30. Bipolyar tranzistorlar
Yüklə 0,53 Mb. Pdf görüntüsü
|
- Bu səhifədəki naviqasiya:
- Ko‘p emitterli integral tranzistorning
- Ko‘p kollektorli integral tranzistorning
|
21. INTEGRAL TRANZISTORLAR Integral tranzistorlar kremniy monokristalidan tayyorlangan plastina asosida yasaladi. Plastina maxsus texnologiya asosida baza, emitter va kollektor sohalarida U К < 0 U К = 0 I Э U ЭБ а) U К = 0 U К > 0 I Б U ЭК б) turli konsentratsiyali aralashmalar hosil qilinadi. So‘ngra bu sohalardan plastinalar ustki qismiga uchlar chiqariladi. Integral tranzistorning bazasi juda yupqa bo‘lib, emitter baz potensial sathi yuqori bo‘ladi. Integral sxemalarda asosan, kollektor zanjiri ta’minlovchi manbaning manfiy qutbiga ulanadi. Hozirda integral sxemalar (IS) da, diskret sxemalarda qo‘llanilmaydigan maxsus p-r-p tipli tranzistorlar ishlatiladi. Bularga ko‘p emitterli va ko‘p kollektorli tranzistorlar, SHotki to‘sig‘iga ega bo‘lgan tranzistor va superbeta- tranzistorlar kiradi. Ko‘p emitterli integral tranzistorning shartli belgilanishi 21.1a – rasmda keltirilgan bo‘lib, bu tranzistorlar asosan raqamli IS da keng qo‘llaniladi. Bu tranzistor ikki holatda: «ochiq» va «yopiq» holatda ishlashga mo‘ljallangan. Bunda baza va kollektor hamma emitter uchun umumiy hisoblanadi. SHu sababli baza va kollektorga qo‘yilgan ma’lum kuchlanishda, emitterlar kuchlanishiga qarab ba’zilari ochiq bo‘lsa, ba’zilari yopiq bo‘ladi. 21.1 – rasm. Integral tranzistorlarning shartli belgilanishi: a – ko‘p emittkrli tranzistor, b – ko‘p kollektorli tranzistor, v – SHotki to‘sig‘iga ega bo‘lgan tranzistor Ko‘p kollektorli integral tranzistorning shartli belgilanishi 21.1b – rasmda keltirilgan bo‘lib, uning tuzilishi ko‘p emitterli tranzistordan uncha farv vilmaydi. Faqat farqi shundaki, u inversiya rejimida ishlaydi. SHu boisdan p + qatlam baza sohasiga yaqinroq qilib yasaladi. Bunda p + qatlam elektronlar injektori vazifasini bajaradi. Yüklə 0,53 Mb. Dostları ilə paylaş:
|