«Informaciya qáwipsizligi» baǵdarı 2-kurs 305-21 topar studentı Erkaboyev Furqattıń

5 a- suwretden kórinip turıptı, olda, UB sxema daǵı shıǵıw xarakteristikaları eki kvadrantlarda jaylasqan :

-birinshi kvadrantdagi vAX aktiv jumıs rejimine,

-ekinshi kvadrantdagisi bolsa - toyınıw jumıs rejimine sáykes keledi. Aktiv rejimde shıǵıw tokı (3. 2. 1) koefficient menen anıqlanadı.

Aktiv rejimge uyqas keliwshi xarakteristika tarawları abscissa oǵına onsha úlken bolmaǵan qıyalıqta, derlik parallel' ótediler. Qıyalıq joqarıda aytıp ótilgen Erli effekti menen tusintiriledi. I_E=0 bolǵanda (emitter shınjırı úzilgende) shıǵıw xarakteristikası teris jıljıǵan kollektor ótiw xarakteristikası kórinisinde boladı. Emitter ótiw tuwrı jóneliste jalǵanǵanda injektsiya tokı payda boladı hám shıǵıw xarakteristiklari (I_e2  I_e1) shamaka shepke jıljıydı hám t. b.

UE sxemasında jalǵanǵan tranzistordıń shıǵıw xarakteristikası UB sxemada jalǵanǵan tranzistordıń shıǵıw xarakteristikasına salıstırǵanda úlken qıyalıqqa iye. Sebebi onıń kórinisine Erli effekti úlken tásir kórsetedi.

Bipolyar tranzistorlardıń sxemaǵa jalǵanıwı
Tranzistor sxemaǵa baylanısıp atırǵan shıǵıwlarınan biri kirisiw hám shıǵıw shınjırı ushın ulıwma etip jalǵanadı, usınıń sebepinen tómendegi jalǵanıw sxemaları ámeldegi: ulıwma baza (UB) (6 a-súwret); ulıwma emitter (UE) (6 b-súwret); ulıwma kollektor (UK) (6v-súwret). Bul waqıtta ulıwma shıǵıw potencialı nol'ga teń dep alınadı. Kernew dáregi polyusı hám tranzistor toklarınıń baǵdarı tranzistordıń aktiv rejimine sáykes keledi. UB jalǵanıw sxeması qatar kemshiliklerge iye bolıp, júdá kem isletiledi.



a) b) v)
6– súwret.
BT da jasalǵan UB kúsheytgish sxemasın izertlew
Grafik kóriniste kórsetilgen tok hám kernew arasındaǵı baylanıslılıq tranzistor statikalıq xarakteristikaları dep ataladı. Ulıwma emitter jalǵanıw sxemasında ǵárezsiz ózgeriwshiler retinde baza tokı hám kollektor - emitter kernewi saylanadı, sonda :
(7.1)
Eki ózgeriwshili funktsiya grafik kóriniste xarakteristikalar shańaraǵı sıyaqlı suwretlenedi.
BT kirisiw xarakteristikaları shańaraǵı 7.1 a- suwretde, shıǵıw xarakteristikalar shańaraǵı
7.1 b-suwretde keltirilgen. Xarakteristikalardıń hár biri tómendegi baylanıslılıq penen ámelge asırıladı.
, bolǵanda (7.2)
, bolǵanda (7.3)

7. 1-súwret
Kishi amplitudali siganllar menen islengende hám bahalar menen beriletuǵın qálegen jumısshı noqat átirapındaǵı sızıqlı emes baylanıslılıqlar (7.1-7.3), sızıqlı teńlemeler menen almastırılıwı múmkin, mısalı tranzistordıń h- parametrler sistemasınan paydalanıp.


(8.3)
Jazıw múmkin, bul jerde, , bolǵanda,
, bolǵanda,
, bolǵanda (8.5),
, bolǵanda
h- parametrler (8.5) formulaları járdeminde xaratkeristikalar shańaraǵınan anıqlanıwı múmkin (h_11B hám h_12B - kirisiw xaratkeristikalar shańaraǵınan, h_21B hám h_22B - shıǵıw xarakteristikalar shańaraǵınan).
UB sxemasi ushın kiriw statik xarakteristikasi bolıp U_KB = const bolǵandaǵı I_E= f (U_EB) baylanıslılıq, UE sxemasi ushın ese U_KE = const bolǵandaǵı I_B=f(U_BE) baylanıslılıq esaplanadı. Kirisiw xarakteristikalarınıń ulıwma xarakteri ádetde tuwrı jóneliste jalǵanǵan p-n menen anıqlanadı. Usınıń sebepinen sırtqı kórinisine kóre kirisiw xarakteristiklari eksponensial xarakterge iye ( 9- súwret). Kollektor ótiwdegi teris qollanıwınıń artpaqtası menen UB sxema daǵı kirisiw xarakteristika shepke, UE sxemada bolsa ońǵa jıljıydı.

9—Súwret. Kiriw xarakteristiklari

UB sxemadaǵı tranzistordıń shıǵıw xarakteristikalari shańaraǵı bolıp I_E =const bolǵandaǵı I_К= f (U_KB) baylanıslılıq, UE sxemada ese I_B =const bolǵandaǵı I_К= f (U_KE) baylanıslılıq esaplanadı (9а-Súwret).

Shıǵıw xarakteristikaları kórinisine kóre teris jalǵanǵan diod vAX sına uqsaydı, sebebi kollektor ótiw teris jalǵanǵan. Xarakteristikalardı qurıwda kollektor ótiwdiń teris kernewin ońında ornatıw qabıl etilgen ( 10 a - súwret).
UE sxemasında jalǵanǵan tranzistordıń shıǵıw xarakteristikası UB sxemada jalǵanǵan tranzistordıń shıǵıw xarakteristikasına salıstırǵanda úlken qıyalıqqa iye ( 10 b - súwret).

10-Súwret. a - kollektor ótiw teris jalǵanǵan, b - UB sxemada jalǵanǵan tranzistordıń shıǵıw xarakteristikası

BTning islewi úsh hádiyse esabına ámelge asadı :

- emitterdan tiykarǵı zaryad tasıwshılardıń bazaǵa injeksiyalanıwı;
- bazaga injeksiyalanǵan EZTlardıń diffuziya hám ıǵıw esabına KO'gacha jetip keliwi;
- bazaga injeksiyalangan hám KO'gacha jetip kelgen tiykarlıq emes zaryad tasıwshılardıń ekstraksiyalanishi.
EO' tuwrı jıljıtilganda (U_EB támiynat deregi esabına ámelge asıriladı ) onıń potensial baryeri pasayadi hám elektronlar emitterdan bazaǵa injeksiyalanadi. Elektronlardıń emitterdan bazaǵa hám de geweklerdiń bazadan emitterga injeksiyalanishi esabına emitter tokı I_E payda boladı :

Bul jerda: Uyqas túrde elektronlar hám gewekler injeksiya tokları.
Emitter tokınıń I_Ep quraytuǵınsı kollektor arqalı oqmaydi hám sol sebepli paydasız tok esaplanadı. I_Ep ma`nisin kemeytiw ushın baza daǵı akseptor kiritpeler konsentraciyası ma`nisi emitterdagi donor kiritpeler konsentraciyasına salıstırǵanda eki tártip kishi etip alınadı.
Emitter tokında elektronlardıń injeksiya tokı I_En úlesin injeksiya koefficiyenti dep atalıwshı shama ańlatadı. Ol emitter islew natiyjeliligin belgilep, emitter tokı daǵı paydalı tok úlesin kórsetedi:

Ádette =0,990-0,995 Ni quraydı. Bazaǵa injeksiyalangan elektronlar, bazada kollektor tárepke diffuziyalanib KO'gacha jetip baradı. Keyininen kollektorǵa ekstraksiyalanadi (KO'nıń elektr maydanı tásirinde kollektorǵa tartıp alınadı ) hám kollektor tokı IKn ni payda etedi.
Kollektorǵa ótiw dawamında injeksiyalangan elektronlardıń bir bólegi baza tarawdaǵı gewekler menen dús kelisip rekombinatsiyalanadi hám olardıń konsentraciyası azayadı. Jetispewshi gewekler sırtqı shınjır arqalı kirip (elektr neytrallıq shárti orınlanıwı ushın ), baza tokınıń rekombinatsion takshil etiwshisi I_TUYIQ ni payda etedi. I_TUYIQ ma`nisi úlken bolǵanı ushın onı kemeytiwge háreket etiledi. Buǵan baza keńligin kemeytiw menen eriwiladi.
Emitterdan injeksiyalangan elektronlar tokınıń baza salasında rekombinatsiya esabına azayıwı elektronlardı tasıw koefficiyenti dep atalıwshı shama menen ańlatıladı :

Real tranzistorlarda =0,980 ÷ 0,995.