2.2.2.Epitaksiya
“Pastdan-yuqoriga” texnologiyasi yig’ish yoli bilan alohida atom va
molekulalardan nanoo’lchamli ob’ektlarni olishdan iborat. Alohida atomlardan
nanomateriallarni yig’ish texnologiyalariniing ko’pchiligida kondensatsiya hodisasi
yotadi.
Kondensatsiya (ynoncha condenso-zichlayman, quyqlashtiraman so’zidan
olingan)- moddaning gazsimon holatidan suyuq yoki qattiq holatiga uni sovutish
yoki siqish natijasida o’tishi.
Yomg’ir, qor, shudring, qirov – tabiatning bu hamma hodisalari atmosferadagi
suv bug’larining kondensatsiyasi hatijasidan iborat. Bug’ning kondensatsiyasi
berilgan modda uchun kritik bo’lgan temperaturadan pastidagina sodir bo’lishi
mumkin xolos. Suvning molekulalari kabi boshqa ximiyaviy elementlarning
molekulalarini ham “kondensatsiyalash ” mumkin. Kondensatsiya va unga teskari
jarayon - bug’lanish moddaning fazaviy aylanishlariga misol hisoblanadi.
Gazning suyuqlikka yoki suyuqlikning qattiq jismga fazaviy aylanish
jarayoni ma’lum bir vaqt ichida sodir bo’ladi. Aylanish jarayonining boshlang’ich
bosqichida nanozarrachalar tashkil bo’ladilar, so’ngra ular makroskopik ob’ektlarga
o’sadilar. Agar fazaviy aylanishni boshlang’ich bosqichida “muzlatilsa”
nanozarrachalar olinishi mumkin.
Nanozarrachalarni kondenstsiyalash metodi bilan olinganda makroskopik
jismdan nanozarrachada yig’iladigan atomlarni bug’lash zarur. Bug’lanishni
makroskopik jismni termik yoki lazerli qizdirish yoli bilan amalga oshirish
mumkin. Bug’langan atomlarni past temperaturali sohalarga o’tkazish kerak, u erda
ular nanozarrachalarga kondensatsiyalanadi. Texnologik jarayonning murakkabligi
shundaki, nanozarrachalar o’sib, yani kattalashib makroskopik jismlarga aylanib
qolmasliklarini ta’minlaydigan sharoitni yaratishdan iborat.
Kondensatsiya hodisasi asosida fullerenlar, uglerodli quvurlar, nanoklasterlar
va turli o’lchamlardagi nanozarrachlar olinadi.
Kristallning (taglik) sirtida atomlarni boshqariladigan kondensatsiyasi
epitaksiya texnologiyasining asosi hisoblanadi.
Epitaksiya (yunoncha epi –ustidagi, ustida va taxis-joylashuv, tartib so’zlaridan
olingan) – bir kristallning (taglikning) sirtida boshqa kristallning yo’nalishli o’sishi
(2.10-
26
rasm).
Dostları ilə paylaş: |