O’zbekiston Respublikasi xalq ta’lim vazirligi

Yarim o’tkazgichlar elektr o’tkazuvchanligi va uni temperaturaga bo’g’liqligi. To’liq zanjir uchun Om qonuni. KirxGorf koidalari va ularning tadbiqi.

1. 
   Hususiy yarim o’tkazgichlar.
   
2. 
   Kirishmali elektr o’tkazuvchanlik.
   
3. 
   To’liq zanjir uchun Om qonuni.
   
4. 
   Kirxgof qoidalari.
   

Hususiy yarim o’tkazgichlar.

1. 
   Mendeleev jadvalining 4-gruppasiga kiruvchi elementlar bo’lib ular 4 valentlidir. Ularning velentlik ionlari kristal panjara tugunida atomlar bilan o’zaro ikkitadan electron bilan bo’g’langan
   

Bunga kovalentli bo’g’lanish deyiladi. Yarim o’tkazgichlarga tashqi energiya berish orqali bu zaif bo’g’langan elektronlarni uzib erkin elektronlarga aylantirish mumkin. Bu ajralgan electron o’rni bo’shab qoladi. Bo’shab qolgan joyga “tishik” deb nom berilgan bo’lib, uni musbat zaryad deb qaraladi. Yarim o’tkazgichga elektr maydon ta’sir etirilsa, electron

va “teshik” qarama-qarshi yonalishda harakatlanib tok hosil bo’ladi.

Chunki bo’shab qolgan “teshik” ka qo’shni turgan electron o’tadi. Bu elektronni o’rni esa bo’shmaydi, shu kabi electron va “teshik” qarama-qarshi yonalishda harakatlanadi. Ko’rilib turibdiki, yarim o’tkazgichlarda tok tashuvchi zarralar manfiy zaryadli electron va musbat zaryadli teshik bo’lar ekan.

Agar tashqi beriladigan energiya oshsa, elektronlar va “teshik”lar soni ham ortib tok ko’payadi, ya’ni elktron o’tkazuvchalkigi ortadi.
Yarim o’tkazgichdagielektronlar va teshiklar kontsentratsiyasi mos holda n_-, n₊ va harakatchanligi v_- va v₊ desak, uning solishtirma elektr o’tkazuvchanligini quyidagicha yozamiz δ= δ₊+ δ_-=en₊v₊+en_-v_- (1.) Sof kremniyni xona haroratida elektronlar kontsentratsiyasi 10¹⁷m^-3 solishtirma qarshiligi 10³ Om^.m dam katta, ammo 1000 K haroratda kontsentratsiya 10²³m^-3 ga yetib, solishtirma qarshiligi 10^-3Om^.m gat eng bo’ladi, ya’ni 10⁶ marta kamayadi. Demak harorat ortishi bilan elektr o’tkazuvchanlik ortar ekan.