1. Quyosh nurining intensivligi p-n o‘tishning fotoelektrik xossalari

4.Quyosh elementlarining materiallari va tuzilishi. 
Fotoelektrik effektga asoslangan YAO‘ materiallarda n-p o‘tishli tuzilmalardan iborat QE 
da, ularga tushayotgan quyosh nuri bevosita elektr energiyasiga aylantiradi. Shuning uchun, 
QE fotoqabullagich va fotoqarshiliklardan farqli ravishda tashqi kuchlanish manbaiga muhtoj 
emas. Bu effekt yuz yildan ortiq vaqt davomida selen va mis oksidining fotoelektrik 
xususiyatlari sifatida o‘rganib kelingan, ammo ularning foydali ish koeffitsiyenti (F.I.K.) 0,5 
% oshmagan. 
Bu muammoning nisbatan faol yechilishi YAO‘ materiallar elektron tuzilishining soha 
nazariyasi yaratilganidan keyin, materiallarni kirishmalardan tozalash va nazoratli kirishmalar 
kiritish texnologiyasi, hamda n-p o‘tishning nazariyasi yaratilishi bilan bo/liqdir. 
Sunggi 35 yil davomida energiya manbai sifatida yuqori samarali Si, GaAs, InP, CdTe va 
ularning qattiq qotishmalari asosida F.I.K. 20-24 % bo‘lgan QE yaratildi. Kaskadli QE larda 
esa F.I.K. 30 % gacha yetkazildi. 
p-n o‘tishga qo‘yilgan elektr kuchlanishi ta’siri natijasida to‘g‘ri yunalishdagi tok bilan 
deyarli teng bo‘ladi. YOritilish jarayoni boshlangan vaqtdan boshlab ortiqcha 
(muvozanatdagiga nisbatan) zaryadlarning to‘planishi (elektronlarning p-sohada va 
teshiklarning r-sohada) potensial to‘siq balandligini kamaytiradi, yoki boshqacha qilib 
aytganda elektrostatik potensialni pasaytiradi (3-rasmga qarang). Bu esa o‘z navbatida tashqi 
yuklanmadan oqayotgan tok kuchini oshiradi va qarama-qarshi oqimlar hosil qiluvchi 
elektronlar va teshiklar oqimini p-n o‘tishdan o‘tishini ta’minlaydi. YOrug‘lik tufayli hosil 
bo‘lgan ortiqcha juftliklar soni p-n o‘tish yoki tashqi yuklanma orqali ketayotgan juftliklar 
soniga teng bo‘lganda statsionar muvozanat hosil bo‘ladi. Odatda bu hol yoritilish 
jarayonining mingdan bir soniyasi davomida ro‘y beradi. 
QE qisqa tutashuv toki I
kz
ni, tushayotgan optik nurlanish zichligi va spektral tarkibidan 
o‘rganish element tuzilmasi ichida bo‘layotgan alohida har bir nurlanish kvantining elektr 
energiyasiga aylanish jarayoni samaradorligi haqida tasavvur hosil imkoniyatini beradi. QE 
uchun ma’lum yorug‘lik oqimi zichligi tushayotgan hol uchun quyidagi tenglamani keltirish 
mumkin. 
I
kzyu
(λ) = I
kzt
(λ)/[1-r(λ)] 
(1) 

---

3-rasm. YArimo‘tkazgichlardagi zonalarning tarkibiy sxemasi 
bu erda I
kzt
(λ) va I
kzyu
(λ) – QE qisqa tutashuv tokining qiymati, berilgan intensivlikdagi 
tushayotgan va yutilgan nurlanish uchun, r(λ)- birlamchi qaytish koeffitsienti. Keltirilgan 
uchchala kattaliklar xam bir xil to‘lqin uzunligi bo‘lgan hol uchun to‘g‘ridir.