Pardalar hosil qilish. Pardalar IS elementlarini elektr jihatdan ulash hamda rezistorlar, kondensatorlar va gibrid ISlarda elementlar orasidagi izolyatsiyani amalga oshirish uchun qo‘llaniladi. Misol tariqasida metallashni – kristall yoki asos sirtida metall pardalar hosil qilish jarayonini ko‘rib chiqamiz. Metallash uchun oltin, nikel, kumush, alyuminiy va Cr-Au, Ti-Au va boshqalar ishlatiladi.
Kremniy asosidagi IMSlarda metallashni amalga oshirish uchun asosan alyuminiydan foydalaniladi. Metallash jarayoni yarimo‘tkazgich plastina hajmida sxema elementlari hosil qilingandan so‘ng amalga oshiriladi.
Plastinalarni kristallarga ajratish va yig‘ish operatsiyalari. Barcha asosiy texnologik operatsiyalar bajarib bo‘lingandan so‘ng, yuzlarcha va undan ko‘p ISlarga ega plastina alohida kristallarga bo‘linadi.
Plastinalar lazer skrayber yordamida, ya’ni tayyorlangan ISlar orasidan lazer nurini yurgizib kristallarga ajratiladi. Ishlatishga yaroqli kristallar qobiqlarga o‘rnatiladi, bunda kristal avval qobiqqa yelimlanadi yoki kavsharlanadi. So‘ng kristal sirtidagi kontakt yuzachalar qobiq elektrodlariga ingichka (ø 20÷30 mkm) simlar yordamida ulanadi.
Simlar ulanayotganda termokompressiyadan foydalaniladi, ya’ni ulanayotgan sim bilan kontakt yuzachasi yoki mikrosxema elektrodi 200÷300 0S temperaturada va yuqori bosimda bir – biriga bosib biriktiriladi. Montaj operatsiyalari tugagandan so‘ng kristall yuzasi atrof muhit atmosferasi ta’siridan himoyalash uchun qobiqlanadi.
Odiiy integral sxemalarda chiqish elektrodlari soni 8-14 ta, KISlarda esa 64 tagacha va undan ko‘proq bo‘lishi mumkin.
ISlar qobiqlari metall yoki plastmassadan tayyorlanadi.
