Yarim o’tkazgichlarda zonalar nazariyasi

yarimo‘tkazgichlar hisoblanib, odatda xususiy yarimo‘tkazgichlar deb ataladi. Yarimo‘tkazgichlarning tipik vakili bo‘lgan
kremniy (Si) va germaniy (Ge) kristallarida taqiqlangan zonaning kengligi mos holda 0.7 va 1.15 eV. Yarimo‘tkazgichning valent zonasidan
elektronni bo‘sh zonaga o‘tishi uchun kerak bo‘lgan energiya kamida
taqiqlangan zona kengligiga teng bo‘lishi kerak. Bu energiya yarimo‘tkazgichning xususiy o‘tkazuvchanligining aktivatsiya energiyasi
deb ataladi. Yarimo‘tkazgichlarning  solishtirma qarshiligi T temperaturaga eksponensial bog‘lanishda bo‘lishi aniqlangan:

bunda W0- aktivatsiya energiyasi, kB – Bolsman doimiysi. Bu bog‘lanishdan ko‘rinib turibdiki, temperatura ortishi bilan yarimo‘tkazgichning
elektr qarshiligi kamayadi, sababi temperatura ortishi bilan valent
zonasidan o‘tkazuvchanlik zonasiga o‘tadigan elektronlar soni ortadi.
Elektronlarning bunday o‘tishi faqat temperatura ta’siridagina emas,
balki biror tashqi ta’sir, masalan, yorug‘lik nurlari, radiatsiya ta’siri,
deformatsiya tufayli ham yarimo‘tkazgichlarning valent zonasidan bo‘sh
zonaga o‘tgan elektronlar soni ortib boradi. Shuning uchun ham yarimo‘tkazgichlarning elektr qarshiligi temperatura ortishi bilan yoki sanab
o‘tilgan tashqi ta’sirlar ta’sirida kamayib boradi. Yarimo‘tkazgich materiallarga C (olmos), Te, Se, Si, Ge, GaAs, CdTe kabi materiallarni misol qilib keltirish mumkin