tashkil topgan 5000 mikrosxema yaratish mumkin. Diametri 120 mm bo‘lgan
plastinada o‘nlab milliontagacha element joylashtirish mumkin.
Zamonaviy IMSlar qotishmali planar – epitaksial texnologiyada yasaladi. Bu
texnologiya planar texnologiyadan shunisi bilan farq qiladiki, barcha elementlar
r
–
turdagi asosda o‘stirilgan
n
–turdagi kremniy qatlamida hosil qilinadi. Epitaksiya
deb kristall tuzilmasi asosnikidan bo‘lgan qatlam o‘stirishga aytiladi.
a) b)
7.1 – rasm.
Planar – epitaksial texnologiyada yasalgan
tranzistorlar ancha tejamli,
hamda planarliga nisbatan yaxshilangan parametr va xarateristikalarga ega.
Buning uchun asosga epitaksiyadan avval
n
+
- qatlam kiritiladi (7.2 - rasm).
Bu holda tranzistor orqali tok kollektordagi yuqoriomli rezitordan emas, balki
kichikomli
n
+
- qatlam orqali oqib o‘tadi.
7.2 – rasm.
Mikrosxema turli elementlarini elektr jihatdan birlashtirish uchun
metllizasiyalash qo‘llaniladi. Metallizasiyalash
jarayonida oltin, kumush, xrom
yoki alyuminiydan yupqa metall pardalar hosil qilinadi. Kremniyli IMSlarda
metallizasiyalash uchun alyuminiydan keng foydalaniladi.
Sxemotexnik belgilariga ko‘ra mikrosxemalar ikki sinfga bo‘linadi.
IMS bajarayotgan asosiy vazifa – elektr signali (tok yoki kuchlanish) ni
ko‘rinishida berilayotgan axborotni qayta ishlash hisoblanadi. Elektr signallari
uzluksiz (analog) yoki diskret (raqamli) shaklda ifodalanishi mumkin.
Shu sababli, analog signallarni qayta ishlaydigan mikrosxemalar –
Dostları ilə paylaş: