Л. 1972, С. 120.
KOGERENT POTENTSIAL METODI ASOSIDA AMORF Cu
x
Ti
1-x
QOTISHMALARDA
XOLL KOEFFITSENTINI HISOBLASH
D.X.Imamnazarov (SamDU).O.I.Boliyev (SamDU 2-kurs magistr)
Maqsadga yo’naltirilgan yangi materiallarni hosil qilishda ular tarkibiga kiruvchi elementlarning
elektron strukturasi hamda kinetik hossalarini bilish juda muhim ahamyatga ega. Ayniqsa termo-
E.Yu.K va Xoll koeffitsenti kattaliklari qotishmalarning elektron strukturasiga juda sezgir bo’ladi. Bu
effektlarni o’rganish qotishmalarning elektron strukturasi haqida zarur ma’lumotlarni beradi. Shuning
uchun ushbu ishda kogerent potensiallar metodi amorf holatdagi
𝐶𝑢
𝑥
𝑇𝑖
1−𝑥
qotishmalarning elektron
strukturasi, solishtirma qarshiligi va Xoll koeffitsentini hisoblash uchun tadbiq qilinadi va tajriba
natijalari bilan taqqoslanadi.
Bizga ma’lumki, Bolsmanning kinetik tenglamasiga asoslangan erkin elektronlar modelida Xoll
koeffisiyenti ishorasi har doim manfiy bo’ladi. Haqiqatdan ham, tajribada bunday holat amorf va
kristall holatdagi oddiy metal qotishmalarda kuzatiladi, ammo o’tkinchi metallar asosidagi
0
2E+14
4E+14
6E+14
8E+14
1E+15
1,2E+15
1,4E+15
1000
1050
1100
1150
1200
1250
T,
o
C
Si
N
k
,
sm
-3
“Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”. Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr.
322
qotishmalarda Xoll koeffitsenti musbat ishoraga ega bo’lib, qotishmalarda konsentratsiya o’zgarishi
bilan Xoll koeffisienti ishorasi ham o’zgarishi mumkinligi hamda juda kichik bo’lsada tempraturaga
bog’liqligi kuzatilgan [1].
Xoll koeffitsentining
𝑅
0
musbat ishoraga ega bo’lish sababini tushuntirish uchun nazariy
jihatdan turli xil qarashlar ishlab chiqilgan. Shunday nazariyalardan biri bu kogerent potential
metodidir [2]. Bu nazariya asosida ikki zonali umumlashtirilgan
𝑠𝑑 − model tarkibiga zonalararo
tezlikning matritsa elementlari
𝜐
𝑆𝑑
hamda
𝑠 −zonadagi sochilish potensialini e’tiborga olgan holda
quyidagi umumiy ifodalarga ega bo’lamiz [3,4]:
𝑅
0
=
𝜎
𝑥𝑦
(𝐵)
𝜎
𝑥𝑥
2
𝐵
, 𝜌 =
1
𝜎
𝑥𝑥
,
(1)
𝜎
𝑥𝑥
(𝜀
𝐹
) = 𝜎
𝑥𝑥
𝑠𝑠
(𝜀
𝐹
) + 𝜎
𝑥𝑥
𝑑𝑑
(𝜀
𝐹
) + 2𝜎
𝑥𝑥
𝑠𝑑
(𝜀
𝐹
) + 2 (𝜎
𝑥𝑥
𝑠𝑑
(𝜀
𝐹
))
′
(2)
𝜎
𝑥𝑥
𝑠𝑠
(𝜀
𝐹
) = 2𝜎
0
∫
(𝜔
𝑠
2
− 𝐸
2
)
3
2
⁄
𝑑𝐸[Г
𝑠𝑠
(𝐸; 𝜀
𝐹
)]
2
𝜔
𝑠
−𝜔
𝑠
𝜎
𝑥𝑥
𝑑𝑑
(𝜀
𝐹
) = 10𝛼
2
𝜎 ∫
(𝜔
𝑠
2
−
𝜔
𝑠
−𝜔
𝑠
𝐸
2
)
3
2
⁄
𝑑𝐸[Г
𝑑𝑑
(𝐸; 𝜀
𝐹
)]
2
𝜎
𝑥𝑥
𝑠𝑑
(𝜀
𝐹
) = √20𝛼𝜎
0
∫ (𝜔
𝑠
2
− 𝐸
2
)
3
2
⁄
𝑑𝐸[Г
𝑠𝑑
(𝐸; 𝜀
𝐹
)]
2
𝜔
𝑠
−𝜔
𝑠
(𝜎
𝑥𝑥
𝑠𝑑
(𝜀
𝐹
))
′
= √20 (
𝛾
𝜔
𝑠
)
2
𝜎
0
∫ (𝜔
𝑠
2
− 𝐸
2
)
3
2
⁄
𝑑𝐸[Г
𝑠𝑠
(𝐸; 𝜀
𝐹
)]
𝜔
𝑠
−𝜔
𝑠
[Г
𝑑𝑑
(𝐸; 𝜀
𝐹
)]
+ 2√20 (
𝛾
𝜔
𝑠
) 𝜎
0
∫ (𝜔
𝑠
2
− 𝐸
2
)
3
2
⁄
𝑑𝐸[Г
𝑠𝑠
(𝐸; 𝜀
𝐹
)][[Г
𝑠𝑑
(𝐸; 𝜀
𝐹
)]
𝜔
𝑠
−𝜔
𝑠
+ 2√20 (
𝛾
𝜔
𝑠
) 𝛼𝜎
0
∫ (𝜔
𝑠
2
− 𝐸
2
)
3
2
⁄
𝑑𝐸[Г
𝑑𝑑
(𝐸; 𝜀
𝐹
)][[Г
𝑠𝑑
(𝐸; 𝜀
𝐹
)]
𝜔
𝑠
−𝜔
𝑠
(𝜎
𝑥𝑥
𝑠𝑑
(𝜀
𝐹
))
′
= √20 (
𝛾
𝜔
𝑠
)
2
𝜎
0
∫ (𝜔
𝑠
2
− 𝐸
2
)
3
2
⁄
𝑑𝐸[Г
𝑠𝑠
(𝐸; 𝜀
𝐹
)]
𝜔
𝑠
−𝜔
𝑠
[Г
𝑑𝑑
(𝐸; 𝜀
𝐹
)]
+ 2√20 (
𝛾
𝜔
𝑠
) 𝜎
0
∫ (𝜔
𝑠
2
− 𝐸
2
)
3
2
⁄
𝑑𝐸[Г
𝑠𝑠
(𝐸; 𝜀
𝐹
)][[Г
𝑠𝑑
(𝐸; 𝜀
𝐹
)]
𝜔
𝑠
−𝜔
𝑠
+ 2√20 (
𝛾
𝜔
𝑠
) 𝛼𝜎
0
∫ (𝜔
𝑠
2
− 𝐸
2
)
3
2
⁄
𝑑𝐸[Г
𝑑𝑑
(𝐸; 𝜀
𝐹
)][[Г
𝑠𝑑
(𝐸; 𝜀
𝐹
)]
𝜔
𝑠
−𝜔
𝑠
𝜎
0
=
4𝑣
𝑚
2
𝑒
2
ℏ
3𝜋
2
Ω𝜔
𝑠
4
,
𝜀
𝑑
(𝑘) = 𝛼𝜀
𝑠
(𝑘)(𝛼 < 1).
𝜎
𝑥𝑦
(𝜀
𝐹
) = 𝜎
𝑥𝑥
𝑠𝑠
(𝜀
𝐹
) + 𝜎
𝑥𝑦
𝑑𝑑
(𝜀
𝐹
) + 2𝜎
𝑥𝑦
𝑠𝑑
(𝜀
𝐹
) + 2 (𝜎
𝑥𝑦
𝑠𝑑
(𝜀
𝐹
))
′
(3)
𝜎
𝑥𝑦
𝑠𝑠
(𝜀
𝐹
) = 2𝜎
𝐻
∫
(𝜔
𝑠
2
− 𝐸
2
)
5
2
⁄
𝑑𝐸[ℱ
𝑠𝑠
(𝐸; 𝜀
𝐹
)]
2
𝜔
𝑠
−𝜔
𝑠
𝜎
𝑥𝑦
𝑠𝑑
(𝜀
𝐹
) = √20𝛼𝜎
𝐻
∫ (𝜔
𝑠
2
− 𝐸
2
)
5
2
⁄
𝑑𝐸[ℱ
𝑑𝑑
(𝐸; 𝜀
𝐹
)]
2
𝜔
𝑠
−𝜔
𝑠
“Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”. Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr.
323
(𝜎
𝑥𝑦
𝑠𝑑
(𝜀
𝐹
))
′
= 2√20 (
𝛾
𝜔
𝑠
) 𝜎
𝐻
∫ (𝜔
𝑠
2
− 𝐸
2
)
5
2
⁄
𝑑𝐸 {
𝜕
2
𝑅
𝑆𝑑
(𝐸; 𝜀
𝐹
)
𝜕𝐸
2
[Г
𝑠𝑠
(𝐸; 𝜀
𝐹
) + 𝛼Г
𝑑𝑑
(𝐸; 𝜀
𝐹
)]
𝜔
𝑠
−𝜔
𝑠
+
𝜕𝑅
𝑆𝑑
(𝐸; 𝜀
𝐹
)
𝜕𝐸
[
𝜕Г
𝑠𝑠
(𝐸; 𝜀
𝐹
)
𝜕𝐸
+ 𝛼
𝜕Г
𝑑𝑑
(𝐸; 𝜀
𝐹
)
𝜕𝐸
]}
+ (2√20𝛼
𝛾
2
𝑎
2
ℏ
2
9𝜎
𝐻
𝑣
𝑚
2
) ∫ (𝜔
𝑠
2
− 𝐸
2
)
5
2
⁄
𝑑𝐸 {Г
𝑠𝑑
(𝐸; 𝜀
𝐹
) [
𝜕𝑅
𝑆𝑆
(𝐸; 𝜀
𝐹
)
𝜕𝐸
𝜔
𝑠
−𝜔
𝑠
+
𝜕𝑅
𝑑𝑑
(𝐸; 𝜀
𝐹
)
𝜕𝐸
]}
+ (√20𝛼
𝛾
2
𝑎
2
𝜔
𝑠
9𝜎
𝐻
𝑣
𝑚
2
) ∫ (𝜔
𝑠
2
− 𝐸
2
)
5
2
⁄
𝑑𝐸
𝜔
𝑠
−𝜔
𝑠
{Г
𝑠𝑠
(𝐸; 𝜀
𝐹
)
𝜕𝑅
𝑑𝑑
(𝐸; 𝜀
𝐹
)
𝜕𝐸
+ +𝛼Г
𝑑𝑑
(𝐸; 𝜀
𝐹
)
𝜕𝑅
𝑠𝑠
(𝐸; 𝜀
𝐹
)
𝜕𝐸
} ℱ
𝛼𝛽
(𝐸; 𝜀
𝐹
)
= Г
𝛼𝛽
(𝐸; 𝜀
𝐹
)
𝜕
2
𝑅
𝛼𝛽
(𝐸; 𝜀
𝐹
)
𝜕𝐸
2
+
𝜕𝑅
𝛼𝛽
(𝐸; 𝜀
𝐹
)
𝜕𝐸
𝜕Г
𝛼𝛽
(𝐸; 𝜀
𝐹
)
𝜕𝐸
Г
𝛼𝛽
(𝐸; 𝜀
𝐹
) va 𝑅
𝛼𝛽
(𝐸; 𝜀
𝐹
) mos ravshda Grin funksiyasining 𝐺
𝛼𝛽
(𝐸; 𝜀
𝐹
) mavhum va haqiqiy
qismlari,
𝜎
𝐻
– doimiy kattalik bo’lib, u quyidagiga teng:
𝜎
𝐻
=
2𝑣
𝑚
4
𝑒
3
ℏ
2
𝐵
9𝜋
3
𝐶Ω𝑣
𝑆
6
𝐶𝑢
𝑥
𝑇𝑖
1−𝑥
qotishmalarning elektron strukturasini hisoblash uchun qotishma tarkibiga kiruvchi
mis
(𝐶𝑢) va titan (𝑇𝑖) elementlari s− va 𝑑 − zonalarining yarim kengliklari 𝑊 va ularning og’irlik
markazlari
𝜀 hamda gibridizatsiya 𝛾 parametrlari sonli hisoblashlarni amalga oshirishda birlamchi
parametrlar bo’lib, ular quyida keltirilgan [2]:
Modda
𝑊
𝑑
𝑊
𝑠
𝜀
𝑑
𝜀
𝑠
𝛾
𝐶𝑢
3.1
17.6
-10.1
-8.2
1.2
𝑇𝑖
4.3
10.0
-2.6
-4.6
1.0
1-rasm. Cu
50
Ti
50
amorf qotishmasi
uchun solishtirma elektr o’tkazuv-
chanlik diagonal tashkil etuvchila-rining
energiyaga bog’lanishi
2-rasm. Cu
50
Ti
50
amorf qotishmasi uchun
solishtirma elektr o’tkazuv-chanlikning
nodiagonal
elementi
partsial
tashkil
etuvchilarining energiyaga bog’liqligi
“Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”. Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr.
324
Cu
50
Ti
50
amorf qotishmasi uchun solishtirma
elektr o’tkazuvchanlik partsial va natijaviy
qiymatlarining
Fermi
energiyasi
sathidan
bo’g’liqlik grafigi 1-rasmda, solishtirma elektr
o’tkazuvchanlik
tenzorining
nodiagonal
elementlari tashkil etuvchilarining energiyaga
bog’liqligi grafigi 2-rasmda va Xoll doimiysining
konsentratsiyaga
bog’liqligi
esa
3-rasmda
keltirilgan. Shuni alohida ta’kidlab o’tish lozimki,
partsial tashkil etuvchilar juda ham murakkab
energetik bog’lanishlarga ega bo’lib, ular
elektronlar holat zichligining energetik bog’lanishi
bilan mos tushmaydi. Xoll koeffisientining
qiymati va ishorasi s-holatning tashkil etuvchisi
𝜎
𝑥𝑦
𝑠𝑠
va gibridizatsion
𝜎
𝑥𝑦
𝑠𝑑
va (
𝜎
𝑥𝑦
𝑠𝑑
)
′
tashkil
etuvchilarning
qiymatlari
bilan
aniqlanadi.
Yig’indi Holl o’tkazuvchanligi σ
xy
va Xoll koeffisientining R
H
Fermi sathi energiyasi yoki
konsentrasiya o’zgarishi bilan ishorasining o’zgarishi o’tkazuvchanlikning tezlikning zonalararo
matrisa elementlari orqali aniqlanuvchi tashkil etuvchisi (
𝜎
𝑥𝑦
𝑠𝑑
)
′
ning
𝜎
𝑥𝑦
𝑠𝑠
va
𝜎
𝑥𝑦
𝑠𝑑
tashkil etuvchilariga
qaraganda turli xil energetik bog’lanishga hamda qarama-qarshi ishoraga ega ekanligi hisobiga amalga
oshiriladi. Bu esa Xouson-Morganlarning o’tkinchi metallar asosidagi amorf qotishmalarda Xoll
koeffisientining ishora o’zgarishi sd-gibridizatsiya effekti tufayli yuz beradi degan konsepsiyasiga
muvofiq keladi.
Ushbu mavzuni taklif qilgan hamda natijalarni tahlil qilishda qimmatli maslahatlarini bergan
A.B.Granovsky va O.Q.Quvondiqovga o’z minnatdorchiligimni bildiraman.
Foydalanilgan adabiyotlar:
1. M.A.Howson, B.L.Gallagher. The electron transport properties of metallic glasses. Phys.Rep.
– 1988. v.170, №5. - P.265
2. Эренрейх Г., Шварц Л. Электронная структура сплавов - М.:Мир, 1979.
3. Грановский А.Б., Имамназаров Д.Х., Халилов И.Х. Электросопротив-ление и эффект
Холла неупорядоченных сплавов Au
x
Ag
1-x
в s-d модели (приближение когерентного
потенциала). – ФММ, 1991, №7. – С.25
4. Ведяев А.В, Грановский А.Б, Халилов И.Х., Имамназаров Д.Х, Ниналалов С.А.,
Гехтман М.М. Электросопротивление и эффект Холла аморфных сплалов Сu
x
Zr
1-x
в s-d модели
(приближение когерентного локатора). – Вестник МГУ, Сер.3. физ.-астрон., 1991, Т.32. №5 –
С.61
Dostları ilə paylaş: |