«Informaciya qáwipsizligi» baǵdarı 2-kurs 305-21 topar studentı Erkaboyev Furqattıń

Bipolyar tranzistor fizik parametrleri

Tok boyınsha ^ hám ^ koefficiyentler statikalıq parametrler esaplanadı, sebebi olar ózgermeytuǵın toklar qatnasın ańlatadılar. Olardan tısqarı tok ózgerisleri qatnası menen ańlatpalanidigan differentsial kúsheytiw koefficiyentleri de keń qollanıladı. Statikalıq hám differentsial ^ kúsheytiw koefficiyentleri bir birinen parıq etediler, solsebepli talap etilgen jaǵdaylarda olar ajratıladı. Tok boyınsha kúsheytiw koefficiyentinıń kollektordaǵı kernewine baylanıslı.
UE sxeması ushın tok boyınsha differentsial kúsheytiw koefficiyenti tasıwshılardıń jasaw waqtına baylanıslılıǵı menen tusintiriledi. Temperatura artpaqtası menen rekombinatsiya processleri páseyiwi sebepli, ádetde tranzistordıń tok boyınsha kúsheytiw koefficiyentiniń artpaqtası baqlanadı.
Tranzistor xarakteristikalarınıń temperaturalıq turaqlı emesligi tiykarǵı kemshilik esaplanadı.
Emitterlari baylanısqan logika (EBM ) elementiniń jaratılıwına cifrlı qurılmalar operativligin asırıw mashqalası sebep bolǵan. EBM elementte qayta jalǵanıwshı tranzistor yamasa tuyıq, yamasa ashıq boladı hám bazada qosımsha tiykarǵı emes zaryad tasıwshılar toplanıp atırǵanda BT toyınıw rejiminde isleydi. Tranzistordı bir jaǵdaydan ekinshisine ótiwi uzaq keshetuǵın process bolǵanlıǵı sebepli, TTM element operativligi sheklengen. BTdagi gilt inersiyaliligini kemeytiw maqsetinde sonday sxemalar jaratıw kerek, ol jaǵdayda qayta jalǵanıwshı tranzistor ashıq jaǵdayda aktiv rejimde islesin.
EBM sonday sxematexnik sheshimlerden biri esaplanadı. BTnıń toyınbaǵan rejimi júklem a hám parazit sıyımlılıqlarınıń tez qayta zaryadlanıwı ushın talap etiletuǵın jumısshı toklardı asırıw imkaniyatın beredi. Qayta jalǵanıwshı element jalǵanıw waqtı minimum ǵa keledi.
Bul waqıtta BTnıń tuyıqlanıwda waqtı artpaydı. Usınıń sebepinen EBM elementler joqarı operativlikke iye. EBM elem ent tiykarın tok qayta jalǵawshıı quraydı. Ol DK sıyaqlı eki simmetrik jelkeden shólkemlesken bolıp, olardıń hár biri tranzistor hám rezistordan ibarat. Ol ulıwmalıq emitter shınjırında BTGǵa isleydi.
VT1 tranzistor emitter — kollektor aralıǵı gilt wazıypasın atqaradı. Signal dáregi hám júkleme retinde tap sonday sxemalar isletiledi. Eger kiriwge logikalıq birge uyqas keliwshi joqarı potensial berilsa, vT1 tranzistor ashıladı hám toyınıw rejiminde boladı. Onıń shıǵıwı daǵı potensial nol potensialına sáykes keledi. Kiriwge logikalıq nolge uyqas keliwshi potensial berilsa, vT1 tranzistordıń emitter ótiwi tuyıqıladı. Gewekler tokı (qayta jalǵanıw tokı ) vT1 tranzistordıń kollektor ótiwin keri baǵıtda jalǵaydı. Bunıń nátiyjesinde vT1 shıǵıw qarsılıǵı keskin artadı jáne onıń shıǵıwında logikalıq bir potensialı payda boladı. Yaǵnıy usı sxema joqarıda ko'ri1 gan sxemalar sıyaqlı invertor wazıypasın atqaradı. Logikalıq ámellerdi orınlaw invertor shıǵıwların metall sımlar menen birlestiriw nátiyjesinde ámelge asıriladı.