Reja: Integral mikrosxema (ims)larning turlari va elementlari. Planar epitaksial texnologiya. Mdya-tranzistorlar asosidagi imslar. Raqamli sxemalarning tasniflanishi. Integral mikrosxema (ims)larning turlari va elementlari

MDYA-tranzistorlar asosidagi IMSlar.  

Yarim  o‘tkazgichli  IMSlar-  bipolyar  va  MDYA  IMS 

larga ajratiladi.  

IMSlarda 

zatvori 

izolyasiyalangan 

va 

kanali 

induksiyalangan MDYa–tranzistorlar qo‘llaniladi.  

Tranzistor  kanallari    p-  va  n–  turli  bo‘lishi  mumkin. 

MDYa–tranzistorlar  faqat  tranzistorlar  sifatida  emas, 

balki  kondensatorlar  va  rezistorlar  sifatida  ham 

qo‘llaniladi,  ya’ni  barcha  sxema  funksiyalari  birgina 

MDYa – tuzilmalarda amalga oshiriladi.  

 

---

---

Agar  dielektrik    sifatida  SiO

2 

qo‘llanilsa,  u 

holda  bu  tranzistorlar  MOYa–tranzistorlar  deb 

ataladi. 

MDYa 

– 

tuzilmalarni 

yaratishda 

elementlarni  bir  –  biridan  izolyasiya  qilish 

operatsiyasi  mavjud  emas,  chunki  qo‘shni 

tranzistorlarning istok va stok sohalari bir–biriga 

yo‘nalgan  tomonda  ulangan  p-n  o‘tishlar  bilan 

izolyasiyalangan.  Shu  sababli  MDYa–tranzstorlar 

bir–biriga juda yaqin joylashishi  mumkin, demak 

katta zichlikni ta’minlaydi. 

---

Mikroelektronikada  ko‘p  emitterli  va  ko‘p 

kollektorli tranzistorlar ham qo‘llaniladi. 

Ko‘p  emitterli  tranzistorlar  (KET)  umumiy  baza 

qatlami  bilan  birlashtirilgan  bir  kollektor  va  bir 

necha  (8-10  gacha  va  ko‘p)  emitterdan  tashkil 

topgan.    Ular tranzistor  –  tranzistorli  mantiq  (TTM) 

sxemalarni yaratishda qo‘llaniladi. 

Ko‘p  kollektorli  tranzistor  tuzilmasi  ham,  KET 

tuzilmasiga  o‘xshash  bo‘ladi,  lekin  integral  – 

injeksion  mantiq  (I

2

M)  deb  ataluvchi  injeksion 

manbali mantiqiy sxemalar yasashda qo‘llaniladi. 

 

---