chiqish kuchlanishi dreyfi
deyarli nolga teng
bo‘ladi.
DK ikkala kirishiga fazasi va amplitudalari bir xil bo‘lgan signal (sinfaz
signal) berilsa
=
, yelkalarning simmetrikligi va BTGning mavjudligi
tufayli kollektor toklari o‘zgarmaydi va ular o‘zgarishsiz va bir - biriga tengligicha
qoladi.
bu yerda
- emitter tokining uzatish koeffisienti.
Demak, kollektor potensiallari tengligicha qoladi, chiqish kuchlanishi
esa
. Bu deganiki, idel DK sinfaz kirish signallariga sezirsiz.
Agar kirish signallari amplitudasi bo‘yicha bir xil, lekin fazalari qarama –
qarshi bo‘lsa, u holda ular
differensial
deb ataladi. Differensial signal ta’siri
natijasida bir yelkadagi tok ikkinchi yelkadagi tok kamayishi hisobiga
ortadi
,
chunki
toklar
yig‘indisi doim
.
Bir
tranzistor kollektori potensiali kamayadi, ikkinchisiniki esa xuddi shu qiymatga
kamayadi. DK chiqishida potensillar farqi hosil bo‘ladi, demak, chiqish
kuchlanishi
.
Umumiy emitter ulanish sxemasida ishlaydigan kuchaytirgich tahlili
natijalaridan foydalangan holda, differensial signal (simmetrik kirish va chiqishga
ega
bo‘lgan)
ning
kuchaytirish
koeffisienti
qiymatini
olamiz
Ideal DKlarda sinfaz signallarni so‘ndirish natijasida nol dreyfi mavjud bo‘lmaydi.
Turli temperatura o‘zgarishlari, shovqinlar va navodkalar sinfaz signal bo‘lishi
mumkin. Real DKlarda yelkalarning absolyut simmteriyasiga erishish mukin emas,
shuning uchun nol dreyfi mavjud bo‘lib, u juda kichik qiymatga ega bo‘ladi.
Differensial kirishda, ya’ni kirish simmetrik bo‘lganda, DK kirish qarshiligi
sxemaning chap va o‘ng yelkalari kirish qarshiliklari yig‘indisiga
teng bo‘ladi, chunki bu qarshiliklar signal manbaiga nisbatan ketma – ket ulanadi.
Shunday qilib,
, bu yerda
- UE sxemasida ulangan
tranzistorning kirish qarshiligi.
kattaligi tranzistorning sokinlik toki Ib ga
bog‘liq bo‘ladi. Shuning uchun kirish signalini oshirish uchun kuchaytirgichni
kichik toklar rejimida ishlatish kerak.
Differensial kuchaytirgichning kuchaytirish koeffisienti kirish signallar
generatorining ulanish va chiqish signalining o‘lchanish usuliga bog‘liq.
DK kuchaytirish koeffisienti simmetrik kirishda ham, nosimmetrik
kirishda ham bir xil bo‘ladi.
Nosimmetrik chiqishda yuklama qarshiligi bir uchi bilan bir tranzistor
kollektoriga, ikkinchi uchi bilan esa – umumiy shinaga ulanadi. Bu vaqtda
K
U
simmetrik chiqishdagiga nisbatan 2 martaga kichik bo‘ladi.
Yuklama qarshiligi ikkinchi chiqish va umumiy shina oralig‘iga ulangan
bo‘lsin. Agar kirish signali 1 kirishga uzatilsa, u holda chiqish signali fazasi kirish
signali fazasiga mos keladi. Bu vaqtda 1 kirishga “inverslamaydigan” kirish nomi
beriladi. Agar kirish signali 2 kirishga uzatilsa, u holda chiqish va kirish signallari
fazasi bir – biriga qarama –qarshi bo‘ladi va 2 kirish “inverslaydigan” kirish deb
ataldi.
Kichik kirish toklariga ega bo‘lgan maydoniy tranzistorlar qo‘llash
natijasida differensial kuchaytirgich kirish qarshiligini sezilarli oshirish mumkin.
Bu vaqtda
r–n
bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorlarga katta e’tibor
qaratiladi.
r–n
bilan boshqariladigan, kanali
n
–turli maydoniy tranzistorlarda
bajarilgan DK sxemasi 54 – rasmda keltirilgan. Barqaror tok generatori VT3
va
R
I
da bajarilgan.
R
SIL1
i
R
SIL2
rezistorlari VT1 va VT2 tranzistor zatvorlariga
boshlang‘ich siljishni berish uchun mo‘ljallangan.
|