2 Noasosiy zaryad tashuvchilarning injeksiyasi tufayli sodir bo‘ladigan teskari egallanganlikka erishish usullari
Yarim o‘tkazgich kuchaytirish xususiyatiga ega bo‘lishi uchun shunday sharoitlar yaratish zarurki, natijada nisbatan yuqori energetik sath bo‘lgan o‘tkazuvchanlik energetik sohasidagi elektronlar soni valent energetik sohasidagi shunday zaryad toshuvchilarning sonidan ko‘p bo‘lib qolsin. Bu holda nurlanish aktlarining soni yutilish aktlari soniga nisbatan ortiq bo‘lib, yarim o‘tkazgich yorug‘likni kuchaytiradi .Biroq tabiatda o‘tkazuvchanlik energetik sohasidagi elektronlarning soni valent energetik sohasidagi shu turdagi zaryad tashuvchilar sonidan ko‘p bo‘lgan va bir vaqtning o‘zida valent energetik sohadagi kovaklar soni ko‘p bo‘lgan yarim o‘tkazgich mavjud emas.
Yarim o‘tkazgichlarda bunday sharoit ikki usul bilan amalga oshirilishi mumkin. Birinchi usulga ko‘ra, p-n o‘tish aynigan, ya’ni kiritmalar konsentratsiyasi haddan tashqari katta (1019-20 sm3)bo‘lgan yarim o‘tkazgichlardan tayyorlanadi. 3.10 a va b-rasmlarda shunday p-n o‘tishning termodinamik muvozanat holatidagi va to‘g‘ri ulangan holdagi energetik diagrammasi ko‘rsatilgan.
p-n o‘tish to‘g‘ri ulanganda, biz avval ko‘rib o‘tganimizdek, elektronlarning n sohadan p sohaga va kovaklarning p sohadan n sohaga injeksiyasi yuz beradi. Natijada p-n o‘tishning o‘tkazuvchanlik energetik sohasi elektronlar bilan, valent energetik sohasi kovaklar bilan deyarli to‘liq egallangan yupqa δx qatlami aktiv, ya’ni teskari egallangan bo‘lib qoladi.
