Mavzu: ims tayyorlash texnologiyasi va klassifikatsiyasi bilan tanishish Bajardi

Muhammad al-Xorazmiy nomidagi
Toshkent axborot texnologiyalari universiteti
Farg‘ona filiali

713-19
“Kompyuter injiniringi”

Labaratoriya ishi -1

Mavzu: IMS tayyorlash texnologiyasi va klassifikatsiyasi bilan tanishish
Bajardi: Oqbo‘tayev Murodbek Tohir o‘g‘li

1 – LABORATORIYA ISHI.
IMS tayyorlash texnologiyasi va klassifikatsiyasi bilan tanishish.
Ishning maqsadi: IMS tayyorlash texnologiyasining asosiy bosqichlari, ularning topologiyasi bilan tanishish va IMS belgilanish tizimini o‘rganib chiqish.
Qisqacha maʼlumot: Integral mikrosxema (IMS) oʼta ixcham, oʼta pishiq, kichik tannarxga ega boʼlgan va kam quvvat isteʼmol qiladigan radioelement yasash yoʼlidagi urinishlar mahsulidir.
IMS elementi deb, konstruktsiyasi boʼyicha kristall yoki asosdan ajralmaydigan, elektroradio elementlari (ERE) funktsiyasini bajaruvchi IMSning qismiga aytiladi.
IMS komponenti deb, diskret element funktsiyasini bajaruvchi, lekin montajdan avval mustaqil mahsulot boʼlgan IMSning boʼlagiga aytiladi.
Zamonaviy mikrosxemalar texnologik tayyorlash jarayoniga va bajarish funktsiyalariga qarab ikki turga boʼlinadi: yarimoʼtkazgichli (monolit) va qatlamli mikrosxemalarga.
Yarimoʼtkazgichli integral sxema – bu komponentalari yarimoʼtkazgich plastinkasining sirti qismida tayyorlanadigan yaxlit mikrosxemadan iborat.

1.1-rasm. IMS topologiya qirqimi va yarimo’tkazgichlar
ko’rinishidagi prinsipial sxemasi.

Аksariat hollarda integral sxema tayyorlashda kremniy kristali ishlatiladi.

Bu turdagi integral sxema (IS) aktiv (diodlar, tranzistorlar) va passiv (qarshiliklar, kondensatorlar, induktiv gʼaltaklar) komponentalardan tashkil topgan boʼladi.
Qatlamli IS – komponentalari taglik sirtiga har xil qatlamlarni oʼtqazish orqali tayyorlanadigan mikrosxema hisoblanadi.
Dielektrik taglik sifatida alyuminiy oksidi, shisha va keramikalar qoʼllaniladi.
Qatlamli IS asosan passiv elementlar - qarshiliklar, kondensatorlar va induktiv gʼaltaklarni tashkil qiladi.
Ulardan asosan RC-filtrlar tuziladi.
Bulardan tashqari yana duragay IS mavjud boʼlib, bu mikrosxema ham dielektrik asosidagi passiv elementlar va diskret aktiv elementlarning bogʼlanishidan tashkil topadi.
Odatda diskret aktiv elementlar ISlarda aktiv elementlar deb yuritiladi.
Bu elementlar asosan ixchamlashtirilgan qobiqsiz diod va tranzistorlardan tashkil topgan boʼladi.
Аralash IMS – bu mikrosxemaning aktiv elementlari yarimoʼtkazgich materiali asosida tayyorlanib, yarimoʼtkazgichli ISga oʼxshash boʼladi, passiv elementlari esa qatlamli mikrosxemalar kabi (qarshilik, kondensator, induktiv gʼaltak) tayyorlangan boʼladi.
Ular umumiy taglikka izolyatsiyalangan holda joylashtiriladi.
Hozirgi paytda yarimoʼtkazgich IMS larning ikki turi mavjud: biqutbiy IS va metall-oksid-yarimoʼtkazgich (MDYa) integral sxemalar.
IMSlarning bir-biridan farqi, asosan, aktiv elementlarning ishlashi va ISlarning tayyorlash texnologiyasiga bogʼliqdir.
Ikki qutbli IS asosini n-p-n yoki n-p-n turdagi ikki qutbli tranzistorlar, MDYa-turdagi ISlar asosini maydoniy tranzistorlar tashkil etadi.
Integral sxemani tayyorlash jarayonlarini asosan tranzistorlarni tayyorlash texnologiyasi tashkil qiladi, qolgan barcha elementlar ham qoʼshimcha texnologik jarayonsiz, tranzistorni tayyorlash orqali yasaladi.

1.2 – rasm. Integral tranzistorlar

1.3 – rasm. Tipik biqutbiy integral transistor geometriyasi (a) va ko’yiladigan kesimi (b). 1-emitter; 2- baza;3- kollektor; 4-qatlam;

2. Labaratorya ishini bajarish



Kollektor
Baza
Emitter



Katod
Anod
C

R