Yarimo‘ tkazgichlarda kontakt hodisalar

Elektronlaming kristall panjara nuqsonlarida sochilishi
Kristall panjara nuqsonlari o‘z tabiatiga ko‘ra elektroneytral, zaryadlangan (musbat, manfiy, bir karra, ikki karra) oddiy nuqtaviy va murakkab boMishi mumkin. Shuning uchun ham ularda elektronlami sochilish mexanizmi va bu jarayonning haroratiga bogMiqligi ham o‘z alohida o’rganishni talab etadi va elektronlaming harakatchanligi aloxida aloxida o’zgarishni talab etadi.


Metall - yarim oMkazgich kontakti va p-n o‘tish fizikasi
Har qanday yarim o‘tkazgich materiallaming fizik xossaiarini o‘rganish va yarim o‘tkazgichli qurilmalaming xossaiarini aniqlash hamda ulami zamonaviy qurilmalarda ishlatish uchun, ulami manbalarga yoki boshqa qurilmalarga ulash, albatta metall kontaktlar yordamida amalga oshiriladi. Shuning uchun metal-yarim o‘tkazgich kontaktining sifati, holati va tabiatiga qarab, bunday kontaktlaming xossalari tubdan farq qilishi mumkin. Shu sababli hozirgi zamon elektronikasi va integral sxemalarida kontaktlar masalasi o'ta muhim o‘rin egallaydi. Bu muammoni batafsil ko‘rib chiqishdan oldin, metall yarim o‘tkazgich kontaktlar tabiatini aniqlaydigan ba’zi fundamental! tushunchalar ustida to‘xtalib o‘tamiz


p-n - o‘tish olish texnologiyasi.

n va p turiga yarim o‘tkazgichlami to‘g‘ridan to‘g‘ri bir biriga kontaktga keltirish yo‘li bilan p-n o‘tishni hosii qilib bo‘lmaydi. Chunki, har qanday yaxshi ishlangan 2 turdagi yarim o‘tkazgichlaming sirtlarini kontaktga keltirilganda ular orasida ma’lum bo‘shliq qolishi, sirtlarda adsorbsiya qilingan begona atomlar va nuqsonlar hamda oksid qatlamlarni mavjudligi bir biri bilan birikishiga imkon bermaydi p-n o‘tishni hosil qilishning turli usullari mavjud ulardan biri yuqori vakuumda ma’lum metallni kremniyga kontaktga keltirib, samaraii haroratigacha qizdirish yo‘li bilan, masalan, Al-nSi ni T=55Qf‘C qizdirganda kontakt sohasida yangi A! bilan boyitilgan p-turga ega boigan soha hosil boiadi. Yarim oikazgieh sirtiga unga qarama-qarshi oikazuvchanlikka ega boigan yupqa epitaksial qatlamlarini hosil qilish yoii bilan yoki yarim oikazgieh sirtiga undagi kirishma atomlar tabiatiga teskari boigan kirishma atom ionlarini implantatsiya qilish yoii bilan xam bilan amalga oshrish mumkin. Ammo hozirgi zamon elektronika va mikroelektronikasida eng asosiy qoilaniladigan usul bu planar texnologiya ya’ni difuzion texnologiyasidir. Diffuzion texnologiyada - p-n oiishni hosil qilinadigan materialning asosiy parametrlari-qanday turdagi kirishma atomlari bilan legirlanganigi.