FPM DRAM, EDO DRAM va Synchronous DRAM uchun parametlarni belgilaydi.
AUTO CONFIGURATION (avtomatik konfiguratsiya) – 3 belgiga mazmunga ega: 60 ns – tez ta‘sir etuvchi 60 nsli DRAM ga kirish parametrlarini belgilaydi. 70 ns- tez ta‘sir etuvchi 70 nsli xotira uchun parametrni belgilaydi;
DISABLED (taqiqlangan) – DRAM xotirasiga kirish mumkin bo’lgan barcha parametrlarini belgilash imkonini beradi.
DRAM RAS# PRECHARGE TIME (RAS bo’yicha avvaldan zaryadlash vaqti) – bu funksiya RAS signalini shakllantirish uchun tizimli shinaning taktlarini sonini aniqlash imkonini beradi. Bu ifodaning kamaytirilishi tez ta‘sir etishni orttiradi, ammo aniq xotira uchun haddan tashqari kamaytirish ma‘lumotlarning yo’qolishiga olib kelishi mumkin. Quyidagi ifodalarni qabul qiladi: 3 yoki 4.
DRAM R/W Leadoff Timing (O’qish- yozish operatsiyalarini bajarishga tayyorlashdagi taktlar soni) – DRAM bilan barcha operatsiyalarni bajarishgacha shinadagi taktlar sonini belgilaydi. Parametr quyidagi ifodalarni (ma‘nolarni) qabul qilishi mumkin: