21
Zatvor-istok o‘tishining kirish qarshiligi odingi holdagi kabi yuzlab
megaomlarga yetadi, bunda
R
i
kirish qarshiligi nisbatan uncha katta bo‘lmaydi. Bu
ulanish sxemasi umumiy istokli sxemaga qaraganda yuqoriroq chastotalar
diapazoni bilan farqlanadi. Kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti birga
yaqin, chunki bu sxema uchun istok-stok va zatvor-istok kuchlanishi odatda
qiymat bo‘yicha yaqin bo‘ladi.
Umumiy zatvorli ulanish
Umumiy zatvorli ulanish bipolyar tranzistor uchun umumiy bazali kaskadga
o‘xshash bo‘ladi. Bu yerda tok bo‘yicha kuchaytirish bo‘lmaydi, shuning uchun
quvvat bo‘yicha kuchaytirish umumiy istokli kaskaddagidan ko‘p martaga kichik
bo‘ladi. Kuchaytirishda kuchlanish boshqarish kuchlanishi kabi o‘sha fazaga ega
bo‘ladi (1.11- rasm).
1.11- rasm. Maydoniy tranzistorni umumiy zatvorli ulanishi
Binobarin, chiqish toki kirish tokiga teng, u holda tok bo‘yicha kuchaytirish
koeffitsienti birga teng, kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti esa birdan
katta bo‘ladi.
Bu ulanish sxemasida tok bo‘yicha parallel manfiy teskari aloqa xususiyati
mavjud, ya’ni boshqarish kirish kuchlanishi ortganida istokning potensiali ortadi,
U
kir
+Е
с
VТ1
U
chiq
Dostları ilə paylaş: 
