Mavzu: Stabilitronlar Reja

xmlns:w="urn:schemas-microsoft-com:office:word"
xmlns="http://www.w3.org/TR/REC-html40">
Mavzu: Stabilitronlar Reja: Stabilitronning asosiy parametri
Mavzu: Stabilitronlar
Reja:

1. 
   Stabilitronning asosiy parametri
   
2. 
   Stabilitron VAX si
   
3. 
   Stabilitron ishlash prinsipi.
   

Stabilitron - yarim olib, uning ishlash prinsipi r-n olmagan orasmda keltirilgan. Stabilitron sxemalarda kuchlanishni barqarorlash uchun ishlatiladi.
Stabilitronning asosiy parametri bozgarish oraligtishga boglgan yarim ollanilsa, u holda r-n oladi va tunnel teshilish kuzatiladi. U_ST ishchi kuchlanishi 3-4 V dan oshmaydi.
Yuqori voltli stabilitronlar keng r-n olishi kerak, shuning uchun ular kuchsiz legirlangan kremniy asosida yasaladilar. Ularda koladi, barqarorlash kuchlanishi esa 7 V dan ortmaydi. U_ST 3 dan 7 V gacha bolgan stabilitronlar ishlab chiqariladi.

18 zgarishi qiymatining diod toki olsa, barqarorlash shuncha yaxshi bolib barqarorlash kuchlanishining temperatura koeffisienti (KTK) hisoblanadi. KTK zgarganda barqarorlash kuchlanishining nisbiy ochkisimon teshilish kuzatiladigan kichik voltli stabilitronlar odatda musbat KTKga ega. KTK qiymati odatda 0,2 -0,4 % /grad dan oshmaydi.

2.4. Varikaplar. Tunnel diodlar
Varikap elektr maydoni yordamida boshqariladigan sigllanishga motish toimining teskari kuchlanishga bogllaniladi. Varikaplarning bir necha turi mavjud. Masalan, parametrik diodlar opaytiruvchi diodlar esa keng chastota diapazoniga ega bopaytirgichlarda qozgtkazgich asosida loyihalangan yarim olmagan tori kuchlanishda tunnel effekti yuzaga keladi va voltlgan soha mavjud bolgan yarim ollaniladi.

VAX nochiziqli boglsa, bu sohada qarshilik R_i manfiy qiymatga ega bo rasmda keltirilgan. AV soha manfiy differensial qarshilik bilan xarakterlanadi. Agar tunnel diodi tebranma kontur elektr zanjiriga ulansa, u holda kontur va shu zanjirdagi manfiy qarshilik kattaligi olum nisbatlarda tebranishlar kuchayishi yoki generatsiyalanishi mumkin. Tunnel diodlari asosan 3-30 GGs diapazonda Ollaniladi.

19 lib kouchma diodlar (KUD) hisoblanadi. Uning VAXsida r-n ochkisimon teshilishda yuqori chastotalarda manfiy qarshilikka ega bolgan solganda) 10 Vtgacha yetishi mumkin. KUDning FIK 30-50 %ga yetadi.

Generator diodining yana bir turi botishsiz) botkazgich plastinka koladi. Plastinkaning yon qismlariga katod va anod deb ataluvchi metall kontaktlar surtiladi. Gann diodlarini yasash uchun n-turdagi olgan intermetall birlashmalar - GaAs, InSb, InAs va InPlar qozgarmas kuchlanish berilganda Gann diodida kuchlanganligi 3lgan elektr maydon hosil qiladigan chastotasi 60 GGs bo 15 Vtgacha yetishi mumkin, FIK esa 10-12 % ga yetadi.


2.6. Optoelektronika diodlari
Optoelektronika limi bolik signallarini elektr signallarga aylantirish va aksinchaga asoslangan qurilmlarni nazariyasi va amaliyotini olib fotodiod va yorugtishga ega botish teskari siljigan bolik tushurilmaganda diod orqali juda kichik uliktadi va u berilayotgan kuchlanishga boglmaydi. n-baza sohasiga talgan energiyali fotonlardan tashkil topgan yorugkovak juftliklar generatsiyalanadi. Agar juftliklar olsalar, yorugsirida generatsiyalangan kovaklar osirida ekstraksiyalanadilar va teskari tok uning uliklik oqimi F qancha intensiv boladi.
20 lik oqimi qiymatlaridagi fotodiod VAXsi keltirilgan. Yoruglik oqimiga deyarli chiziqli bogladi.

20 lchash qurilmalarida yorug tolali aloqa liniyalarida qollaniladi. Bu rejimda fotodiod tashqi kuchlanish manbaiga ulanmasdan ishlaydi va quyosh energiyasini bevosita elektr signalga aylantirishga xizmat qiladi. Diod ventil rejimida nurlatilganda uning chiqishlarida ventil kuchlanish yuzaga keladi. Fotodiod bu holatda quyoshli aylantirgich deb ataladi. Bir biri bilan elektr jihatdan bogminlash uchun elektr energiya manbai sifatida qolik diodi lik nuriga aylantiradigan, bitta p-n olgan yarim olik nuri elektron tish tori ulanganda kuzatiladi. Rekombinatsiya doim ham nurlatuvchi bogtkazgichlarda, jumladan galliy arsenidida sodir botkazgichlar spesifik xona diagrammasiga ega bolik totkazgichning taladi. Galliy arsenididan tayyorlangan yorug kremniy karbidi asosida yasaladilar va x.z.

Yoruglib kvant chiqishi (effektivligi) hisoblanadi. U zanjir botayotgan har bir elektronga yoruglik kvanti mos kelishini kolik diodlari uchun kvant chiqishi 0,01-0,04 ni, ikki va uch yarim otishli yorugladi. Lekin doim birdan kichik bo amper xarakteristikasi oddiy diodniki kabi eksponensial boglik diodi 10^-7-10^-9 s da qayta ulanadi, yalik manbai hisoblanadi.

Yorugllaniladi.

Optoelektron juftlik, yoki optopara, konstruktiv jihatdan optik muhitda boglik nurlatuvchi va foto qabul qilgichdan tashkil topgan. Yoruggsirida yoruglik nurlatadi, foto qabul qilgich (fotodiod, fotorezistor va x.z.) esa yorugsirida tok generatsiyalaydi.

a) b) v) g)

21-rasm. Fotodiodlar.

21-rasmda yorugllaniladi.
http://fayllar.org