Laboratoriya ishi №. 13 Ub ulanish sxemasidagi btni statik vaxlarini tadqiq etish h-parametrlarini hisoblash

Laboratoriya ishi №. 13 Ub ulanish sxemasidagi btni statik vaxlarini tadqiq etish h-parametrlarini hisoblash

LABORATORIYA ISHI №.13


UB ulanish sxemasidagi BTni statik VAXlarini tadqiq etish. h-parametrlarini hisoblash.

Ishning maqsadi: UB ulanish sxemasida bipolyar tranzistorlarning asosiy statik xarakteristikalari va parametrlarini tadqiq etish, xarakteristikalarni o’lchash va tajriba natijalarini qayta ishlash uslubi bilan tanishish.

1. Laboratoriya ishini bajarishga tayyorgarlik:

Grafik ko’rinishda ifodalangan tok va kuchlanish orasidagi bog’liqlik tranzistor statik xarakteristikalari deb ataladi. Umumiy baza ulanish sxemasida mustaqil o’zgaruvchilar sifatida emitter toki va kollektor – baza kuchlanishi tanlanadi, shunda:

(4.1)
Ikki o’zgaruvchili funktsiya grafik ko’rinishda xarakteristikalar oilasi kabi tasvirlanadi.

BT kirish xarakteristikalari oilasi 4.1 a- rasmda, chiqish xarakteristikalar oilasi 4.1 b-rasmda keltirilgan. Xarakteristikalarning har biri quyidagi bog’liqlik bilan ifodalanadi:

, , bo’lganda (4.2)

, , bo’lganda (4.3)

a) b)
4.1-rasm

Kichik amplitudali siganllar bilan ishlanganda va qiymatlar bilan beriladigan ixtiyoriy ishchi nuqta atrofidagi nochiziqli bog’liqliklar (4.1-4.3), chiziqli tenglamalar bilan almashtirilishi mumkin, masalan tranzistorning h- parametrlar tizimidan foydalanib.

(4.4)
yozish mumkin, bu erda , bo’lganda

, bo’lganda
, bo’lganda (4.5)
, bo’lganda
h- parametrlar (4.5) formulalari yordamida xaratkeristikalar oilasidan aniqlanishi mumkin (h_11B va h_12B – kirish xarakteristikalar oilasidan, h_21B va h_22B – chiqish xarakteristikalar oilasidan).
2. Laboratoriya ishini bajarish uchun topshiriq:

2.1. Tajriba o’tkazishga tayyorgarlik ko’rish:

Tranzistor tuzilishi va chegaraviy parametrlari bilan tanishib chiqing, tranzistor haqidagi ma'lumotlarni yozib oling, o’lchash uchun jadval tayyorlang.

Kirish va boshqarish xarakteristikalari

№	1	2	3	4	5	6	7	8
R1(kOm)	1-1,5	1,6-2	2,1-2,5	2,6-3	3,1-3,5	3,6-4	4,1-4,5	4,6-5
R2(kOm)	0,5-0,55	0,56-0,6	0,61-0,65	0,66-0.7	0,71-0,75	0,76-0,8	0,81-0,85	0,86-0,9
ЕB1	10 V
ЕB2	10 V

№	9	10	11	12	13	14	15	16
R1(kOm)	5,1-5,5	5,6-6	6,1-6,5	6,6-7	7,1-7,5	7,6-8	8,1-8,5	8,6-9
R2(kOm)	0,91-0,95	0,96-1	1,01-1,05	1,06-1,1	1,11-1,15	1,16-1,2	1,21-1,25	1,26-1,3
ЕB1	10 V
ЕB2	10 V

5.2 - jadval

Tranzistor chiqish xarakteristikalari

№	1	2	3	4	5
UBE
UKE
IB
IK
h11E
h21E
h22

4.4-rasm

4.5- rasm
2.3. Chiqish xarakteristiklar oilasini o’lchang:

Chiqish xarakteristiklar oilasini emitter tokining i_E = 0 mA qiymatidan boshlab har 4 mA qiymatlari uchun o’lchang. Kollektor toki bu vaqtda ko’rsatilgan chegaraviy qiymatlardan oshmasligi kerak; kuchlanish qiymatining o’zgarish oralig’i shunday tanlanishi kerakki, aktiv ( >0) va to’yinish ( <0) rejimlarida 3-5 ta nuqta olish mumkin bo’lsin.

3. O’lchash natijalarini ishlash:

3.1. Kirish, boshqaruv va chiqish xarakteristikalar oilasi grafigini quring.

u_KB = 5 V, i_E = 8 mA nuqtada tranzistor parametrlarini aniqlang

, ,
3.2. Emitter toki 8 mA bo’lganda chiqish xarakteristikasini quring. Chiziqli – bo’lak approksimatsiyani amalga oshirib , , , larni hisoblang.

4. Nazorat savollari.

1. BT UB ulanish sxemada ishlash printsipi, emitter va kollektor p-n o’tishlar, baza sohasi ahamiyati haqida gapirib bering.

2. Emitter toki tashkil etuvchilari nomini ayting va ularning yo’nalishlarini p-n-p hamda n-p-n turli BT uchun ko’rsating.
3. Baza toki tashkil etuvchilari nomini ayting va ularning yo’nalishlarini p-n-p hamda n-p-n turli BT uchun ko’rsating.
4. I_KB0 va I_KE0 qanday toklar ? Ular qaysi zaryad tashuvchilar harakati bilan hosil bo’ladi ?
5. UB sxemada ulangan BT chiqish xarakteristikalar oilasida aktiv, berk va to’yinish sohalarini ko’rsating.
6. Ideal BT elektr modeli sxemasini chizing va uning parametrlari fizik mohiyatini tushuntiring.
7. BT invers ish rejimi deb nimaga aytiladi ?
http://fayllar.org