|
Ионизационная стратификация оболочек . Одной из характерной особенностей звездWR является
зависимость между полуширинами эмиссионных линий и потенциалами ионизации ионов соответствующих этим
линиям [8]. Эта зависимость проявляет себя в следующем: полуширины линий ионов с меньшими потенциалами
ионизации в среднем больше полуширин линий ионов с большими потенциалами ионизации. Этот
наблюдательный факт объясняется тем, что линии ионов с большими потенциалами ионизации образуются в
области оболочки расположенный вблизи звезды а линии ионов с меньшими потенциалами ионизации образуются
в наружных областях оболочки. Эта зависимость фактически показывает геометрическое место образования линий
различных ионов в оболочкaх звезд типа WR. На рис.1. и рис.2 приведены зависимости между потенциалами
ионизации и полуширинами линий (в единицах км/с) для различных ионов (HeI, HeII, CIII, CIV, NV) у звезд WR
| 
