Muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti qarshi filiali kampyuter injenering fakultiti

Tunnel diod deb, aynigan yarimo'tkazgichlar asosida hosil qilin- gan, teskari va kichik to'g'ri kuchlanish ta'sirida zaryad tashuvchi- larning tunellashuvi hamda VAXsining to'g'ri shahobchasida manfiy differensial qarshilikli soha kuzatiladigan elektron asboblarga aytiladi.
Tunnel diodlar tuzilishi boshqa diodlarnikidan deyarli farq qilmay- di, lekin ularni hosil qilish uchun kiritmalar konsentratsiyasi 10²⁰ sm^-3ni tashkil etuvchi yarimo'tkazgichlardan (GaAs yoki Ge) foydalaniladi.
Agar tunnel diodga to'g'ri yo'nalishda kichik kuchlanish berilsa, elektronlar o'tkazuvchanlik zonadan qarshisidagi valent zonaning bosh sathlariga tunnel ravishda o'tadi (3.11a-rasm). To'g'ri siljituvchi kuch- lanish qiymati ortishi bilan to'g'ri tunnel tok ortib boradi va o'tkazuv- chanlik zonadagi elektronlarning maksimal konsentratsiyasi valent zona- dagi bo'sh sathlarning maksimal soniga teng bo'lganda eng yuqori qiy- matga erishadi (3.11b-rasmda diod VAXning OA qismi).
To'g'ri siljituvchi kuchlanish qiyimati yana ham ortishi bilan W_C va W_V sathlarning bir-birini qoplashi kamayadi, natijada tunnel tok qiymati kamayadi, W_C sath W_V sathning ro'parasiga kelganda elektronlarning tunnelashuvi to'xtaydi (3.11b-rasmda diod VAXning AB sohasi). Bunda to'g'ri tok nolgacha kamaymaydi, chunki to'g'ri siljituvchi kuchlanish qiymati ortishi bilan diffuziya toki orta boshlaydi.
VAX nochiziqli bo'lganda, uning har bir kichik sohasi to'g'ri chiziq sifatida qaralib, xarakteristikaning ushbu nuqtasi uchun

D
differensial qarshilik kiritiladi _{R  dU / dI} . Agar xarakteristikada
kuchlanish ortishi bilan tok kamayadigan (tushuvchi) soha mavjud bo'l- sa, ushbu sohada differensial qarshilik manfiy (R_D<0) qiymatlarga ega bo'ladi.

1. 
   b)
   

3.11-rasm. Tunnel diodning energetik diagrammasi (a) va VAXi (b).

Tunnel diod VAXi 3.11b-rasmda keltirilgan. Xarakteristikaning AB sohasi manfiy differensial qarshilikka egaligi bilan ifodalanadi. Agar tunnel diod elektr zanjir tebranish konturiga ulansa, kontur parametrlari va manfiy differensial qarshilikning qiymatlari orasidagi ma'lum munosabatlarda ushbu zanjirda signallarni kuchaytirish yoki generat- siyalash imkoniyati yuzaga keladi. Tunnel diodlar asosan 3-30 Ggsga- cha chastotalar diapazonida ishlatiladi (3.12a-rasm).

1. 
   b)
   

3.12-rasm. Tunnel diodining ulanish sxemasi (a) va o„girilgan diod VAXi (b).

Potensial to'siq balandligi diod n - va p – sohalarining konsentrat- siyalariga bog'liq. Yuqori konsentratsiyali (yuqori legirlan-gan) p-n o'tish sohalaridan birida legirlash darajasi kamaytirilsa, p-n o'tishga kuchlanish berilmagan holda W_Cn va W_Vp sathlar bir xil balandlikda yotishiga erishish mumkin. Bunday holda p-n o'tish to'g'ri siljitilganda tunnel tok hosil bo'lmaydi va VAXning to'g'ri shahobchasi diffuziya toki hisobiga hosil bo'ladi. Ushbu diodlarning teskari shahobchasi elek- tronlarning tunnellanishi bilan aniqlanadi (3.12b-rasm) va ular o'gi- rilgan diod deb ataladi. Ular tunnel diodlarning bir ko'rinishi bo'lib, radiotexnik qurilmalarda detektorlar, signallar sathi past bo'lganda, aralashtirgich sifatida hamda kalit qurilmalarda ishlatiladi.

FOYDALANILGAN ADABIYOTLAR
1. Elektronika. X.K.Aripov, A.M.Abdullayev, N.B.Alimov, X.X.Bustanov, V.Y.Obyedkov, SH.T.Toshmatov. Toshkent 2012.
2. www. Ziyonet.uz
3.www.arxiv.uz.