Sinton suns-voc qurilmasi yordamida mono- va polikristal kremniy asosli quyosh elementlarining fotoelektrik parametrlarini aniqlash

SINTON SUNS-VOC QURILMASI YORDAMIDA MONO- VA POLIKRISTAL KREMNIY ASOSLI QUYOSH ELEMENTLARINING FOTOELEKTRIK PARAMETRLARINI ANIQLASH
R.Raxmatullayev , S.Temirov, G.Oribjonova
Andijon davlat universiteti, Andijon, O’zbekiston
Tel: [phone], E-mail:[e-mail]
Monkristall va polikristall kremniy asosli quyosh elementining 300K dagi volt-amper xarakteristikasi o‘lchandi (1-rasm). Bunda monokristall kremiy asosli quyosh elementining salt ishlash kuchlanishi kattaroq ekanligi aniqlandi. Bundan tashqari ularning salt ishlash kuchlanishini yorug’lik inetsivligiga bog’liqligi o‘lchandi (2-rasm). Rasm 3 dan monokristall kremniyning salt ishlash kuchlanishini yorug’lik intensivligiga bog’liqligi eksponensial funksiya ekanligi ma’lum bo‘ldi.
Olingan natijalar Chegaar tomonidan o‘tkazilgan tajriba natijalariga mos ekanligini ko‘rishimiz mumkin. Hatto, salt ishlash kuchlanishini yorug’lik intensivligiga bog’liqligi Chegar tomonidan ishlab chiqilgan korrelatsion funksiyani qoniqtirishi ma’lum bo‘ldi (Formula 1) .
(1)
Bu yerda: V_ocn - E_n intensivlik ostidagi salt ishlash kuchlanishi

1-rasm. Monokristall va polikristall kremniy asosli quyosh elementining yorug’lik ostidagi volt-amper xaraketristikasi. 1 – polikristall, 2 – monkristall

2-rasm. Monokristall va polikristall kremniy asosli quyosh elementining salt ishlash kuchlanishining yorug’lik intensivligiga bog’liqligi. 1 – polikristall, 2 – monkristall.
Tajribda davomida quyosh elementlarining bir quyosh ostidagi fill faktori, foydali ish koeffitsientlari va ideallik koeffitsientlari ham anqilandi (Jadval 1). Bunga k o‘o‘ra monokristall kremniyning foydali ish koeffitsienti polikristallnikiga qaragand 1.11 marta katta ekanligi ma’lum bo‘ldi.


Monokristall va polikristall kremniy asosli quyosh elementining 300K haroratda o‘lchangan asosiy fotoelektrik parametrlari
Jadval 1

	Uoc, V	Umpp, V	Jmpp, A/sm^2	FF, %	η, %	n
m-Si	0.6806	0.5853	0.0327	80.36	19.14	1.282
p-Si	0.6283	0.5394	0.032	79.65	17.27	1.195

3-rasm. Yorug‘lik intesivligini vaqtga bog‘liqligi
Foydalanilgan adabiyotlar

1. 
   A.T.Mamadalimov, M.N.Tursunov, Yarim o’tkazgichli quyosh elementlari fizikasi va texnologiyasi. O’quv qo’llanma. T.Universitet, 2002.- 94
   
2. 
   Rayimjon Aliev, Murodjon Abduvoxidov, Navruzbek Mirzaalimov, and Jasurbek G’Ulomov. "KREMNIY ASOSLI QUYOSH ELEMENTLARIDA REKOMBINATSIYA VA GENERATSIYA JARAYONI" Science and Education, vol. 1, no. 2, 2020, pp. 230-235. doi: http://dx.doi.org/10.24412/2181-0842-2020-2-230-235.
   
3. 
   V. v. Iyengar, B. K. Nayak, and M. C. Gupta, “Optical properties of silicon light trapping structures for photovoltaics,” Solar Energy Materials and Solar Cells, vol. 94, no. 12, pp. 2251–2257, Dec. 2010, doi: 10.1016/J.SOLMAT.2010.07.020.