52
M Ü H A Z İ R Ə – 7 və 8
Nanomateriallarin tədqiqində istifadə olunan üsullar.
Spektroskopiya və mikroskopiya
Optikadan bilirik ki, insan gözünün görə biləcəyi ən minimal ölçülü, yəni
0,1 mm tərtibli obyektə qədər olan məsafə 25 sm hesab olunur. Müasir optik
mikroskoplar obyekti 1500 dəfə böyüdə bilir. Bu o deməkdir ki, bu mikroskoplarla
yalnız 10
-7
m ölçülü obyektləri görmək mümkündür. Nano tərtibli obyektləri
görmək və tədqiq etmək üçün daha güclü, ayırdetmə qabiliyyəti daha yüksək olan
mikroskopların yaranması zərurəti yarandı.
Lakin optik mikroskopların görmə (və ya ayırdetmə) qabiliyyətinin sonrakı
artımı bir sıra prinsipial çətinliklərlə üzləşdi. Bu ilk öncə difraksiya qabiliyyəti ilə
bağlı olan bir maneə idi. Belə ki,
ΧΙΧ əsrin 70-ci illərində Reley tərəfindən
göstərilmişdir ki, aralarındakı məsafə d=0,61
λ/n –dən kiçik olan obyektləri
görmək mümkün deyil (
λ - işıq dalğasının uzunluğu, n – mühitin sındırma
əmsalıdır).
Bütün bunlara baxmayaraq, son illər yaradılan mikroskoplar vasitəsilə, hətta
200 nm ölçüyə malik obyekləri görmək və tədqiq etmək mümkündür.
Ümumiyyətlə, nanoquruluşları tədqiq etmək üçün istifadə edilən üsulları
ənənəvi və qeyri-ənənəvi olmaqla 2 böyük qrupa bölmək olar. Ənənəvi üsullara
spektroskopiya və difraksiya üsullarını, qeyri-ənənəvi üsullara isə aşağıdakı müasir
mikroskopiya üsullarını aid etmək olar:
1. İşıqburaxan elektron mikroskopiyası; 5. Skanedici tunnel mikroskopiyası;
2. Skanedici elektron mikroskopiyası;
6. Atom-güvvət mikroskopiyası;
3. Sahə elektron və ion mikroskopiyası;
7. Yaxınsahəli skanedici optik
mikroskopiyası.;
4. Skanedici zond mikroskopiysı;
8. Zond nanolitoqrafiyası.
Ənənəvi tədqiqat üsulları və onların fiziki əsasları
SPEKTROSKOPIK ÜSULLAR
Spektroskopik üsullar atomların, molekulların və onlardan əmələ gələn
makrosistemlərin enerji quruluşunu, həmçinin, enerji səviyyələri arasında kvant
keçidlərini tədqiq edir ki, bu da maddənin quruluşu və xassələri haqqında məlumat
əldə etməyə imkan verir. Bunlara nüvələrarası məsafələr, valent bucaqları,
rabitələrin enerjisi, atomların effektiv yükləri, dipol momenti, ionlaşma potensialı,
elektrona hərislik və s. aiddir. Bu kəmiyyətlərin qiymətləri molekulun elektron
konfiqurasiyası ilə, yəni elektronların molekulyar orbitallarda paylanması
ardıcıllığı ilə müəyyən edilir. Quruluş haqqında son nəticə isə, əksər hallarda,
müxtəlif üsullar vasitəsilə alınmış məlumatların müqayisəli təhlilindən sonra əldə
edilir.
53
Digər üsullarla müqayisədə spektral üsulların üstünlüyü ondan ibarətdir ki,
ölçmə prosesində nümunədə dəyişiklik baş vermir və nümunənin əvvəlcədən
hazırlanmasına ehtiyac duyulmur. Bu üsulları istifadə olunan elektromaqnit
dalğalarının uzunluğuna (və ya tezliyinə) görə aşağıdakı kimi təsnif edirlər:
1.
Radiospektroskopiya
2.
İQ spektroskopiya
3.
Görünən işıq spektroskopiyası
4.
UB və fotoelektron spektroskopiyası
5.
Rentgen spektroskopiyası
6.
Qamma-şüalanma spektroskopiyası.
Biz adlarını çəkdiyimiz spektroskopik üsullardan yalnız 3-nü –
radiospektroskopiyanın daha çox öyrənilən və ən maraqlı istiqamətlərindən olan
Nüvə Maqnit Rezonansı (NMR) və Elektron Paraaqnit Rezonansı (EPR) üsullarını,
və həmçinin, İnfraqırmızı (İQ) spektroskopiya üsulunu nəzərdən keçirəcəyik.
1. Radiospekroskopiya
Maddə quruluşunun və orada gedən proseslərin radiospektroskopik üsullarla
tədqiqi radiodalğaların (dalğa uzunluğu
> 500 mkm, tezliyi < 10
13
Hs) rezonans
üsullarına əsaslanır. Radiospektroskopik üsullar, İQ spektroskopiyadan kvantların
kiçik enerjilərlə udulmasına görə fərqlənir ki, bu da maddənin enerji səviyyələrinin
kiçik parçalanmaları ilə əlaqədar yaranan zəif qarşılıqlı təsirləri də öyrənməyə
imkan verir. Bundan başqa, müxtəlif tezlikli radiodalğalarda sistemin eyni vaxtda
həyəcanlanma prosesinin sadəliyi, enerji səviyyələrinin nisbi məskunlaşmasını
dəyişməyə və qadağan olunmuş keçidləri tədqiq etməyə imkan verir.
Radiospektroskopiyann bir neçə istiqaməti vardır ki, bunlardan biri də Nüvə
Maqnit Rezonansı üsuludur.
Nüvə maqnir rezonansı (NMR) üsulu
NMR üsulu 1945-cı ildə amerika fizikləri E.Persell (Harvard Universiteti) və
Blox (Stanford Universiteti) tərəfindən kəşf edilmiş və bu kəşfə görə onlar 1952-ci
ildə fizika üzrə Nobel mükafatına layiq görülmüşlər. NMR spektroskopiyası
molekulyar sistem haqqında daha çox məlumat almağa imkan verən üsul olub,
atom və molekulların elektron halını, kondensə olunmuş hallarda maddənin
quruluşu və dinamikasını hesablamağa, molekullararası qarşılıqlı təsirləri müəyyən
etməyə və kimyəvi reaksiyaların mexanizmlərini başa düşməyə imkan verir. Bu
üsulun üstünlüyü nümunənin hazırlanmasının sadəliyi və tədqiqatın nəticəsinin tez
əldə olunması ilə bağlıdır.
NMR effekti, atom nüvələrinin maqnit momentləri istiqamətlərinin
dəyişməsi ilə əlaqədar olaraq, maddə tərəfindən elektromaqnit enerjisinin
rezonans udulması zamanı meydana gəlir. NMR üsulu spini “O”-dan fərqli olan
nüvələrdə özünü doğruldur. (Məsələn,
1
H,
2
H,
13
C,
14
N,
15
N,
19
F,
29
Si,
31
P və s.).
1
H nüvələrində NMR spektroskopiyası ən çox inkişaf edib və bu üsul proton
maqnit rezonansı (PMR) adlanır.
54
Nüvə maqnetizmi mürəkkəb fiziki proses olduğu üçün, onu təsvir etmək
üçün kvant mexanikasının riyazi aparatından istifadə edilir.
Biz NMR-nın fiziki əsaslarını başa düşmək üçün sadə “klassik” modeldən
istifadə edəcəyik. Əgər atomun nüvəsini fırlanan “+” yüklü şar kimi təsəvvür
etsək, görərik ki, yük halqavari orbit boyunca hərəkət edərək mikoskopik halqavari
cərəyan yaradır. Halqavari cərəyan da, öz növbəsində, maqnit sahəsini induksiya
etdiyi üçün, belə nüvə özünü mikroskopik maqnit kimi aparır. Bu halda nüvənin
maqnit momenti fırlanma oxu boyunca yönələr, oxa nəzərən pressesiya
1
edər. Bu
cür nüvəni məxsusi spinə və maqnit momentlərinə malik kiçik milvari maqnitə
bənzətmək olar.
Xarici maqnit sahəsi olmadıqda, spin halları enerjiyə görə cırlaşmış olur.
Nüvəni xarici B
o
maqnit sahəsinə saldıqda isə, cırlaşma aradan çıxır, yəni sahə
istiqamətində və onun əksinə yönəlmiş maqnit momentləri müxtəlif enerjilərə
malik olur. Bunun nəticəsində də bir enerji səviyyəsindən digər enerji səviyyəsinə
keçid baş verir. Maqnit sahəsində enerji səviyyələrinin parçalanması isə, bildiyimiz
kimi, ümumi halda Zeyeman effekti adlanır.
Məhz bu keçid, yəni maqnit sahəsinə salınan nümunənin nüvələri
tərəfindən elektromaqnit şüalarının udulması NMR spektroskopiyasının fiziki
əsasını təşkil edir.
Sadə halda, NMR spektroskopiyasını belə təsvir etmək olar: tədqiq olunan
birləşmə, və ya molekul ampulaya qoyularaq, H
0
maqnit sahəsinə yerləşdirilir və
ω tezlikli elektromaqnit şüaları ilə şüalandırılır. H
0
maqnit sahəsinə zəif
radiotezlikli H maqnit sahəsi
⊥ qoyulduqda (H⊥H
0
) və
ω
0
tezliyinin
ΔE=hω
0
–a
uyğun qiymətində enerjinin udulması baş verir, yəni NMR spektroskopiyası,
əsasən,
ω
0
=
γH
0
tezlikdə müşhidə olunur və rezonansın xarakteri hərəkət miqdarı
momenti P=ħl və maqnit momenti
μ
=
γ
l ilə müəyyən edilir. Bburada l-nüvənin
spini,
γ-hiromaqnit ədədi, ħ-Plank sabitidir.
Hal-hazırda müasir qurğularda NMR üsulu ilə eyni zamanda 80 maqnit
nüvəsini tədqiq etmək olar. NMR spektroskopiyası əsas fiziki-kimyəvi üsul olduğu
üçün, onun nəticələrindən istifadə etməklə kimyəvi reaksiyaların həm orta
məhsulları, həm də son məhsulları haqqında məlumat almaq olar. NMR
konformasiya tarazlığı, bərk cisimlərdə atom və molekulların diffuziyası, daxili
hərəkətlər, hidrogen rabitələri və s. haqqında informasiya verir.
Bundan başqa, ilk süni füllerenin varlığı da NMR üsulu ilə aşkar edilmişdir.
NMR spektrləri ilə atom yığımlarının da, yəni nanoklasterlərin də ölçü parmetrləri
haqqında informasiya əldə etmək mümkündür.
1
Pressesiya müəyyən nöqtə ətrafında daim fırlanma hadisəsidir.
55
C
60
füllereninin NMR spektri
Elektron Paramaqnit rezonansı (EPR) üsulu
Radiospektroskopiyanın digər istiqaməti EPR üsuludur. EPR üsulu NMR
üsuluna analoji olub, santimetrlik, və ya millimetrlik dalğa uzunluqlu diapazonda,
tərkibində paramaqnit zərrəciklər olan maddə tərəfindən elektromaqnit enerjisinin
rezonans udulmasına əsaslanır.
Klassik fizika çərçivəsində EPR üsulu yalnız relaksasiya
2
proseslərinin
təhlili üçün rahatdır. Lakin bu halda da EPR spektrlərini izah etmək üçün kvant
yanaşmasından istifadə olunur. Bilirik ki, sabit H maqnit sahəsində sərbəst ionun J
hərəkət miqdarı momenti 2J+1 Zeyeman səviyyələrinin yaranmasına səbəb olur və
bu səviyyələrin enerjisi E=g
βHm (m=J, J-1,...-J).
Bu səviyyələr arasında kvant keçidləri H-a
⊥ olan H
1
sahəsi ilə
həyəcanlandırılır. Onda rezonans şərti h
ν=ΔE=g
S
βH kimi olacaq. Səviyyələr
arasında elektronların keçidi spinin istiqamətinin dəyişməsi ilə baş verir.
Daha yüksək səviyyələrə keçidlər elektromaqnit enerjisinin udulması, əks
keçiddə isə buraxılması ilə müşahidə olunur.
Bu proseslərin hər 2-nin baş vermə ehtimalı eyni olduğu üçün, alınan
spektrin quruluşu səviyyələrin məskunluğundan asılıdır və onların təhlili mürəkkəb
məsələdir.
EPR üsulu ilə paramaqnit mərkəzlər haqqında məlumat əldə etmək olur.
Bundan başqa, kristalda ionların valentliyi, koordinatları, lokal simmetriyası,
elektronların hibridləşməsi, kristalda sahənin istiqaməti və s. məlumatlar da EPR
vasitəsilə əldə edilir.
İnfraqırmızı spektroskopiya (İQ)
İQ spektroskopiya infraqırmızı oblastda (dalğa ədədi 3
⋅10
12
-3
⋅10
14
hs, dalğa
uzunluğu 10
-6
-10
-3
m) elektromaqnit şüalarının udulma və buraxılma spektrlərini
öyrənir. İQ spektrlərin tədqiqi kimyəvi tərkib, quruluş, konfiqurasiya və
2
Relaksasiya latınca “relaxatio”- zəifləmək, taqətdən düşmək mənasını verir. Bu termindən
termodinamik sistemdə tarazlığın bərpa edilməsi prosesində istifadə olunr.
56
konformasiya haqqında məlumat almağa imkan verir və burada enerjinin dəyişməsi
rəqs səviyyələri arasında keçid zamanı baş verir.
İQ spektroskopiyada molekulun enerji halı üç faktorla – molekulun
fırlanması ilə, molekulu təşkil edən atomların bir-birinə nəzərən rəqsi hərəkəti ilə
və molekulun elektron quruluşu ilə müəyyən edilir.
Enerjininn fırlanma səviyyələri arasındakı qiyməti 10
-3
eV tərtibindədir. Bu
səviyyələr arasındakı keçidlər dalğa uzunluğu 0,1 mm-lə 1 sm arasında olan
şüalanmaya uyğun gəlir.
Enerjininn rəqsi səviyyələr arasındakı qiyməti isə təqribən iki tərtib böyük
olub, 0,1eV-a bərabərdir. Bu səviyyələr arasındakı keçidlər 1 mkm ÷ 0,1 mm dalğa
uzunluqlu şüalanmanın generasiyasına səbəb olur. Səviyyələr arası valent
elektronlarının enerji fərqi bir neçə elektron-volt a bərabərdir.
Molekulun fırlanma enrjisi onun simmetriyasından, ətalət momentindən və
həmçinin, J fırlanma kvant ədədindən asılıdır, yəni o müəyyən diskret qiymətlər
ala bilər. Fırlanma spektrinə malik olan ən sadə molekullara ikiatomlu (məsələn A
və B) və xətti çoxatomlu molekulları misal göstərmək olar ki, onların hər ikisinin
baş ətalət momentləri eynidir, üçüncü isə sıfra bərabərdir.
Bu cür molekullar üçün fırlanma enerjisi aşağıdakı tənliklə hesablana bilər:
1
Burada B – fılanma sabiti olub,
bərabərdir;
Ι
-ətalət momentidir və
ikiatomlu molekullar üçün onun qiymətini müəyyən etmək üçün
düsturundan istifadə etmək olar.
Mürəkkəb molekullar üçün isə fırlanma enerjisinin ifadəsi çox mürəkkəb
şəkildə olur, bəzi molekullar üçün isə bu ifadəni ümumiyyətlə yazmaq mümkün
olmur.
İndi isə molekulu təşkil edən atomların bir-birinə nəzərən rəqsi hərəkətini
nəzərdən keçirək. Kvant mexanikasından məlumdur ki, ossolyatorlar sisteminin
tezliyi rəqs edən zərrəciklərin kütlələrindən və onlar arasındakı məsafədən
aşağıdakı kimi asılıdır:
ν
1
2
Burada f – qüvvə sabiti, m – sistemin kütləsidir.
Bundan başqa, kvant mexanikasında harmonik ossolyator modelinin diskret
enerji halları üçün aşağıdakı ifadə alınmışdır:
ν
1
2
2
1
2
Burada n=0, 1, 2, ...fırlanma kvant ədədi, μ- sistemin gətirilmiş kütləsidir; seçmə
qaydası isə
Δn=±1 kimidir. İkiatomlu molekul halında, hər iki ifadə öz görünüşünü
saxlayır, lakin sistemin gətirilmiş kütləsi
μ aşağıdakı kimi hesablanır:
57
Çoxatomlu sistemlər üçün isə bu ifadələr mürəkkəb şəkildə olur.
İQ spektroskopiya üsulları ilə sistemi təşkil edən atomların kütlələri, rabitə
uzunluqları, valent və torsion bucaqları, potensial səthlərin xarakteristikaları
(məsələn, qüvvə sabitləri), rabitələrin dipol momentləri və s. haqqında məlumat
əldə etmək olar. Bundan başqa, bu üsulla fəza konformasiya izomerlərini müəyyən
etmək, molekuldaxili və molekullararası qarşılıqlı təsirləri öyrənmək, kimyəvi
rabitələrin xarakterini, molekullarda yüklərin paylanmasını, faza keçidlərini,
kimyəvi reaksiyaların kinetikasını, yaşama müddətləri kiçik olan (10
-6
san)
zərrəcikləri qeyd etmək, bir sıra həndəsi parametrləri dəqiqləşdirmək və
termodinamik funksiyaları hesablamaq üçün nəticələr də almaq mümkündür.
İQ spektroskopiya vasitəsilə alınan rəqsi spektrləri interpretasiya (təhlil,
analiz) etmək üçün müxtəlif modellərdən istifadə edilir ki, onları da 4 kateqoriyaya
bölürlər:
•
eyni tərkibli amorf və kristallik cisimlərin rəqsi spektrlərinin müqayisəsinə
əsaslanan modellər;
•
102 atomdan ibarət böyük klasterlərə əsaslanan hesablamalar;
•
müəyyən sayda atomlardan ibarət kiçik klasterlərə əsaslanan hesablamalar;
•
digər klasterlərlə rəqsi bağlı olmayan lokal molekulyar klasterlərə əsaslanan
hesablamalar.
Bu model hesablamalar keyfiyyət və kəmiyyət baxımından spektrləri dəqiq
təhlil etməyə, spektr və quruluşlar arasındakı uyğunluğu müəyyən etməyə imkan
verir.
MİKROSKOPİK ÜSULLAR
İşiqburaxan elektron mikroskopiyasi
XX əsrin 30-cu illərində işıq dalğası yerinə elektron şüasından istifadə edən
mikroskopun ilk sxemi verildi.
1932-ci ildə alman alimi Maks Kholl və Ernst Ruska tərəfindən ilk belə
mikroskop yaradıldı. 1986-cı ildə bu kəşfə görə Ernst Ruska fizika üzrə Nobel
mükafatına layiq görüldü. İEM-ları mikro- və nano ölçülü obyektlərin vizual
görüntüsünü tədqiq edən üsullardan biri hesab olunur.
İşıqburaxan elektron mikroskopu (İEM) bir neçə prinsipial xüsusiyyəti ilə
səciyyələnir, yəni aşağıdakı çatızmamazlığa malikdi:
1)
elektronlar seli maddə tərəfindən güclü udulmaya məruz qaldığı üçün qurğu
daxilində mütləq vakuum yaradılmalıdır;
2)
tədqiq edilən nümunə çox nazik olmalıdır (
∼ 100 nm ətrafında), bu isə texniki
cəhətcə çox çətin və mürəkkəbdir.
İşıqburaxan elektron mikroskopunda mənbədən gələn elektronlar nümunənin
üzərinə düşür, onun səthindən keçir, səpilir, obyektiv linza ilə fokuslanır,
böyüdücü linzadan keçir və nəhayət, səthin şəklini təsvir edir. Düşən şüada
elektronların dalğa uzunluğu
58
düsturu ilə hesablanır. Burada h – Plank sabiti, m
0
- elektronun sükunət kütləsi, e –
elektronun yükü, V – kilovatlarla
ifadə olunan sürətləndirilmiş
(gücləndirilmiş) gərginlik, c – işıq
sürətidir. Elektronlar tərəfindən
alınan enerji isə E=eV –a
bərabərdir.
Müasir İEM mürəkkəb fiziki
qurğudur. Onun detalları (əsasən
optik sistemin detalları) xüsusi
materiallardan hazırlanır və
dəqiqlik tələb edir. Bundan başqa,
bu qurğu vibrasiyaya davamlı
olmalıdır. Ona görə də yüksəkvoltlu
EM-ları üçün xüsusi özül
(fundament) hazırlanır. İşıqburaxan
elektron mikroskopunun ayırdetmə
qabiliyyəti 0,05 nm tərtibindədir.
Bu mikroskopların elektron-optik
böyütmə tərtibi
∼ 600.000 ÷
1.300.000 -ə bərabərdir. Sonrakı böyütmə isə fotoqrafik üsulla yerinə yetirilir (5 –
20 dəfə). 200 kV-a qədər sürətləndirilmiş elektronların dalğa uzunluğu 0,0025 nm
tərtibində olur.
Alınan görüntüləri təhlil etmək üçün, tədqiqatçılar difraksiya
nəzəriyyəsindən istifadə edirlər. Çünki İEM-da obyektlərin şəkli 2 rejimdə alınır:
işıqlı sahə və tünd sahə rejimində. İşıqlı sahədə şəkil (yəni obyektin görüntüsü) –
kiçik enerji itkisi ilə obyektdən keçən elektronlar vasitəsilə formalaşır və
böyüdülmüş olur.
Tünd sahədə isə şəkil səpilmiş elektronlar vasitəsilə formalaşır.
İşıqlı sahə ilə müqayisədə, tünd sahədə görüntü neqativ kimi alınır.
İEM vasitəsilə müxtəlif materialların: metalların, ərintilərin, keramikanın,
polimerlərin, nanoboruların, füllerenlərin, nanoquruluşların və çoxlaylı nazuk
təbəqələrin quruluşlarını tədqiq etmək mümkündür.
Skanedici elektron mikroskopiyasi
Nümunənin hazırlanması problemi skanedici elektron mikroskopu (SEM) ilə
aradan götürülür.
nm
V
c
m
eV
eV
m
h
0388
,
0
2
1
2
2
0
0
=
⎥
⎦
⎤
⎢
⎣
⎡
+
=
λ
fərq
düşm
hərə
yara
tərti
bilm
sürə
istiq
müs
kato
müm
loka
olar
qoyi
man
siste
mün
buxa
SEM-in
qlər vardır
mür; 2) fo
əkət edərə
atmaq prob
Əgər İş
bindədirsə
mir.
Şəkildə
ətləndirən
qamətləndi
stəvi plasti
Detekto
odlüminess
mkündür. B
al element
.
SEM il
ilir: 1) s
neələri də
emlərin p
nasibəti d
arlanması
n konstruk
. Bu fərql
okuslanma
ək səthi sk
blemi də a
şıqburaxan
ə, Skanedi
ən göründ
sistemd
irmər üçü
inkadan, d
or sisteml
sensiyasın
Bu zaman
t tərkibini
lə quruluş
skanetmə
əf etmək
parametrlə
düzgün tə
, və ya ion
ksiyası İE
lər ondan
a müəyyən
kan edir (t
aradan göt
n elektron
ici elektro
düyü kim
dən, ma
ün əyici ça
detektor və
ləri və sp
nı, tormo
n alınan tə
in kəmiyy
şun səthin
prosesin
üçün nü
əri ilə a
ənzimlənm
n tozlandır
EM-ə çox
ibarətdir k
n bir nöqtə
tarayır).
türülür.
n mikrosk
on mikrosk
mi, SEM
aqnit lin
arxdan, təd
ə analizato
pektrometr
zlanmış
svirlər və
yət xarakt
ni tədqiq e
ndə səthi
ümunə sət
ayırdetmə
məlidir. B
rılması va
x oxşasa b
ki, 1) bura
ədə baş ve
Bundan b
kopunun a
kopunda b
elektronl
nzadan,
dqiq oluna
ordan ibar
rlər düzgü
rentgen ş
spektrlərd
teristikalar
etmək üçü
yüklərin
thi elektr
qabiliyy
Bunun üçü
asitəsilə di
belə, onla
ada elektr
erir və 3)
başqa, qur
ayırdetmə
bu göstəric
lar mənb
elektronl
an nümunə
rətdir.
ün seçildi
şüalanmas
dən, nümu
rı haqqınd
ün nümun
yığılmas
rokeçirici
yətini təy
ün tədqiq
ielektrik s
ar arasınd
ronlar seli
sistemin k
rğu daxilin
ə qabiliyyə
ci 0,2 nm
əyindən,
lar selin
ənin yerlə
ikdə, SEM
sını da q
unə səthind
da inform
nələrə bir
sı hesabı
olmalıdır
yin edən
qatdan ön
əthlərə iki
da prinsip
bütün sət
köməyi ilə
ndə vakuu
əti 0,05 n
tərtibini a
elektronl
ni düzg
əşdiyi xüsu
M vasitəs
qeyd etm
dəki laylar
masiya alm
sıra tələb
ına yaran
r; 2) opt
siqnal
⁄k
ncə vakuu
inci elektr
59
pial
thə
ə o
um
nm
aşa
ları
gün
usi
silə
mək
rın
maq
lər
nan
tiki
küy
um
ron
60
emissiya əmsalı yüksək olan bircins nazik (15-20 nm) metal təbəqə (Au, Au-Pd,
Pt-Pd) çəkilir.
SEM-də alınan mürəkkəb, yarımfazalı təsvirləri interpretasiya – təhlil etmək
üçün kompüterdən istifadə olunur. Bu təhlil kəmiyyətcə morfoloji analiz aparmağa,
yəni quruluş elementlərinin ölçü və forması, onların oriyentasiyası (istiqaməti),
fəzada yerləşməsi və quruluşun komponentlərinin skeleti haqqında məlumat
almağa imkan verir.
Skanedici zond mikroskopiyasi
İşıqburaxan və skanedici elektron mikroskoplarının texniki mürəkkəbliyi
alimləri yeni üsulllar axtarmağa sövq etdi.
Bu yeni üsul skanedici zond mikroskopiyası oldu. Zond mikroskopiyası özü
2 növ mikroskopla – atom-qüvvə və tunnel mikroskopları ilə xarakterizə olunur.
Onları ümumiləşdirən əsas cəhət ölçmələrin iynə formalı ölçüsü bir neçə atom
radiusu tərtibində olan (
∼ 10 nm) zondla aparılmasından ibarətdir.
Zond mikroskoplarında zond ilə nümunə səthi arasındakı xarakterik məsafə
0,1 -10 nm diapazonunda yerləşir. Bu mikroskopların iş prinsipi səthlə zond
arasında müxtəlif qarşılıqlı təsirlərə əsaslanır. Belə ki, atom-qüvvə
mikroskopiyasında skanedilən oblastın hər bir nöqtəsində zondun səthlə qarşılıqlı
təsiri, skanedici tunnel mikroskopiyasında isə tunnel cərəyanı ölçülür. Hər 2
mikroskop ilə təsirləri təhlil – analiz etmək üçün, SEM-də olduğu kimi,
kompüterdən istifadə olunur.
Skanedici zond mikroskopları vasitəsilə səthin təsviri aşağıdakı kimi alınır:
zond nümunə üzərində xüsusi xətlə hərəkət etdirilir və səthin relyefinə uyğun
qiymət alan siqnal kompüterin yaddaşına ötürülür; sonra zond ilkin vəziyyətinə
qayıdır və skanetmə digər xətt üzərində eyni cür təkrar gedir. Skanetmə prosesində
bu cür yaranan siqnallar kompüter tərəfindən təhlil edilir və səthin z=f(x, y)
relyefinin kompüter qrafiki qurulur.
Skanedici zond mikroskoplarında ən vacib texniki problemlərdən biri zond
və nümunənin bir-birindən asılı olmayan yerdəyişməsinin həyata keçirilməsi ilə
bağlıdır. Səthin relyefinin tədqiqindən başqa, zond mikroskopları ilə səthin digər
parametrlərini (mexaniki, elektrik, maqnit və optiki parametrlərini) də ölçmək olur.
SZM bütövlükdə rəqsi sistem olduğu üçün, onun hər bir hissəsinin ayrılıqda
rezonans tezlikləri cəmi
ω –dan asılıdır. Xarici mexaniki təsirlərin rəqsləri ω ilə
üst-üstə düşdükdə, zondun iynəsində rezonans hadisəsi baş verir. Bu da zondun
nümunəyə nəzərən rəqsinə səbəb olur və parazit periodik küy kimi qəbul edilir.
Nəticədə nümunə səthinin SZM təsvirləri təhrif olunmuş görüntüyə malik olur.
Xarici vibrasiyaları azaltmaq məqsədi ilə ölçmə başlıqları yüksək tezlikli (10 kHs-
dən çox) böyük metallik detallardan hazırlanır. Qurğunu bütövlükdə xarici
vibrasiyalardan qorumaq üçün isə müxtəlif vibroizolyasiya sistemlərindən istifadə
olunur. Ümumiyyətlə, effektiv müdafiəni tam təmin etmək mümkün olmur. Lakin
vibrasiya sisteminin rezonans tezliyini mümkün qədər azaltmaqla küyü də
azaltmaq olar.
61
Skanedici tunnel mikroskopu
Skanedici tunnel mikroskopiyası (STM) Binniq və Rorer tərəfindən
yaradılmış və bu nailiyyətlərinə görə onlara 1986-cı ildə Nobel mükafatı
verilmişdir. Bu mikroskopun iş prinsipi tunnel cərəyanının ölçülməsi ilə
səciyyələnir, yəni zond və nümunə arasında tunnel cərəyanı yaranır. Bunun
nəticəsndə də bərk cismin səthindən elektronların ucluğa - zonda tunnelləşməsi baş
verir. Cərəyan keçməsi üçün həm nümunə, həm də iynənin ucu keçirici, ya da
yarımkeçirici olmalıdır
Zondu nümunə səthinə bir neçə anqstrem məsafəyə qədər yaxınlaşdırdıqda şəffaf-
tunnel potensial çəpəri yaranır və onun qiyməti, əsasən, zond materialından (A
z
⁄m
)
və nümunədən çıxan elektronların işindən (A
çıxış
) asılı olur. Keyfiyyət baxımından
potensial çəpəri materialların orta çıxış işinə bərabər olan effektiv hündürlüklü
düzbucaqlı çəpər kimi qəbul etsık, elektronun orta çıxış işi
ϕ*= A
z
⁄m
+ A
çıxış
olar. Kvant mexanikasından məlumdur ki, düzbucaqlı formalı birölçülü çəpərdən
elektronların tunnelləşmə ehtimalı (keçid əmsalı)
Z
k
t
e
A
A
D
Δ
−
≅
=
2
0
2
bərabərdir. Burada
0
A - çəpərə doğru hərəkət edən elektronun dalğa funksiyasının
amplitudu,
t
A - çəpərdən keçən elektronun dalğa funksiyasının amplitudu, k –
potensial çəpərə uyğun oblastda dalğa funksiyasının sönmə sabiti,
Z
Δ
- çəpərin
enidir. İki metalın tunnel kontaktı üçün sönmə sabitinin ifadəsi isə aşağıdakı
kimidir:
h
m
k
∗
=
ϕ
π
2
2
.
62
Burada m – elektronun kütləsi,
∗
ϕ
- elektronun orta çıxış işi, h – Plank sabitidir.
Tunnel miukroskoplarında potensial çəpərdən elektronların tunnelləşmə sxemi
Tunnel kontaktına V potensiallar fərqi verdikdə zond ilə nümunə arasında
tunnel cərəyanı yaranır.
Həqiqətdə isə STM-də real tunnel kontaktı birölçülü olmayıb, mürəkkəb
həndəsəyə malikdir. Təqribən d=0,5÷1,0 nm məsafədə iynənin ucunun və səthin
atom orbitallarının bir-birini örtmə ehtimalı az olduğu üçün, yaranan
nanokontaktda potensial çəpərdən elektronların tunnelləşmə ehtimalı
D
∼ exp {-2d
ç
ş
}
ifadəsi ilə təyin oluna bilər: burada, A
çıxış
>> V (A
çıxış
- elektronlrın çıxış işi, V –
zondun gərginliyidir).
Bu deyilənlərdən aydın olur ki, səth üzərində iynənin yerdəyişməsi
nəticəsində yaranan tunnel cərəyanın qiyməti (V və d-nin bəzi seçilmiş
qiymətlərində ) səthin relyefindən (kələ-kötürlüyündən) və elektron sıxlığından -
ρ(E,R) asılıdır. “Biratomlu” iynələr üçün (burada tunnel cərəyanı yalnız səthə
yaxın bir atom orbitalının örtülməsi nəticəsində meydana çıxır) δJ
⁄ δR≈ 1 nA⁄nm.
Bu qiymət skan prosesində səthin görüntüsünün alınması üçün kifayət edir.
STM ilə ayrı-ayrı atom və molekulları, nanoklasterləri tədqiq etmək, səthin
relyefini öyrənmək, atom səviyyəsində adsorbsiya və desorbsiya proseslərini
izləmək və molekulların rəqs spektrlərini ölçmək olur. Bundan başqa, STM-dən
istifadə etməklə hər hansı bir atomu ucluq vasitəsilə müxtəlif hissələrə aparmaq və
yeni quruluş yaratmaq mümkündür.
STM vasitəsilə müxtəlif material və nümunələri tədqiq etmək üçün 2
rejimdən istifadə edilir:
1.
Sabit hündürlük rejimi.
Adından göründüyü kimi, sabit hündürlük
rejimində hündürlük sabit qalır, iynənin ucu isə nümunə üzərində horizontal
müstəvi xətt üzrə hərəkət edir; dəyişən tunnelləşmə cərəyanı olur. Nümunə
səthinin skan edilməsi prosesində tunnelləşmə cərəyanının qiymətinə uyğun
olaraq topoqrafiya nümunəsi qurulur.
Atomar səviyyədə hamar səthlərin sabit hündürlük rejimində (
const
Z
=
)
STM təsvirlərini almaq daha effektiv sayılır. Bu halda zond səth üzərində bir neçə
anqstrem məsafədə yerdəyişmə edir və tunnel cərəyanı səthin STM təsviri kimi
qeyd olunur (şəkil a). Bu rejimdə skanetmə yüksək sürətlə gedir, STM təsvirləri
63
də yüksək tezliklə alınır. Bu da, praktik olaraq, səth üzərində baş verən bütün
dəyişiklikləri görməyə imkan verir.
(a)
(b)
Sabit məsafədə (a) və sabit tunnel cərəyanı rejimində (b) səthin STM təsvirinin yaranması
2.
Sabit cərəyan rejimi.
Sabit cərəyan rejimində isə cərəyanı sabit saxlamaq
üşün səthin hər bir nöqtəsində skan edən qurğunun hündürlüyü tez-tez
dəyişdirilir. Məsələn, sistem tunnel cərəyanının artdığını qeyd etdikdə, o saat
iynənin nümunədən uzaqlaşması və yaranan disbalansın aradan qaldırılması
üçün skan edici qurğuya gələn gərginlik dəyişdirilir (şəkil b).
Hər bir rejimin öz üstünlükləri var. 1-ci rejim çox tez işləmə rejimi hesab
olunur. Çünki burada sistemi aşağı-yuxarı hərəkət etdirmək lazım gəlmir. Lakin bu
üsulla yalnız hamar səthləri ölçmək olar. 2-ci rejim isə daha uzun vaxt aparması ilə
bərabər, hamar olmayan (qeyri-müntəzəm) səthləri tədqiq etməyə imkan verir.
Tədqiqatlar içərisində spindən-asılı yaranan effektlər və elektronların qeyri-
elastiki tunnelləşməsi
ön plana çəkilir. Spindən-asılı effektlər elektronun spininin
oriyentasiyasından (istiqamətindən) asılı olub, tunnel keçidlərinin ehtimalı ilə
müəyyən edilir. Elektronların qeyri-elastiki tunnelləşməsi dedikdə isə,
adsorbsiyaya uğramış zərrəciklərin elektron və rəqs enerjilərinin tunnelləşən
elektronlar ilə mübadiləsi başa düşülür. Bu proseslərin hər 2-si volt-amper
xarakteristikaları ilə tədqiq olunur.
Tunnel kontaktının volt-amper xarakteristikalarının (VAX) hesablanması.
Səthin müxtəlif nöqtələrində STM ilə tunnel kontaktının VAX-ını
qiymətləndirmək, nümunənin lokal keçiriciliyi haqqında fikir yürütmək və
elektronların enerji spektrinin lokal sıxlığının xüsusiyyətlərini öyrənmək olar.
STM-də tunnel kontaktının VAX-nı qeyd etmək üçün aşağıdakı prosesi yerinə
64
yetirmək lazımdır. Əvvəlcə nümunə üzərində hesablama aparılacaq oblast seçilir
və zond skaner vasitəsi ilə səthin həmin yerinə gətirilir. VAX kontaktını almaq
üçün tunnel keçidlərinə xətti artan gərginlik verilir. Bu zaman tunnel kontaktından
keçən gərginliyin dəyişməsinə uyğun gələn cərəyan qeyd edilir. Hər bir nöqtədə
VAX üçün bir neçə qiymət götürmək olar. Ona görə də, ümumi VAX-ı
qiymətləndirmək üçün bir nöqtədən götürülmüş VAX-ların orta qiyməti tapılır.
Ortalanma tunnel keçidləri zamanıı küylərin təsirini də minimuma endirməyə
imkan verir.
Ümumiyyətlə,VAX tunnel kontaktı ətrafında nümunənin böyük olmayan
oblastındakı xassələrlə təyin edilir.
Tunnel kontaktı zamanı gərginliyin xarakterik qiyməti 0,1
÷1 V, tunnel
cərəyanının qiyməti 0,1
÷1 nA, tunnel kontaktı müqavimətinin qiyməti isə 10
8
÷10
10
Om tərtibində olur. STM səthin ixtiyari nöqtəsində zondla nümunə arasında
tunnel-kontaktının VAX-nı təyin etməklə yanaşı, nümunənin lokal elektrik
xassələrini də təhlil etməyə imkan verir.
Yaxinsahəli skanedici optik mikroskopiya
Yaxınsahəli skanedici optik mikroskopiya (YSOM) STM-dən sonra İBM
firmasının əməkdaşı Diter Pol tərəfindən yaradılmışdır. Bu mikroskop STM-in bir
növü olub, STM-dən yalnış onunla fərqlənir ki, burada görünən işıqdan istifadə
olunur. Məhz bu səbəbdən də bu mikroskopun digər adı – skanedici işıq
mikroskopu (SİM)
adlanır.
Bu mikroskoplarda nümunəni skan edən zond əvəzinə “işıq çuxurundan”
istifadə olunur. Görünən işıq diametri 10÷30 nm olan işıq çuxurundan gələrək, ya
nümunədək keçir, ya da nümunədən əks olunaraq detektor üzərinə düşür. Optik
siqnalın intensivliyi hər bir nöqtədə qeyd edilərək nümunə haqqında təsəvvür
yaradır.
YSOM ilə səthin görünüşü o zaman alınır ki, burada işıq mənbəyi ilə nümunə
arasındakı məsafə 5 nm-dən çox olmasın. Bu halda mikroskopun ayırdetmə
qabiliyyəti 15 nm-ə bərabər olur. Bu mikroskopun digər skanedici üsullardan bir
sıra üstünlükləri var: 1. YSOM-da səthin görünüşü optik diapazonda (görünən
işıqda) alınır; 2. Bu mikroskopun ayırdetmə qabiliyyəti digər optik sistemlərin
ayırdetmə qabiliyyətindən qat-qat yüksəkdir.
Atom-qüvvə və maqnit-qüvvə mikroskopiyası
STM-dən təqribən 5 il sonra Skanedici tunnel mikroskopunun
yaradıcılarından biri olan Binniq digər əməkdaşlarla - Xueyton və Herber ilə birgə
yeni bir mikroskop yaradırlar və onu Atom-qüvvət mikroskopu (AQM)
adlandırırlar.
STM kimi atom-qüvvə mikroskopu (AQM) da zondlu mikroskopdur,
lakin burada tunnel cərəyanı deyil, iynənin ucu ilə nümunə arasında yaranan
qarşılıqlı təsir qüvvəsi ölçülür.
üstü
keçi
“qol
qüvv
aras
və s
göst
ilə x
Bura
kiçik
göst
nüm
Bu yen
ünlüyü odu
irici olmay
Səthin
llardan” -
və konsol
ındakı qar
Yuxarıd
səth arası
tərici mole
xarakterizə
ada F – V
k qarşılıql
tərir.
AQM-n
munənin at
ni mikrosk
ur ki, bu m
yan materi
təsvirini
konsolda
un meyl e
rşılıqlı təs
da qeyd e
ındakı tun
ekullarara
ə olunur:
Van-der-Va
lı təsirlərə
nun iş pri
tomları tə
kop öz “
mikroskop
ialların sə
almaq ü
an istifadə
etməsinə s
iri qiymət
Atom-qüv
tdik ki, S
nnel cərəy
ası qarşılıq
F
aals qarşıl
ə malik itə
insipi bel
ərəfindən
“əvvəlki q
la atmosfe
thini tədq
üçün ucu
ə edilir (ş
səbəb olur
tləndirmək
vvə mikrosk
TM-in ato
yanından
qlı təsirin
F = C
1
⁄ R
1
ıqlı təsiri,
ələmə qüv
lədir: iynə
cəzb olun
atomla
qədər
kiçilm
nəticəs
azalma
məsafə
olur.
Sət
qüvvəl
olmaq
Yax
atomla
qardaşı” S
er təzyiqi
iq etmək m
unda iti z
şəkil). Sət
r. Meyillil
k olar.
kopunun iş
om tərtibin
eksponen
onlar ara
3
- C
2
⁄ R
7
C
1
və C
2
vvələrini,
Ι
ə səthə y
nur. Qarş
arın elektr
artır. At
məsi ilə
sində, ca
ağa başlay
İtələmə v
ənin 0,2 n
th və zo
lərinin y
la 2 növün
xıntəsirli
arın elek
STM-dən
şəraitində
mümkünd
zond olan
th tərəfind
liyi qeyd
ş prinsipi
ndə ayırde
nsial asılı
alarındakı
isə sabitlə
ΙΙ həddi i
axınlaşdıq
şılıqlı təsi
ron örtüklə
tomlararas
ə, elek
azibə qü
yacaq.
ə cazibə q
nm tərtibin
nd arasın
yaxıntəsir
nü ayırd e
qüvvələr
ktron ört
də irəli g
ə həm keçi
dür.
n mütəhə
dən zonda
etməklə z
etmə qabi
dır. AQM
R məsafə
ərdir. Tən
sə - cazib
qca, iynən
ir qüvvəsi
əri bir-bir
sı məsafə
ktrostatik
üvvəsi e
qüvvələri
ndə bir-bi
ndakı qar
rli və
dirlər.
r iynənin
tükləri il
getdi. On
irici, həm
ərrik xüsu
a təsir ed
zond və sə
iliyyəti zo
M-da isə
ədən asılıl
liyin
Ι həd
bə qüvvlər
nin atoml
inin qiym
ini itələyə
ənin sonra
itələnm
eksponens
atomlarar
irinə bərab
rşılıqlı tə
uzaqtəsi
n ucunda
lə səthdə
65
nun
də
usi
dən
əth
ond
bu
lığı
ddi
rini
ları
məti
ənə
akı
mə
sial
ası
bər
əsir
irli
akı
əki
66
atomların elektron örtüklərinin bir-birini
∼ 0,1-1 nm məsafədə örtməsi zamanı
meydana çıxır və məsafə artdıqca azalmağa başlayır. Yaxıntəsirli qüvvələr səth
atomları ilə iynənin ucundakı çox az qisim atomlar arasında mövcud olur. Bu
zaman AQM ilə səthin görüntüsünün alınması rejimi kontaktlı rejim adlanır.
Uzaqtəsirli qüvvələrin yaranması ilə van-der-Vaals, elektrostatik və maqnit
qarşılıqlı təsirləri ilə sıx bağlıdır. Bu qüvvələrin məsafədən asılılığı çox azdır və
onlar iynə-nümunə məsafəsinin 0,1-1000 nm qiymətlərində yaranır. Ona görə də
bu qüvvələrə çoxlu sayda atomlar cəlb edilmiş olur. AQM ilə səthin görüntüsünün
uzaq təsirli qüvvələrlə alınma rejimi kontaktsız rejim adlanır.
Gördüyümüz kimi, AQM qarşılıqlı təsirin növündən asılı olaraq 2 rejimdə
işləyə bilr: 1. Kontaktlı ; və 2. Kontakrsız.
Kontaktlı qarşılıqlı təsir rejimində cəzbetmə qüvvələri üstünlük təşkil edir və
bu qüvvələr aşağıdakı kimi ifadə olunur:
2
∆
Burada
Δν=ν−ν
r
– zond və səthin cazibəsi ilə əlaqədar meydana gələn rəqs
tezliyinin dəyişməsidir, k –elastiklik əmsalıdır.
Δν kəmiyyəti iynə ilə səthin skan
edilməsi prosesində rəqs amplitudunun dəyişməsi ilə müəyyən edilir.
Kontaktsız qarşılıqlı təsir rejimində kiçik məsafələrdə itələmə qüvvələri
üstünlük təşkil edir. Sadə halda zond özünü qrammafon iynəsi kimi aparır və onun
vertikal (şaquli) rəqsləri səthin relyefini təsvir edir.
Kontaktlı və kontaktsız rejimlər arasında olan rejim isə kiçik zaman ərzində
səthlə iynə arasında periodik olaraq yaranan “tıqqıldatma” rejimi (tapping mode)
adlanır. Bu rejimdə iynəni hərəkətə gətirən konsol öz məxsusi rezonansı hesabına
50-100 nm amplitudla rəqs edir. Bu rejim kontaktlı rejimlə müqayisədə horizontal
səthdə daha yüksək ayırdetmə qabiliyyəti ilə xarakterizə olunur.
Hal-hazırda AQM-nin səthin maqnit, elektrostatik, mexaniki və digər
xassələrini tədqiq edən müxtəlif modifikasiyaları yaradılmışdır ki, bunlardan
birinin maqnit-qüvvə mikroskopunun (MQM) iş prinsipi ilə tanış olaq.
İlk öncə onu qeyd edək ki, MQM-də AQM-dən fərqli olaraq Van-der-vaals
qüvvələri ilə yanaşı, maqnit dipol qüvvələrindən də istifadə olunur. Zond səthdən
10-50 nm məsafəyə qədər uzaqlaşdıqda zonda yalnız maqnit qüvvələri təsir edir.
Bu halda zondun düz xətt boyunca hərəkətindən kənara çıxmaları, məhz maqnit
qüvvələri hesabına baş verir. MQM-də iynəyə təsir edən qüvvə
F=m
0
grad H
Burada m
0
-maqnit momenti, H-maqnit sahəsinin gərginliyidir.
Gəlin səth üzərində hər hansı bir maqnit klasterinin olduğunu fərz edək. Bu
maqnit klasteri öz ətrafında maqnit sahəsi yaradacaq və onun gəginliyinin R
məsafəsindən asılılığı:
3
tənliyi ilə qiymətləndiriləcək. Burada r – seçilmiş istiqamətdə radius-vektor, m isə
klasterin maqnit momentidir.
Onda MQM-ndə iynə ilə maqnit klasteri arasında
qarşılıqlı təsir qüvvəsi
67
.
Z oxu istiqamətində yönəlmiş dipol momentləri üçün iynə ilə klaster
arasında qarşılıqlı təsir qüvvəsi
F
z
= - 6m
0
m
⁄
z
4
-ə, qüvvə sahəsinin qradiyenti isə
dF
⁄
dz=24m
0
m
⁄
z
4
-ə bərabərdir.
MQM ilə nazik səthləri, nanoklasterləri və nanoquruluşları, informasiya
daşıyıcı maqnitləri tədqiq etmək daha məqsədəuyğun hesab olunur. Bundan başqa,
MQM ilə maqnit yazılarını optimizasiya etmək də olur. Bu üsul ayrı-ayrı maqnit
oblastlarını görməklə yanaşı, bir neçə nanometr tərtibində domenləri də görmək
imkanına malikdir.
Nanolitoqrafiya: zond nanolitoqrafiyasi və çap litoqrafiyasi
Yuxarıda qeyd etmişdik ki, Skanedici zond mikroskopiyasının qeyri adiliyi
ondan ibarətdir ki, ondan tədqiqat üsulundan başqa, həm də nanoobyektlərin
yaradılmasında da istifadə etmək olar. Bu üsul sonralar zond nanolitoqrafiyası
adını aldı. Yüksək gərginlik verməklə zond nümunə səthindən atomu “qopararaq”
– “tutaraq” digər yerə apara bilir. Bu da bir-bir atomlarla ixtiyari molekulu, və ya
nanoquruluşu yığmağa imkan verir.
Bu üsulun əsas çatışmamazlığı onun kiçik istehsal qabiliyyəti ilə bağlıdır.
Belə ki, bir zond hətta maksimal sürətlə işləsə belə, böyük həcmlərlə, yəni çoxlu
sayda məhsul yarada bilməz. Hal-hazırda bu maneə çoxzondlu qurğuların
yaradılması ilə aradan götürülür.
Nanolitoqrafiyanın daha bir istiqaməti çap litoqrafiyası adlanır. Litoqrafik
üsullar hqqında məlumat verdikdə qeyd etmişdik ki, çap litoqrafiyasını digər
litoqrafik üsullardan fərqləndirən əsas cəhət odur ki, burada şüadan istifadə
olunmur; ümumi cəhət isə odur ki, burda klassik litoqrafiyada olduğu kimi səthlə
şablon birbaşa kontaktda olur. Çap litoqrafiyasında şəkil zond ilə çəkildiyi üçün
onu çap nanolitoqrafiyası da adlandırırlar.
Bu üsulun əsas çatışmamazlığı iş prosesində yüksək təzyiqdən istifadə
edilməsi ilə bağlıdır. Bunun nəticəsi olaraq şablonda gərginlik artır və o tez xarab
olur. Çap nanolitoqrafiyasında rezistis kimi şüşədən istifadə etdikdə, bu
çatışmamazlığı aradan qaldırmaq mümkün olur. Belə ki, şüşə özlü-axıcı maddə
olduğu üçün, onun özlülüyünü emal zamanı temperaturun artırılması hesabına
azaltmaqla şablona qoyulan təzyiq də azalır. Bu da onun “ömrünün uzanmasına”
imkan verir. Rezisti yumşaltmaq məqsədi ilə, əsasən, şüşə əmələ gəlmə
temperaturundan 20-50
° yüksək temperaturdan istifadə olunur. Bu halda rezistis
təzyiq altında axan özlü mayeyə çevrilir. Çap prosesi özü 40-150 bar təzyiqində
həyata keçirilir; rezistis layının qalınlığı 50-250 nm tərtibində olur. Bu prosesin
düzgün həyata keçməsi üçün rezistis layı altlıqla kimyəvi cəhətcə uyğunlaşmalıdır.
Bu o deməkdir ki, rezistis ilə altlıq kimyəvi cəhətcə uyğunlaşmış materialdan
ibarət olsa, onda yüksək temperaturun təsiri nəticəsində onlar arasında yaranan
qarşılıqlı təsir qüvvələri hesabına aydın, defektsiz şəkil almaq mümkün olmayacaq.
Dostları ilə paylaş: |