Ўзбекистон алоқа ва ахборотлаштириш агентлиги

Qisqacha nazariy ma’lumotlar.
Integral mikrosxema (IMS) o‘ta ixcham, o‘ta pishiq, kichik tannarxga ega bo‘lgan va kam quvvat iste’mol qiladigan radioyelement yasash yo’lidagi urinishlar mahsulidir.
IMS elementi deb, konstruksiyasi bo‘yicha kristall yoki asosdan ajralmaydigan, elektroradio elementlari (ERE) funksiyasini bajaruvchi IMSning qismiga aytiladi.
IMS komponenti deb, diskret element funksiyasini bajaruvchi, lekin montajdan avval mustaqil mahsulot bo‘lgan IMSning bo‘lagiga aytiladi.
Zamonaviy mikrosxemalar texnologik tayyorlash jarayoniga va bajarish funksiyalariga qarab yarimo‘tkazgichli, qatlamli (pardali) va gibrid mikrosxemalarga bo‘linadi.
Yarimo‘tkazgichli integral sxema – bu komponentalari yarimo‘tkazgich plastinkasining sirti qismida tayyorlanadigan yaxlit mikrosxemadan iborat.
Aksariyat hollarda integral sxema tayyorlashda kremniy kristali ishlatiladi.
Bu turdagi integral sxema (IS) aktiv (diodlar, tranzistorlar) va passiv (qarshiliklar, kondensatorlar, induktiv g‘altaklar) komponentalardan tashkil topgan bo‘ladi.
Qatlamli IS – komponentalari taglik sirtiga har xil qatlamlarni o‘tqazish orqali tayyorlanadigan mikrosxema hisoblanadi.
Dielektrik taglik sifatida alyuminiy oksidi, shisha va keramikalar qo‘llaniladi.

1.1- rasm. IMS topologiya qirqimi va yarimo‘tkazgichlar
ko‘rinishidagi prinsipial sxemasi.

Qatlamli IS asosan passiv elementlar - qarshiliklar, kondensatorlar va induktiv g‘altaklarni tashkil qiladi.

Ulardan asosan RC-filtrlar tuziladi.
Gibrid IS mikrosxema ham dielektrik asosidagi passiv elementlar va diskret aktiv elementlarning bog‘lanishidan tashkil topadi.
Odatda diskret aktiv elementlar IS larda aktiv elementlar deb yuritiladi.
Bu elementlar asosan ixchamlashtirilgan qobiqsiz diod va tranzistorlardan tashkil topgan bo‘ladi.
Aralash IS – bu mikrosxemaning aktiv elementlari yarimo‘tkazgich materiali asosida tayyorlanib, yarimo‘tkazgichli ISga o’xshash bo‘ladi, passiv elementlari esa qatlamli mikrosxemalar kabi (qarshilik, kondensator, induktiv g‘altak) tayyorlangan bo‘ladi.
Ular umumiy taglikka izolyasiyalangan holda joylashtiriladi.
Hozirgi paytda yarimo‘tkazgich IMS larning ikki turi mavjud: ikki qutubli IS va metall-oksid-yarimo‘tkazgichli (MDYa) integral sxemalar.
IMSlarning bir-biridan farqi, asosan, aktiv elementlarning ishlashi va ISlarning tayyorlash texnologiyasiga bog‘liqdir.
Ikki qutbli IS asosini n-p-n yoki n-p-n turdagi ikki qutbli tranzistorlar, MDYa-turdagi ISlar asosini maydoniy tranzistorlar tashkil etadi.
Integral sxemani tayyorlash jarayonlarini asosan tranzistorlarni tayyorlash texnologiyasi tashkil qiladi, qolgan barcha elementlar ham qo’shimcha texnologik jarayonsiz, tranzistorni tayyorlash orqali yasaladi.



1.2- rasm. Integral tranzistorlar.

1.3-rasm. Ikki qutubli integral tranzistor geometriyasi (a) va ko‘ndalang kesimi (b) 1-emitter; 2-baza; 3-kollektor; 4-qatlam.