Toshkent axborat texnologiyalari univesiteti elektronika va sxemalar fanidan Mustaqil ish

Umumiy ma’lumotlar
VAXida m anfiy differensial qarshilik mavjud bo‘lgan, uch va undan ortiq p-n o ‘tishlarga ega ko‘p qatlam li yarim o‘tkazgich asbob tiristor deb ataladi. Tiristorning VAXida tok ortishi bilan kuchlanish kam ayadigan AB soha mavjud (1-rasm)




1-r asm. Tiristorning S — simon VAXi.
Tiristor ishlaganda ikkita muvozanat holatda bo‘lishi mumkin. Berk holatda tiristor katta qarshilikka ega va undan kichik tok oqadi. Ochiq holatda tiristor qarshiligi kichik va undan katta tok oqadi. Shundan yarim o‘tkazgich asbobning nomi (tira — eshik) qo‘yilgan.
Tiristorlar radiolokatsiyada, radioaloqa qurilm alarida, avtom atikada manfiy o‘tkazuvchanlikka ega yarim o‘tkazgich asbob sifatida hamda tok boshqaruvchi kalitlar, energiya o‘zgartgichlarning bo‘sag'aviy elementlari sifatida yoki boshlan g‘ich holatda energiya iste’mol qilm aydigan asbob — triggerlar sifatida keng ishlatiladi. Tiristorlar chiqishlari soniga qarab diodli (dinistor), triodli (trinistor) va tetrodli tiristorlarga bo‘linadi va to‘rt qatlamli p-n-p-n tuzilmadan mos ravishda chiqarilgan ikki, uch va to‘rt chiqishga ega bo'ladi. Tuzilma chekkasidagi p qatlam anod (A), n qatlam esa katod (K) deb nomlanadi. Anod va katod orasidagi n- va p -sohalar baza deb ataladi, ularga o'rnatilgan elektrodlar esa boshqaruvchi elektrodlar deb ataladi.Diodli va triodli tiristorlar tokni faqat bir tomonlama o‘tkazadi. Bu o'znavbatida , tiristorlarning o'zgaruvchan tokni boshqarish imkoniyatini cheklaydi. O'zgaruvchan tok zanjirlarida ikki tomonlama kalit sifatida simistor (simmetrik tiristor) ishlatiladi. Simistor triak deb ham ataladi. Simistor p-n-p-n-p tuzilmaga va bir yoki ikki boshqaruvchi elektrodga ega.
Dinistor tuzilmasi va ishlash prinsipi
Uchta p-n o'tishga ega diodga o'xshash ikki elektrodli asbob dinistor deb ataladi. Uning tuzilmasi 2, a-rasmda, shartli belgilanishi esa 2, b-rasmda keltirilgan. Dinistorning uchta p-n o'tishi J1, J2, va J3 deb belgilangan.

2-rasm.Dinistor tuzilmasi (a) va uning sxemalarda shartli grafik belgilanishi (b).
Dinistor sxemalarda o'zaro ulangan ikkita triodli tuzilma bilan almashtirilgan holda ko'rsatilishi mumkin. Dinistorni tashkil etuvchi tranzistorlarga ajratilishi va o'z aro ulangan tranzistorlar bilan almashtirilishi 3-rasm da ko'rsatilgan.Bu ulanishda T1 tranzistorning kollektor toki T2 tranzistorning baza tokini, T2 tranzistorning kollektor toki esa T1 tranzistorning baza tokini tashkil etadi. T ranzistorlam ing bunday ulanishi hisobiga asbob ichida musbat TA hosil bo'ladi.


3-rasm.Dinistomi ikkita tuzilmaga ajratilishi (a) va almashtirish sxemasi (b).
Agar anodga katodga nisbatan m usbat kuchlanish berilgan bo‘lsa, J1 va J3 p-n o‘tishlar to‘g‘ri siljitilgan bo‘ladi, J2 o‘tish esa teskari siljitiladi, shu sababdan manba E ning barcha kuchlanishi J2 o‘tishga tushadi. Tl va T2 tranzistorlarning emitter toklarini uzatish koeffitsientlari mos ravishda a1 va a2 bo‘lsin. 3, b-rasm ga muvofiq tiristor orqali oqayotgan tok ikkala transistor kollektor toklari va sizilish toki IK0 yig'indisiga teng bo‘ladi: I = . (1)
Tashqi zanjirdagi tok I E1= IE2 = I, shuning uchun I ni (1) ga qo‘yib:
I(1 – a1 - a2) = IK0 deb yozish mumkin. Bundan tashqi tok I qiymati (2)
ekanini topamiz. (a1 + a2) < 1 shart bajarilganda dinistor orqali oqadigan tok IK0 ni tashkil etadi. ( a1 + a2) >1 bo‘lganda dinistor ochiladi va tok o‘tkaza boshlaydi. Dinistorning ulanish sharti shundan iborat. Dinistord a1 yoki a2 tok uzatish koeffitsientlarni oshirishning yagona usuli uning anodida kuchlanishni oshirishdan iborat. Kuchlanish ortishi bilan dan tranzistorlaming biri to‘yinish rejimiga o‘tadi. U shbu tranzistorning kollektor toki, ikkinchi tranzistorning baza zanjirida oqib uni ochadi, o‘z navbatida, birinchi tranzistorning baza tokini oshiradi. N atijada tranzistorlaming kollektor toklari ular to‘yinish rejimiga o‘tmaguncha ko‘chkili ortadi.



4-rasm . Dinistor VAXi (a) va uning impuls ulanish sxemasi (b).

Tranzistorlar ulangandan so‘ng dinistor ochiladi va tok I faqat tashqi zanjir qarshiligi bilan chegaralanadi. Ochiq asbobdagi kuchlanish pasayishi IV dan kichik bo‘lib, taxminan oddiy dioddagi kuchlanish tushishiga teng. Dinistorning VAXi 4, a-rasmda, impuls ulanishsxemasi esa 4, b-rasmda ko‘rsatilgan.4-rasmda — dinistorning ulanish kuchlanishi, ochiqdinistordagi qoldiq kuchlanish pasayishi, — yuklam a toki, —dinistomi o'chirish toki, VD1 — yarim o‘tkazgich diod, VD2 — dinistor, — yuklam a qarshiligi, R — chegaralovchi qarshilik, С — ajratuvchi kondensator, — boshqaruvchi impuls. Dinistorni undan oqayotgan tokni qiymatgacha kam aytirib yoki dinistor anodidagi kuchlanish qutbini o‘zgartirib o‘chirishi mumkin. Dinistorni o‘chirishning turli usullari 5-rasmda keltirilgan. Birinchi sxemada (a) dinistor zanjiridagi tok kaliti К yordamida uziladi. Ikkinchi sxemada (b) dinistordagi kuchlanish pasayishi nolgacha kamayadi. Uchinchi sxemada (d) dinistordagi tok qo‘shimcha qarshilik qo‘shish bilan gacha kamaytiriladi. To‘rtinchi sxemada (e) kalit К tutashtirilganda ajratuvchi kondensator С yordamida dinistor anodiga teskari qutbli kuchlanish beriladi.

5-rasm . Zanjirni uzish (a), dinistorni shuntlash (b), anod tokini kamaytirish (d), teskari kuchlanish berish (e) bilan dinistorni o ‘chirish usullari.
5-rasm da: — yuklam a qarshiligi, — q o ‘shim cha qarshilik, С — ajratuvchi kondensator, К — kalit