Ўзбекистон алоқа ва ахборотлаштириш агентлиги



Yüklə 4,04 Mb.
səhifə6/30
tarix20.11.2023
ölçüsü4,04 Mb.
#165325
1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   30
Ўзбекистон ало а ва ахборотлаштириш агентлиги

Berilgan parametrlar:
BTda yasalgan UE kuchaytirgich sxemasini tadqiq etishda NI Multisim daturiy muhitida foydalanish tavsiya etiladigan tranzistor BC547A;

2.1 – jadval.



Talaba t/r

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

RE(kOm)

0.1

0.33

0.15

0.1

0.7

0.8

0.25

0.1

1

1

0.5

0.5

0.6

1

1

RK(kOm)

1

3.3

1.5

1

6

1.6

2.5

1

3.3

6.6

3.3

1

1.2

3.3

6.6

IK(mA)

6

4

5

4.5

4

1

1.2

5

5

3

3.5

5

5

3

2.5

E2(V)

12

15

15

12

12

15

12

15

16

15

12

13

15

14

15

Dastlabgi hisoblashlar



2.2 - jadval



0

30

60

90

120

150

180

210

240

270

300

330

360














































































































































































































3. O‘lchov natijalariga ishlov berish:

  • Kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffisiyenti:



  • Tok bo‘yicha kuchaytirish koeffisiyenti:



  • Quvvat bo‘yicha kuchaytirish koeffisiyenti:



  • Dinamik kirish qarshiligi:





  • Dinamik chiqish qarshiligi:


Olingan natijalar asosida quyidagi grafiklarni chizing:



;

;

;

;

;

;

;

.



4. Hisobot mazmuni:
- o‘lchash sxemalari;
- olingan bog‘liqliklar jadvallari va grafiklari;
- o‘lchash va hisoblash natijalarining tahlili.


5. Nazorat savollari.

  1. BTli sodda kuchaytirgich bosqichi ishlash prinsipini tushuntiring.

  2. BTli sodda kuchaytirgich bosqichi ishchi nuqtasini qaysi parametrlar belgilaydi?

  3. Kuchaytirgich differensial parametrlarini keltiring. Bu parametrlar tajribada qanday o‘lchanadi?

  4. Past chastotalarda sodda kuchaytirigich bosqichi kirish va chiqish qarshiliklari sxemaning qaysi parametrlariga bog‘liq?

  5. BTli sodda kuchaytirgich bosqichining tok, kuchlanish va quvvat bo‘yicha kuchaytirish koeffisiyentlari nimalarga bog‘liq ?.

3- LABORATORIYA ISHI


BTda yasalgan UB kuchaytirgich sxemasini tadqiq etish


Ishnining maqsadi: Sxemalarda bipolyar tranzistor (BT) bazasi umumiy (UB) qilib bajarilgan kuchaytirgich kaskadlarini tajribada tahlil qilish; yuklama (omik) qarshiligi qiymatining kuchaytirgich parametrlariga ta’sirini o‘rganish.


1. Qisqacha nazariy ma’lumotlar.
Sxemalarda signal manbai BT ning baza yoki emitter elektrodiga, yuklama esa kollektor yoki emitter elektrodiga ulanishi mumkin. Bu hollarda BTning uchinchi elektrodi kirish va chiqish zanjirlari uchun umumiy bo‘lib qoladi. Sxemalarda tranzistorning qaysi elektrodi signal (o‘zgaruvchan tok) bo‘yicha umumiyligiga qarab, tranzistor UE, UB, UK ulanishlarga ega deyiladi. Bunday sxemalar umumiy emitter (UE)li, umumiy baza (UB)li, umumiy kollektor (UK)li deb nomlangan (3.1-rasm).
Elektron sxemalarni tahlil qilish uchun BT ning elektrodlari orasidagi tok va kuchlanishlar bir-biri bilan qanday bog‘langanligini, ya’ni uning volt-amper xarakteristikasi (VAX)ni bilish zarur.
Kuchaytirgich kaskadlarini tahlil qilishda bizni qo’yidagi parametrlar qiziqtiradi: quvvatni kuchaytirish koeffisiyenti , kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffisiyenti KU, tok bo‘yicha kuchaytirish koeffisiyenti KI, kuchaytirgich kaskadining past chastotalari oralig‘idagi kirish qarshiligi Rkir va chiqish qarshiligi Rchiq. Past chastotalarda (kvazistatik rejimda) BTning tok bo‘yicha kuchaytirish koeffisiyentini va р-n o‘tishlar parazit sig‘imlarning chastotaviy o‘zgarishlari hisobga olinmaydi. C1, C2 va C3 kondensatorlar sig‘imlari shu qadar katta (mkF) olinadiki, ishchi chastotalarda ularning qarshiliklarini hisobga olmasa bo‘ladi. Bu elektr ta’minlash manbai EK ga ham tegishli chunki Cf kondensator elektr manbai o‘zgaruvchan tok bo‘yicha shuntlanadi (kondensator orqali oqib o‘tadi).

3.1 – rasm. BTda yasalgan UB kuchaytirgich sxemasi.


2. Laboratoriya ishini bajarish tartibi.

  • 3.1- rasmda keltirilgan sxemani 3.1 - jadvalda berilgan parametrlar asosida elektron asboblar stendida (NI Multisim daturiy muhitida) yig‘ing (Sxemaga R10=10 kOm rezistor yuklama sifatida ulanadi RYu=R10=10 kOm);

  • O‘zgarmas kuchlanishni o‘lchaydigan asbobni nazorat nuqtalarga ulab tranzistorning sokinlik holati parametrlarini aniqlang. Nazorat nuqtalarning o‘lchangan potensiallari va RE = 1 kOm, RK= 10 kOm rezistorlar qiymatlarini hisobga olib kollektor, emitter va baza sokinlik toklarini toping.

  • ning qiymatini topib olish uchun tayyor elektron asboblar stendida (NI Multisim daturiy muhitida) yig‘ilgan sxemadagi E1 manbadan berilayotgan kuchlanishni variantda berilgan IK qiymatiga to‘g‘ri kelguncha o‘zgartiring;

  • topilgan qiymatidan foydalanib dastlabкi hisoblashlar uchun berilgan formulalar yordamida hisob-kitob qiling va natijalarni 3.2-jadval qismiga yozib oling;

  • yig‘ilgan sxemadagi E1 manbaga yozib olingan qiymatlarini kiritib, 3.2-jadvalning qolgan qismini to‘ldiring;

  • 3.2 jadval asosida olingan natijalarga ishlov bering.



Berilgan parametrlar:
3.1 – jadval.

Talaba t/r

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

RE(kOm)

1

0.5

1

0.6

0.7

0.8

0.9

1

0.8

0.7

0.8

0.5

0.6

0.65

0.55

RK(kOm)

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

IE(mA)

5

4

6

5.5

4.5

6.7

6.5

7

4.5

4.8

3.7

3.5

7.5

7.7

8

E2(V)

10

8

9

12

12

15

12

15

10

10

12

13

14

14

15

3.2- jadval





0

30

60

90

120

150

180

210

240

270

300

330

360











































































































































































Yüklə 4,04 Mb.

Dostları ilə paylaş:
1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   30




Verilənlər bazası müəlliflik hüququ ilə müdafiə olunur ©azkurs.org 2024
rəhbərliyinə müraciət

gir | qeydiyyatdan keç
    Ana səhifə


yükləyin