Yarımkeçiricilərdə kontakt hadisələri: p-n - keçid
n-oblastından olan elektron, p-oblastına keçir və deşiklə rekombinasiya edir.
Kontakt təbəqənin 1mkm qalınlığında sərbəst yükdaşıyıcıların azalması baş verir ( bağlayıcı təbəqə yaranır ).
Bağlayıcı təbəqədə p-n keçidin daxili sahəsi yaranır. Kontakt potensiallar fərqi Δφк ( potnsial maneə) yaranır.
Fermi səviyyəsinin düzlənməsi, n-yarımkeçiricinin daha yüksəklikdəki tutulmuş səviyyələrindəki elektronların , p- yarımkeçiricinin ən aşağı boş səviyyələrinə keçidi hesabına baş verir. Səviyyələr sistemi yerlərini elə dəyişirlər ki, μ - kimyəvi potensialı qərarlaşsın və kontakt potensiallar fərqi yaranır :
p-n keçidin düz qoşulması
Xarici sahə potensial maneəni azaldır və cərəyanın əsas yükdaşıyıcılarının diffuziyasına səbəb olur. Cərəyanın axması, konsentrasiyası çox olan əsas yükdaşıyıcıların hesabına baş verir.Bağlayıcı təbəqənin qalınlığı azalacaqdır.
p-n keçidin voltamper xarakteristikası
Birtərəfli p-n keçidi birçox cihazlarda istifadə olunur. Bunlardan ən sadəsi – diod; dəyişən cərəyanı düzləndirmək üçün istifadə olunur.
Ventil fotoeffekti
Daxili fotoeffekt
İşığın təsirilə p-n keçidin bərkidici təbəqəsində tarazlıqda olmayan yükdaşıyıcılar generasiya edirlər. Daxili sahə yükdaşıyıcıları «sürükləyir» : deşiklər p-tipli yarımkeçiriçilərə tərəf, elektronlar – n-tip yarımkeçiricilərə tərəf hərəkət edəcəklər. Potensiallar fərqi yaranacaq – foto EHQ.
Günəş batareyalarında işıq enerjisi bilavasitə elektrik enerjisinə çevrilir.
Günəş batareyalarının çatışmazlıqları:
FİƏ –ın kiçik olması (12÷16%)
kövrəkliyi
Baha başa gəlməsi
Üstünlükləri :
Ekoloji təmiz olması;
Yer altından çıxan – kömür və qazdan fərqli olaraq, alternativ enerji mənbəyilə yeniləşdirilə bilməsi;
Günəş işığı kifayət etdiyindən, elektrik ötürücü xəttlərin olmadığı yerlərdə (səhralıqda və ya Yerin süni peyklərində) istifadə oluna bilməsi.
Dostları ilə paylaş: |
