Kokanduni uz

www.
kokanduni.uz 
основного транзистора Q2
влияет на величину искажения сигнала, в том числе и 
фазовых сдвигов, но наблюдается увеличение коэффициента усиления схемы.
 
Литература
:
1.
Semiconductors: three-dimensional 
tomorrow. http://wiki.miem.edu.ru  
2.
Ionesco Adrian M., Riel Heike. Tunnel field effect transistors as energy efficient 
electronic switches // Nature. 
November 2011. V. 479. ¼ 17 pp. 329–
337. 
3.
Kondratyuk A.V. Analysis of the features of typical designs of field- effect transistors 
with 
an 
insulated 
gate//Young 
scientist-2016-
¼23
- 
pp.59-66 
https://moluch.ru/archive/127/35054/. 
4.
Aripova Z.Kh., Toshmatov Sh.T. Cascode injection-voltaic transistor 
5.
// Journal of Physics of Semiconductors and Microelectronics, 2019, vol. 1, issue 2, 
pp. 36-40. 
6.
Aripov Kh.K., Alimova N.B., Bustanov Kh.Kh., Ob’edkov E.V. and Toshmatov Sh.T. 
Adapted Electronic Switching Cell with Power Supple from Solar Cell. // Applied Solar 
Energy Allerton Press, Inc. 2010, -Vol. 45, 2009. -
¼2. pp.
9-13. 
7.
Aripov Kh.K., Alimova N.B. Study of the amplifying properties of a bipolar transistor 
in the injection-voltaic mode. // Info communications: Networks-Technologies-Solutions. 
Tashkent, 2009. - No. 1 (9). pp. 22-25. 
8.
Jessy Russel. Field-effect transistor, VSD, 2912.-80ps. 
9.
Field effect transistor voltage amplifier.
http://toe-kgeu.ru/automaticelements/197-automaticelements1 
10.
Patent for invention ¼ IAP 05322 “
Voltage amplifier with dynamic 
11.
load” / Karimov A.V., Yodgorova D.M., Abdulkhaev O.A., Kamanov
12.
B.M. Tashkent, Bul. ¼12 fr. 20.12.2016.

---

64