Capitolul 2 traductoare de radiaţii optice structura generală a unui traductor optoelectronic

Fotodetectoare electronice

• Fotodiode

• 1. Fotodiode p-n (planare)

• Cele mai răspândite sunt din Si pur, cu un singur substrat cristalin. Puritatea Si depinde de rezistivitate (10 cm ... 10 kcm).

Parametrii fotodiodelor p – n:

• Parametrii fotodiodelor p – n:

• - Responsivitatea - raportul dintre fotocurentul de ieşire şi puterea radiantă incidentă;

• - Eficienţa cuantică - capacitatea fotodiodei de a converti energia RO în energie electrică;

• - Puterea echivalentă de zgomot - puterea optică incidentă minimă necesară unei fotodiode pentru a genera un fotocurent egal cu curentul de zgomot total al fotodiodei (raportul între curentul de zgomot şi responsivitate). Puterea echivalentă de zgomot depinde de lăţimea benzii de frecvenţă a sistemului de măsurare.

• - Timpul de creştere - măsura vitezei de răspuns a fotodiodei la un impuls dreptunghiular de RO (timpul necesar fotodiodei să crească nivelul de ieşire de la 10 % ia 90 %).