Ушбу “Модда тузилиши” курсидан маърузалар матни асосида тайёрланган ы=ув =ылланмаси кафедра =арорига асосан аду ы=ув услубий щайъати томонидан (1999 йил 4 сентябр) =ылланишга тавсия этилган



Yüklə 1,85 Mb.
səhifə8/23
tarix24.09.2023
ölçüsü1,85 Mb.
#147538
1   ...   4   5   6   7   8   9   10   11   ...   23
moddastruk

MoDDAlar elektr xususiyatlari.

Moddalarning elektr xususiyati asosida ularning musbat va manfiy zaryadlangan zarrachalardan tashkil topganligi yotadi. Hamma atomlar va molekulalar ionlanish qobiliyatiga ega. Ionlanish potensiali deb normal holatda turgan elektroneytral atomdan bitta (birinchi) elektronni uzib chiqib ketish uchun kerak bo’lgan va elektron-voltlar (yeV) da o’lchanadigan energiyaga aytiladi. Metallarning ionlanish potensiali metallmaslarnikidan kichik bo’ladi. Shuning uchun ular kuchli qaytaruvchilar hisoblanadilar.


Atomlar manfiy zaryadlangan holga ham o’tishi mumkin. Buning uchun ular o’zlariga bitta ortiqcha elektronni qo’shib olishlari kerak. Shunday jarayon vaqtida ajralib chiqadigan energiyaga ushbu atomning elektronga moyilligi deyiladi. Biror elementning atomi uchun bu ikki kattalikning yig’indisi elektromanfiylik deyiladi va u  (ksi) harfi orqali ifodalanadi.
Ionlanishni amalga oshirishning qator usullari ma’lum. Тermik ionlanish, elektr maydon ta’sirida va elektron to’qnashishi tufayli ionlanish, fotoionlanish va boshqalar.
Molekulalarning qutblanuvchanligi.
Agar elektr kondensator plastinkalari orasiga biror dielektrik kiritilsa, plastinkalarning elektr sig’imi  marta ortadi. SqC0 (havo)q1, (Ne)q1,05, (N2O)q79,5 (HCN)q95,0 va h k.
Kondensator plastinkalari o’rtasida vakuum bo’lganida (q1) maydon kuchlanishligi o deylik. Agar plastinkalar orasiga biz tekshirayotgan modda kiritilsa va uning dielektrik doimiyligi (epsilon) ga teng bo’lsa, kondensator plastinkalari orasidagi elektr kuchlanishlik  marta kamayadi, ya’ni o. bo’ladi. Bunda   (1)
Maydon kuchlanishligi 0 moddaning ushbu maydon ta’sirida qutblanishi hisobiga kamayadi va bu kamayish dielektriklar nazariyasiga binoan 4 ni tashkil qiladi. Demak,  ni 0 ga tenglash uchun unga 4p ni qo’yish kerak
0 q Q 4 (2)
(1) va (2) dan E q E Q 4 ; q (3)
Moddaning umumiy (makroskopik) qutblanishi r ayrim molekulalarning qutblanishining yig’indisidan iborat: qN1 . Bu yerda N1-1 sm3 hajmdagi moddani tashkil qiluvchi molekulalar soni -har bir molekulaning qutblanish qiymati. Kondensator plastinkalari orasidagi istalgan bitta molekulaga tashqi  maydonigina ta’sir qilib qolmasdan, balki molekulamizni o’rab turgan ichki lokal molekulyar maydon ham ta’sir qiladi. Qo’shni molekulalar tashqi elektr maydoni ta’sirida oriyentatsiyalangan holda bo’lganligi uchun ular tashqi maydonga o’z hissasi bilan qo’shiladi. Shuning uchun tanlab olingan molekulaga ta’sir qilayotgan effektiv maydon eff. Nazariy hisoblashlar yo’li bilan aniqlanganki
(4)


Nazariyaga binoan bitta molekulaning qutblanishi uning qutblanuvchanligi  va unga ta’sir qilayotgan elektr maydonining kuchlanishligiga to’g’ri proporsional.
(5) qE
-intensivlik faktori
Ye-ekstensivlik faktori
Bizning misolda . Demak
(6) . Bu yerdagi edi. o’rtasida quyidagi bog’lanish mavjud edi (7)
Demak (6) ga binoan (7) va (3) ni hisobga olgan holda yoza olamiz:
(8)
1 sm3 hajmda N1 ta molekula bor bo’lsa
hajmda NA ta molekula bor bo’ladi.
; Demak, (9)
(9)-Klauzius-Mosotti tenglamasi deyiladi. Undan f(1d) chiqadi. Demak, temperatura ortgan sari d kamayganligi tufayli moddaning qutblanuvchanligi  ortadi. Qutblanuvchanlik modda zichligiga teskari proporsional va dielektrik doimiylikka bog’liq, chunki birga teng emas. Keltirib chiqarilgan va yuqorida aytganimizdek Klauzius-Mosotti nomi bilan yuritiladigan tenglama moddalarning elektr xossalarini ularning tashqi elektr maydonidagi holatini tekshirish, tahlil qilish yo’li bilan aniqlanar ekan.



Yüklə 1,85 Mb.

Dostları ilə paylaş:
1   ...   4   5   6   7   8   9   10   11   ...   23




Verilənlər bazası müəlliflik hüququ ilə müdafiə olunur ©azkurs.org 2024
rəhbərliyinə müraciət

gir | qeydiyyatdan keç
    Ana səhifə


yükləyin