«умумий эмиттер схемаси бўйича йиғилган биполяр транзисторни кириш ва чиқиш характеристикаларини аниқлаш»

ЎЗБЕКИСТОН РЕСПУБЛИКАСИ
РАҚАМЛИ ТЕХНОЛОГИЯЛАР ВАЗИРЛИГИ

МУХАММАД АЛ-ХОРАЗИМИЙ НОМИДАГИ

ТОШКЕНТ АХБОРОТ ТЕХНОЛОГИЯЛАРИ УНИВЕРСИТЕТИ
Электроника ва радиотехника кафедраси

“Электроника ва схемалар 2” фанидан

1- мустақил иш
Мавзу: «УМУМИЙ ЭМИТТЕР СХЕМАСИ БЎЙИЧА ЙИҒИЛГАН БИПОЛЯР ТРАНЗИСТОРНИ КИРИШ ВА ЧИҚИШ ХАРАКТЕРИСТИКАЛАРИНИ АНИҚЛАШ»
Тэкширди CAE005 – Егамбэрдиев Маннон
Бажарди:Turg`unpo`latov Islom
Тошкент 2023
24-variant
Мавзу: Мантиқий элементлар ва уларнинг амплитуда узатиш характеристикаси.
Mantiqiy elementlar raqamli sxemalarda VA, YOKI, EMAS va hokazo kabi mantiqiy amallarni bajarish uchun foydalaniladigan elektron komponentlardir. Mantiqiy elementlarning amplitudali uzatish xarakteristikasi ularning maʼlum amplituda darajasidagi signallarni buzilishsiz uzatish qobiliyatini bildiradi.


Umuman olganda, mantiqiy elementlar raqamli signallar bilan ishlashga mo'ljallangan, ya'ni ular ikkilik signallarni (0 yoki 1) uzatadi. Shuning uchun ularning amplitudali uzatish xarakteristikasi odatda kuchlanish darajalari va kuchlanish chegaralari bilan ifodalanadi.


Masalan, mantiqiy eshik 0V dan 5V gacha boʻlgan signallarni qabul qilish va 0V yoki 5V kuchlanish darajasidagi signallarni chiqarish imkonini beruvchi amplitudali uzatish xususiyatiga ega boʻlishi mumkin. Kuchlanish chegarasi chiqish holatini o'zgartirish uchun zarur bo'lgan minimal kirish kuchlanishi va joriy holat sifatida tan olinadigan maksimal kirish kuchlanishi o'rtasidagi farq sifatida belgilanishi mumkin.

Xulosa qilib aytganda, mantiqiy elementlarning amplitudali uzatish xarakteristikasi ularning ma'lum bir kuchlanish darajasidagi raqamli signallarni buzilishsiz yoki xatosiz uzatish qobiliyatini aniqlaydi.

1. BC549BP транзисторининг параметрларини тахлил қилиш
Вариант

Вариантлар	Транзистор тури	База сокин токи Iбс, мкА	Манба кучланиши Ек, В	Коллектор қаршилиги Rк, Ом
1	BC549BP	50	5	600

1.1 УЭ схемаси асосида BC549BP транзисторининг кириш ва чиқиш статик характеристикаларининг графигини тузиш.

УЭ схемасига асосида BC549BP транзисторининг кириш характеристикалари яъни U_кэ = 0 В ва U_кэ = 10 В бўлганида I_б = f(U_бэ) боғлиқлик оиласи графигини тузиш.
Транзисторнинг параметрларини аниқлаш учун схема йиғилади.

Аниқланган I_Б ва U_БЭ қийматларини 1- жадвалга киритамиз. Бу қийматлар асосида BC549BP транзисторининг кириш характеристикалари оиласи графигини тузамиз.

BC549BP транзисторнинг УЭ схемасига мос равишда U_кэ = 0 В ва U_кэ = 10 В бўлганда I_б = f(U_бэ) кириш характеристикалари оиласи

1-жадвал

UКЭ=0В		UКЭ=10В
IБ, мкА	UБЭ, мВ	IБ, мкА	UБЭ, мВ
25	605	25	696
50	626	50	720
75	639	75	735
100	577	100	668
125	584	125	674
150	589	150	680
175	594	175	685
200	598	200	689
250	605	250	696
300	611	300	702
350	611	350	707
400	619	400	712

BC549BP Берилган қийматлар асосида I_б = f(U_бэ) кириш характеристикалари оиласи графигини чизамиз

транзисторининг I_б = f(U_бэ) кириш характеристикалари оиласи графиги

УЭ схемасига асосан BC549BP транзисторининг чиқиш характеристикалари, яъни I_б = const бўлганида I_к = f(U_кэ) боғлиқлик оиласи графигини тузиш.

Транзистор параметрларини аниқлаш учун 2 схема йиғилади



Ib = const

Транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласини аниқлаш

База токининг I_б = 25 мкА; I_б = 50 мкА; I_б = 75 мкА; I_б = 100 мкА; I_б = 125 мкА; I_б = 150 мкА қийматларида транзисторнинг коллектор токи I_к ва коллектор ва эмиттер орасидаги кучланиш U_кэ олинган қийматларини 2-жадвалга киритамиз. Бу қийматлар асосида BC549BP транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи I_б = const бўлганда I_к = f(U_кэ) графиги тузилади.

BC549BP транзисторининг чиқиш характеристикалари оиласи

I_к = f(U_кэ)

UКЭ	IБ=25 мкА бўлганда IК	IБ=50мкА бўлганда IК	IБ=75 мкА бўлганда IК	IБ=100мкА бўлганда IК	IБ=125 мкА бўлганда IК	IБ=150мкА бўлганда IК
0	0.1944	0.47502	0.89091	1.3297	1.4853	1.854
0,5	2.642	5.45	8.2363	11.673	12.706	14.78
1,0	2.864	5,937	8.6531	11.899	13.94	16.249
2,0	3.309	6.911	11.303	13.476	16.926	18.697
3,0	3.754	7.885	11.897	15.452	18.873	15,733
4,0	4.198	8.858	13.292	17.443	21.534	24.811
5,0	4.643	9.832	15.783	19.435	23.807	27.932
6,0	5.178	10.366	15.987	20.626	25.273	29.852
7,0	5.533	11.78	18.767	23.418	28.74	33.773
8,0	5.978	12.753	19.864	25.409	31.207	36.694
9,0	6.422	13.727	20.567	27.401	33.673	39.614
10	7.987	15.701	23.551	28.492	36.14	42.535

2-жадвал
BC549BP Транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи I_к = f(U_кэ) графигини тузамиз

транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи
I_к = f(U_кэ) графиги

1.2 BC549BP транзисторининг умумий эмиттер схемаси учун олинган вольтампер характеристикасидан график усулда h– параметрини аниқлаш.

BC549BP транзисторининг кириш характеристикалари оиласи I_б = f(U_бэ) дан, h_11э ни аниқлаймиз. Транзисторнинг статик режимини аниқловчи U_кэ=10 В га мос келувчи берилган база сокин токи I_бс=50 мкА қиймати ёрдамида “А” ишчи нуқтани аниқлаймиз.

“А” нуқтанинг координаталри: I_бс=50 мкА, U_бэ.сок=716 мВ.

“А” ишчи нуқта яқинида бир хил масофада иккита ёрдамчи нуқталар аниқлаб оламиз ва оралиқ база токи ΔI_б ва оралиқ кучланиш ΔU_бэқийматини аниқлаб, қуйидаги ифода ёрдамида дифференциал қаршиликни топамиз::
I_б1=25 мкА, I_б2=75 мкА, U_бэ1=686 мВ, U_бэ2=733мВ қийматларни оламиз. У ҳолда h_11эқуйидагича аниқланилади:

h_11э параметрини график усулда аниқлаш

BC549BP транзисторининг кириш характеристикалари оиласи

I_б = f(U_бэ) дан, h_12э ни аниқлаймиз. Бунинг учун U_кэ=0В холатида олнган характеристикани кесишувчи “А” нуқтадан горизантал чизиқ ўтказиб оламиз BC549BP транзисторининг эмиттер ва коллектор орасида кучланиш орттирмаси қуйидаги ифода ёрдамида аниқланади:

ΔU_кэ= U_кэ2 – U_кэ1=10В – 0В=10В

ΔU_кэ қийматига асосан транзисторнинг эмиттер ва базаси орасидаги кучланиши орттирмасини аниқлаймиз:

ΔU_бэ= U_бэп4 – U_бэ3=716мВ – 495мВ=221мВ

h_12э параметрни график усулда аниқлаш

h_12э параметрини қуйидаги ифода ёрдамида аниқлиймиз:

BC549BP транзситорининг чиқиш характеристикалари оиласи I_к = f(U_кэ) (I_б = const) дан h_21э параметрини аниқлаймиз. I_бс = 50 мкА учун ВАХ ни чиқиш шахобчаси билан юкламанинг чизиқли кесишмаси (Е_к = 5В, R_к = 620 Ом) сифатида тарнзисторнинг чиқиш характеристикасида “А” ишчи нуқтани аниқлаймиз.
I_к токи ўқи бўйича Е_к/ R_к = 25 мА қийматини ажратиб оламиз.
U_кэ кучланиши ўқи бўйича Е_к = 5В қийматини ажратиб оламиз.

.h_21э параметрини гарфик усулда аниқлаш

“А” ишчи нуқтаси учун қуйидаги координаталарни оламиз: I_кп =5,5 мА, U_кэ=1,6В. I_б1 = 25 мкА ва I_б3 = 75 мкА бўлганидаги ВАХ ни шахобчалари билан кесишгунига қаар ишчи нуқтадан тўғри верткал чизиқ ўтказамиз.

Берилган I_бпбаза токи қийматига яқин қийматда олиган ΔI_б база токи орттирмасини қуйидаги ифода ёрдамида аниқлиймиз:

ΔI_б = I_б3 – I_б1=75 мкА – 25 мкА=50мкА

Қуйидаги ифода ёрдамида аниқланадиган коллектор токининг орттирмаси, ΔI_б база токи орттирмасига мос келади:

ΔI_к = I_к2 – I_к1=8,4 мА – 2,4 мА = 6 мА

h_21э параметри қуйидаги ифода ёрдамида аниқланади:

BC549BP транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи I_б = 50 мкА бўлганида I_к = f(U_кэ) боғлиқликдан h_22э параметрни аниқлаймиз. Бунинг учун I_бп = 50 мкА бўлганда характеристика шахобчасида “А” ишчи нуқта яқинида иккита бир хил масофалардаги ёрдамчи нуқталар танлаймиз ва транзисторнинг эмиттер ва коллектори орасидаги кучланишни орттирмасини аниқлаймиз:

h_22э параметрини график усулда аниқлаш

ΔU_кэ= U_кэ2 – U_кэ1= 2,84В – 0,84В = 2 В

Бу U_кэ эса коллектор токини орттирмасини келтириб чиқаради:

ΔI_к=I_к4 – I_к3=5,5мА – 5,45мА = 0,05 мА

У ҳолда h_22э параметри қуйидагига тенг:

1.3. BC549BP транзисторининг кириш ва чиқиш қаршилигини қуйидаги ифода ёрдамида аниқлаймиз:


1.4. BC549BP транзисторининг ток бўйича узатиш коэффициенти β ни аниқлаймиз: