O’zbekiston respublikasi oliy ta’lim fan va innovatsiyalar vazirligi islom karimov nomidagi toshkent davlat texnika universitetining qo‘qon filiali

Tiristorlar.

VAXida manfiy differensial karshilik mavjud bulgan, uch va undan ortik p-n utishlarga ega kup katlamli yarim utkazgich asbob tiristor deb ataladi.

Tiristorning VAXida tok ortishi bilan kuchlanish kamayadigan AV soxa mavjud (4.1-rasm).

4.1 rasm. Tiristorning S - simon VAXi.

Tiristor ishlaganda ikkita muvozanat holatda bulishi mumkin. Berk holatda tiristor katta karshilikka ega va undan kichik tok oqadi. Ochiq holatda tiristor karshiligi kichik va undan katta tok oqadi. Shundan yarimo‘tkazgich asbobning nomi (tira - eshik) qo‘yilgan. Tiristorlar radiolokatsiyada, radioaloqa qurilmalarida, avtomatikada manfiy o‘tkazuvchanlikka ega yarimo‘tkazgich asbob sifatida xamda tok boshqaruvchi kalitlar, energiya o‘zgartgichlarning bo‘sag‘aviy elementlari sifatida yoki boshlangich holatda energiya iste’mol qilmaydigan asbob - triggerlar sifatida keng ishlatiladi.

Tiristorlar chiqishlari soniga karab diodli (dinistor), triodli (trinistor) va tetrodli tiristorlarga bo‘linadi va to‘rt katlamli p-n-p-n tuzilmadan mos ravishda chiqarilgan ikki, uch va turt chiqishga ega buladi. Tuzilma chekkasidagi p - Katlam (A), n - katlam esa katod (K) deb nomlanadi. Anod va katod orasidagi n - va p - soxalar baza deb ataladi, ularga o‘rnatilgan elektrodlar esa boshqaruvchi elektrodlar deb ataladi. Diodli va triodli tiristorlar tokni faqat bir tomonlama o‘tkazadi. Bu o‘z navbatida, tiristorlarni o‘zgaruvchan tokini boshqarish imkoniyatini beradi. O‘zgaruvchan tok zanjirlarida ikki tomonlama kalit sifatida simistor (simmetrik tiristor) ishlatiladi. Simistor triak deb ham ataladi. Simistor p-n-p-n-p tuzilmaga va bir yoki ikki boshqaruvchi elektrodga ega.
Dinistor tuzilmasi va ishlash prinsipi
Uchta p-n o‘tishga ega diodga o‘xshash ikki elektrodli asbob dinistor deb ataladi. Uning tuzilmasi 4.2.a - rasmda, shartli belgilanishi esa 4.2.b - rasmda keltirilgan. Dinistorning uchta p-n utishi J₁ J₂ va J₃ deb beltilangan.

4.2-rasm.Dinistor tuzilmasi (a) va uning sxemalarda
shartli grafik belgilanishi (b).
Dinistor sxemalarda o‘zaro ulangan ikkita triodli tuzilma bilan almashtirilgan xolda ko‘rsatilishi mumkin. Dinistorni tashkil etuvchi tranzistorlarga ajratilishi va o‘zaro ulangan tranzistorlar bilan almashtirilishi 4.3-rasmda ko‘rsatilgan. Bu ulanishda T1 tranzistorning kollektor toki T2 tranzistorning baza tokini, T2 tranzistorning kollektortoki esa T1 tranzistorning baza tokini tashkil etadi. Tranzistorlarning bunday ulanishi xisobiga asbob ichida musbat TA hosil buladi. Agar anodga katodga nisbatan musbat kuchlanish berilgan bo‘lsa, J₁ va p-n o‘tishlar tug‘ri siljitilgan bo‘ladi, J₂ o‘tish esa teskari siljitiladi, shu sababdan manba E ning barcha kuchlanishi J₂ o‘tishga tushadi. T1 va T2 tranzistorlarning emitter toklarini uzatish koeffitsientlari mos ravishda a₁ va a₂ bo‘lsin.

4.3-rasm. Dinistorni ikkita tuzilmaga ajratilishi (a)
va almashtirish sxemasi (b).
4.3.b - rasmga muvofik tiristor orqali oqayotgan tok ikkala tranzistor kollektor toklari va siljish toki I_K0 yig‘indisiga teng buladi:
(4.1)
Tashqi zanjirdagi tok 1_E1 = 1_E2 = I, shuning uchun I ni (4.1) ga qo‘yib: I(1 -a₁ -a₂) = I_K0 deb yozish mumkin. Bundan tashqi tok I qiymati
(4.2)
ekanini topamiz.
(a₁ +a₂)<1 shart bajarilganda dinistor orkali oqaditan tok I_K0 ni tashkil etadi. (a₁ +a₂)>1 bo‘lganda dinistor ochiladi va tok o‘tkaza boshlaydi. Dinistornint ulanish sharti shundan iborat.
Dinistorda a₁ yoki a₂ tok uzatish koeffitsientlarni oshirishning yagona usuli uning anodida kuchlanishni oshirishdan iborat. Kuchlanish ortishi bilan U = Uyeah dan tranzistorlarning biri to‘yinish rejimiga o‘tadi. Ushbu tranzistorning kollektor toki, ikkinchi tranzistorning baza zanjirida oqib uni ochadi, o‘z navbatida, birinchi tranzistornint baza tokini oshiradi. Natijada tranzistorlarning kollektor toklari ular to‘yinish rejimiga o‘tmaguncha ko‘chkili ortadi.
Tranzistorlar ulangandan so‘ng dinistor ochiladi va tok I faqat tashqi zanjir karshiligi bilan chegaralanadi. Ochiq asbobdagi kuchlanish pasayishi 1V dan kichik bo‘lib, tahminan oddiy dioddagi kuchlanish tushishiga teng. Dinistorning VAXi 4.4.a - rasmda, impuls ulanish sxemasi esa 4.4.b - rasmda ko‘rsatilgan.

4.4-rasm. Dinistor VAXi (a) va uning impulьs
ulanish sxemasi (b).
4.4 – rasmda u_ulan - dinistorning ulanish kuchlanishi, u_qol - ochiq dinistordagi qoldik kuchlanish pasayishi, Iyu - yuklama toki, I_yzil - dinistorni o‘chirish toki, VD1 - yarimo‘tkazgich diod, VD2 - dinistor, R_yu - yuklama qarshiligi, R - chegaralovchi qarshilik, C- ajratuvchi kondensator, i_Bosh - boshqaruvchi impuls

4.5 – rasm. Zanjirni uzish (a), dinistorni shuntlash (b), anod tokini kamaytirish (v), teskari kuchlanish berish (g) bilan dinistorni o‘chirish usullari
Dinistorni undan oqayotgan tokni Ikki martagacha kamaytirib yoki dinistor anodidagi kuchlanish qutbini o‘zgartirib o‘chirishi mumkin. Dinistorni o‘chirishning turli usullari 4.5 - rasmda keltirilgan. Birinchi sxemada (a) dinistor zanjiridati tok kaliti K yordamida uziladi. Ikkinchi sxemada (b) dinistordagi kuchlanish pasayishi nolgacha kamayadi. Uchinchi sxemada (v) dinistordagi tok qo‘shimcha qarshilik Rq qo‘shish bilan I _l gacha kamaytiriladi. To‘rtinchi sxemada (g) kalit K tutashtirilganda ajratuvchi kondensator C yordamida dinistor anodiga teskari qutbli kuchlanish beriladi.
4.5 - rasmda: Ryu - yuklama qarshiligi, Rd - qo‘shimcha qarshilik, C - ajratuvchi kondensator,
K - kalit.