Zbekiston respublikasiaxborot texnologiyalari va kommunikatsiyalarini

Diodli-tranzistorli mantiq 
Raqamli mantiq oilasidan birinchi bo‘lib diodli-tranzistorli mantiqni ko‘rib 
chiqamiz 
D
b) 
TMning asosiy sxemasi 3.28a rasmga mos ravishda keltirilgan. Agar sxemaning 
punktir bilan belgilangan bir qismini olib tashlasak sxema invertorga aylanadi va u 
bo‘yicha U
x
dan U
a 
gacha uzatish tavsifini tuzish mumkin Agar A kirish qismidagi 
kuchlanish 0 ga teng bo‘lsa, u holda VD
1 
diod to‘g‘ri yo‘nalishda siljigan va 
U
1 
kuchlanish +0,6 V ga teng. Bu miqdor VD
2
va VD
3
diodlarni ochish uchun va 
VТ
1 
tranzistorning baza – emitterining o‘tishi uchun yetarli emas . Shuning uchun, 
i
1 
toki VD
1 
diodi, U
a
kuchlanish manba’si orqali o‘tib yerga o‘tadi. VТ
1
tranzistori 

---

yopiq, bunda U
x
= +5 V. Agar U
a
ortadigan bo‘lsa, u holda U
1
kuchlanish 1,2 V 
gacha ortadi. Bunda U
1
= 1,8 V. Shu momentda VD
2
, VD
2
, VТ
1
ochiladi, i
1
toki 
VТ
1
tranzistor orqali o‘tadi va uni to‘yingan holatga o‘tkazadi. U
a
kuchlanishining 
keyingi ortishi VD
1 
diodni yopadi, lekin U
1 
miqdorga yoki VТ
1 
tranzistorning 
holatiga ta’sir o‘tkaza olmaydi. U
x
kuchlanishning +0,5 V dan U
to‘yinkoef
to‘yingan 
tranzistordagi miqdorgacha kuchlanish miqdorining nisbatan keskin o‘zgarishi 
3.28b rasmga mos ravishda keltirilgan. Grafikdan ko‘rinib turibdiki, 0 va 1 
mantiqiy holatlarga mos keluvchi kuchlanishlar intervallari, taxminan quyidagiga 
teng 0≤U
0
≤1.2 V 1.5≤U
1
≤5 V
Amalda, U
0 
kuchlanish 0,4 V dan kichik, U
1
esa 5 V ga juda yaqin, u esa 
o‘zgarmas tok bo‘yicha ko‘zga-ko‘rinarli shovqin zahirasini ta’minlaydi. 
3.28a-rasm
3.28b-rasm 
Agar kirish qismiga mantiqiy 1 ga mos keluvchi kuchlanish uzatilgan bo‘lsa, 
diod teskari yonalishda siljiydi, va demak, oldingi sxemaning chiqish qismidan 
minimal quvvatni iste’mol qiladi. Biroq, kirishda mantiqiy 0 ning kuchlanishi 
ushlanib qolsa, tok to‘yingan tranzistor orqali elementning kirish qismidagi 
qisqichdan u erga oqishi kerak. Bu bir birlik yuklamaga mos keladi. Agar bitta 
chiqish qismiga n ta kirish ulangan bo‘lsa, toyingan tranzistor i
1 
ga qaraganda n 
marta kop bo‘lgan tokni o‘tkazishi kerak. Agar n ortadigan bo‘lsa, kuchlanishi ham 
ortadi, bu esa chiqish tranzistori kuchlanishining o‘sishiga ekvivalentdir. Bu hodisa 
3.28b- rasmga bir birlik chiqish yuklamasi holati uchun va sakkiz birlik yuklama 
holati uchun tasvirlangan uzatish tavsifiga mos ravishda berilgan (DTM asos 
elementi uchun maksimal mumkin bo‘lgan miqdor).
3.28a-rasmga mos ravishda sxemaga U
b
kirishni hosil qilish uchun ikkinchi diodni 
qo‘shadigan bo‘lsak, u holda, agar kirishlardan hech bo‘lmaganda bittasi mantiqiy 
nol holatida bo‘lsa, U
x
kuchlanish mantiqiy 1 ga mos keladi. Agar ikkita kirishda 
ham mantiqiy 1 ga mos keluvchi kuchlanish mavjud bo‘lsa, chiqishda mantiqiy 
nolni hosil qilish mumkin, ya’ni shu sxema tomonidan bajariladigan mantiqiy amal 
quyidagi ko‘rinishga ega: 

---

Х =
Bu esa YO‘Q-VA amaliga mos keladi. DTMdagi kirishlarning hajmini 
kengaytirish uchun diodlarni qo‘shishni bajarib undagi baza elementdagi kirishlar 
sonini 20 ga yetkazish mumkin. 
Agar YO‘Q-VA elementining DTMdagi ikki (undan ortiq) chiqish qismi ulangan 
bo‘lsa, natijaviy sxema YO‘Q-VA elementlarining chiqishlariga VA amalini 
bajaradi. Sxemadan ko‘rinib turibdiki, ikkita kirishlarning hech bo‘lmaganda 
bittasida mantiqiy nolning kuchlanishi mavjud bo‘lsa, u holda umumiy chiqish 
mantiqiy nol holatida bo‘ladi. YO‘Q-VA elementining ikkita chiqishi ham 
mantiqiy 1 holatida bo‘lsa, u holda chiqishda ham mantiqiy 1 hosil bo‘ladi. VA 
sim orqali ulanish deyiladi. Bunday sxemaning chiqarishdagi yuklash qobiliyati, 
liniya orqali ulanishning, har bir qo‘shimcha chiqishi uchun yuklamasi bir birlikka 
kamaytirilgan bo‘lishi kerak, chunki chiqarish kuchlanishi mantiqiy birga mos 
keluvchi tranzistorning kollektor qarshiliklar umumiy chiqishini shuntlash 
imkoniyatini e’tiborga olish kerak. DTM ga tegishli bo‘lgan elementni uzatish 
kechikishi 30 ns ni tashkil qiladi. Bu nisbatan katta miqdor bo‘lgani bilan, ko‘p 
hollarda buning imkoniyati bor.
Diodli-tranzistorli mantiqlar oilasi VA, YOKI, YO‘Q-VA, YO‘Q-YOKI va 
YOKINING INKORI elementlarni o‘z ichiga oladi. Bu oila turli elementlarning 
katta to‘plamiga ega bo‘lganligi sababli, konstruktor uchun qulay. Sxemalarning 
ko‘pchiligi, ta’minlash manba’sini musbat qutb bilan yoki yerga ulash tavsiya 
qilinadigan, bir nechta foydalanilmaydigan kiritish klemmalarini o‘z ichiga oladi. 
Bu to‘sqindan himoyani oshiradi va uzatish vaqtining kechikishini kamaytiradi.