187
bunda
f
n
- berilgan chastotali fotonlar soni,
max
- Quyosh
spektridagi maksimal chastota.
Hisoblashlar
natijasi
7.6-
chizmada keltirilgan. Chizmadan
ko’rinadiki, eng yaxshi mos
kelgan
yarim
o’tkazgichlar
5
,
1
1
,
1
−
=
g
E
eV
bo’lgan yarim
o’tkazgichlar bo’lib hisoblanar
ekan.
Agar atmosferaning ta’siri
juda kichik deb ko’rilsa,
P
J
p
,
Ga
,
As
va
Cd
,
Te
lar quyosh
batareyasini tayyorlash uchun
eng yaxshi yarim o’tkazgichlar
bo’la oladi. Lekin atmosferaning
ta’siri ortishi bilan bularga qaraganda
Si
afzalroq bo’lib qoladi. Rus
olimlaridan
D.N.Nasledov,
V.K.Subashievlarning
nazariy
va
eksperimental ishlari eng yaxshi yarim o’tkazgichli materiallar,
quyosh batareyasini tayyorlash uchun
Si
,
GaAs
, va
CdTe
ekanligini
isbot qiladi. 7.6-chizmada fotoelementning vo’lt-amper xarakteriskasi
berilgan. 7.7-chizmada quyosh batareyasining ko’rinishi berilgan.
Dostları ilə paylaş: