|
Akım Transiyent Spektroskopi Yöntemi ile Yarıiletken Yapıların İncelenmesi
Bu çalışmada, Ga1-yInyNxAs1-x / GaAs katkısız tekli ve çoklu kuantum kuyulu ve modülasyon katkılı üçlü kuantum kuyulu seyreltik nitratlı yarıiletkenlerdeki derin tuzak seviyeleri "Işıkla Uyarılan Akım Transiyent Spektroskopisi-Photo-Induced Current Transient Spectroscopy-PICTS" yöntemi kullanılarak incelenmiştir. Bu yöntem ile ışıkla uyarımdan sonraki akım bozulma (decay) eğrilerinin sıcaklıkla değişimlerinden elde edilen PICTS sinyallerinden yararlanılarak derin seviyelerin aktivasyon enerjileri (Ea), yakalama tesir kesitleri (σ) belirlenmiştir. Ayrıca bu örneklerin kontak kalitesini belirlemek için I-V karakteristiğine bakılmıştır.
Isıl işleme tabi tutulmuş ve tutulmamış katkısız tekli ve çoklu kuantum kuyulu yapılar için yapılan PICTS ölçümlerinde bulunan aktivasyon enerjileri ve yakalama tesir kesitleri kıyaslanıp tavlamanın örnekler üzerindeki etkisi incelenmiştir. Isıl işleme tabi tutulmuş modülasyon katkılı örnek olmadığı için, sonuçlar sadece ısıl işleme tabi tutulmamış modülasyon katkılı örnek için elde edilmiştir. Bu yüzden bu örnek için sadece derin seviyelerin aktivasyon ve yakalama tesir kesitleri elde edilmiştir. Elde edilen sonuçlar literatürle kıyaslanarak tartışılmıştır.
Dostları ilə paylaş: | 
