Kurs loyihasi

Presizion rezistorlar Yuqori aniqlik (±0,05 ÷ 5%) va barqarorlikka (QTK≈10-4·1/0C) ega bo‘lgan rezistorlar presizion rezistorlar hisoblanadi. Ularning nominal qarshiligi 1 Om ÷ 1 MOm, chegaraviy ishchi kuchlanishi bir necha yuz voltdan ortiq emas, nominal sochilish quvvati diapazoni 0,05 ÷ 2 Vt, chastota diapazoni – bir necha megagerslargacha, ishlash muddatining oxiridagi qarshilik o‘zgarishi – bir necha foizdir. Presizion rezistorlar aniq o‘lchov apparaturasida va maxsus ishga mo‘ljallangan apparaturaning zanjirlarida, shuningdek, qarshilik magazinlarining elementlari sifatida, bo‘lgichlar va yuqori aniqlikdagi shuntlar zanjirlarida hamda turli datchiklar va sxemalar yuklamasi sifatida ishlatiladi.

1.5-rasm. Umumiy maqsadlarda qo‘llaniladngan presizion rezistorlar.
Integral mikrosxema rezistorlari Yarimo‘tkazgichli integral sxemalarning barcha elementlari (tranzistorlar, diodlar, rezistorlar va kondensatorlar) kremniy, arsenid galliyning r-n o‘tishlari bazasida epitaksiya va diffuziya usuli bilan yaratiladi. Yarimo‘tkazgichli sxemalar rezistorlari baza sohasida hosil qilinadi va ularning qarshiligi soha qarshiligi bilan belgilanadi va 25 Om dan bir necha kiloomlargacha bo‘lgan oraliqda bo‘ladi. Rezistorlarning texnologik aniqligi ±30% dan oshmaydi, QTK=10^-3·1/⁰C.
Qalin pardali mikrosxema rezistorlarini litografiya usuli – keramik asos (22XC keramikasi) sirtiga maxsus trafaret orqali surtish va ularni kuydirish (qizigan keramika usuli) yo‘li bilan olinadi.
Maxsus ishlarga mo‘ljallangan yupqa pardali mikrosxemalar mikroelektron texnikada keng qo‘llanilmoqda. Ular asosida yirik gibrid integral sxemalar yaratilmoqda. Buning sababi shundaki, yupqa pardali texnologiya elementlarning nominal qiymati chegaralarini kengaytirishga va yanada yuqori aniqlikka, barqarorlikka va ishonchlilikka erishishga imkon beradi.
Rezistorlarning konfiguratsiyasi maskalarning rezistiv qatlami topologiyasi (joylashtirilishi va o‘lchamlari) orqali belgilanadi. Tok o‘tkazuvchi moddalar maskadagi “darcha” orqali purkaladi. Bunda vakuumda termik bug‘lantirishdan yoki katod changlatishdan foydalaniladi. Changlatish jarayoni maxsus vakuum qurilmalarida o‘tkaziladi.
Maskalar metalldan qilingan va fotorezistiv bo‘lishi mumkin. Fotorezistiv maskalar ajratish qobiliyati mikrometrlarni tashkil etadigan fotolitografiya usuli bilan olinadi. Biroq texnologik va aniqlik nuqtai nazaridan maskadagi “darcha”ning minimal yo‘l qo‘yilgan eni 50÷100 mkm qilib olinadi. Rezistorlarga purkash uchun MLT–ZM qotishmasi, tantal, kermetlar va silitsidlardan foydalaniladi.
Purkaladigan materialning asosiy parametri – uning sirt kvadratining qarshiligi r_ = ρ_υ / d hisoblanadi. Bu yerda: ρ_υ – solishtirma hajmiy qarshilik (Om·sm³) , d – purkab o‘tkaziladigan parda qalinligi (sm). Yupqa pardali rezistorlarni hisoblashda QTK va solishtirma sochilish quvvati R₀ ham muhim parametr hisoblanadi.
Yupqa pardali rezistorlar tasma yoki meandr shaklida bo‘lishi mumkin va yarimo‘tkazgichlarga nisbatan qator afzalliklarga ega: ular barqarorroq (±10^-4·1/⁰C), juda aniq ishlaydi (±5% gacha) va nominal qarshilik diapazoni 100 kOm gacha bo‘lib, odatda, 50 Om÷50 kOm oraliqda chegaralangan.






1.6-rasm. "Meandr" turidagi yupqa paradali rezistor geometriyasi: l_o‘rt va b - reznstorning o‘rtacha uzunlign va kengligi; t, a, L va V -meandrning qadami, zvenolari orasidagi masofa. uzunligi va kengligi.


Qarshiliklar bilan qizsqacha tanishib o’tdik endi fotoelektrik va optoelektrik elementlar bilan tanishib chiqamiz.